【茂矽V53C832L高性能3.3伏256K X 32 EDO页模式CMOS动态RAM初步高性能马克斯】,IC型号V53C832L40,V53C832L40 PDF资料,V53C832L40经销商,ic,电子元器件-51电子网

茂矽

V53C832L

高性能

3.3伏256K X 32 EDO页模式

CMOS动态RAM

初步

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

30

30纳秒

16纳秒

12纳秒

65纳秒

35

35纳秒

18纳秒

14纳秒

70纳秒

40

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

特点

s

256K ×32位的组织

s

EDO页面模式的持续数据传输率

83兆赫

s

RAS访问时间： 30 ， 35 ， 40纳秒

s

四CAS输入的字节读取和写入字节

控制

s

低功耗

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS刷新

s

刷新间隔： 512次/ 8毫秒

s

可提供100引脚PQFP和100引脚LQFP

套餐

s

+ 3.3V单

±

0.3V电源

s

TTL接口

描述

该V53C832L是高速262144 ×32位

高性能CMOS动态随机存取

内存。该V53C832L提供的组合

独特的功能，包括： EDO页面模式操作

重刑更高的持续带宽页面模式

周期时间尽可能短为12ns 。所有输入为TTL

兼容。输入和输出端的电容显

着地降低，以提高性能和微型

迈兹加载。这些特性使得V53C832L

理想地适用于各种高性能

计算机系统和外围设备的应用程序。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70℃

包装外形

Q

TQ

30

访问时间（纳秒）

35

40

动力

标准。

空白

温度

标志

V53C832L 1.6修订版1999年8月

1

茂矽

V

5

3

C

8

3

2

L

V53C832L

家庭

设备

Q（ PQFP ）

TQ （ TQFP ）

PKG

描述

PQFP

TQFP

PKG 。

Q

TQ

引脚数

100

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

30 （ 30纳秒）

35 （ 35纳秒）

40 （ 40纳秒）

832L-01

100引脚PQFP / TQFP

引脚配置

顶视图

I/O3

VSS

I/O2

I/O1

VCC

NC

VSS

I/O32

I/O31

VSS

I/O30

针表

A

0

–A

8

RAS

CAS0

CAS1

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

I/O29

VCC

I/O28

I/O27

VSS

I/O26

I/O25

VCC

I/O16

I/O15

VSS

I/O14

I/O13

VCC

VSS

VCC

I/O12

I/O11

VSS

I/O10

I/O9

VCC

NC

CAS3

CAS1

NC

OE

NC

A8

地址输入

行地址选通

列地址选通首

字节（ I / O

1

-I / O

8

)

列地址选通第二

字节（ I / O

9

-I / O

16

)

列地址选通三

字节（ I / O

17

-I / O

24

)

列地址选通的四

字节（ I / O

25

-I / O

32

)

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 3.3V电源

0V供应

无连接

I/O4

VCC

I/O5

I/O6

VSS

I/O7

I/O8

VCC

I/O17

I/O18

VSS

I/O19

I/O20

VCC

VSS

I/O21

I/O22

VSS

I/O23

I/O24

VCC

CAS0

CAS2

WE

NC

RAS

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

100

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

86

85

84

83

82

81

CAS2

CAS3

WE

OE

I / O

1

-I / O

32

V

CC

V

SS

NC

A0

A1

A2

A3

VCC

NC

VSS

A4

A5

A6

A7

832H-02

V53C832L 1.6修订版1999年8月

2

茂矽

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置................................. -10

°

C至+ 80

°

C

存储温度（塑料） -55 .....

°

C至+ 125

°

C

电压相对于V

SS

..................- 1.0 V至+ 4.6V

数据输出电流..................................... 50毫安

功耗..........................................为1.0W

*注意：

操作上面绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C832L

电容*

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

T

A

= 25

°

C，V

CC

= 3.3V

±

0.3V, V

SS

= 0 V

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。

3

4

5

马克斯。

4

5

7

单位

pF

*注意：

电容进行采样，而不是100 ％测试。

框图

256K ×32

OE

WE

CAS0

CAS1

CAS2

CAS3

RAS

时钟

发电机

CAS

时钟

发电机

WE

时钟

发电机

OE

时钟

发电机

VCC

VSS

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

I / O

6

I / O

7

I / O

8

I / O

9

I / O

10

I / O

11

I / O

12

I / O

13

I / O

14

I / O

15

I / O

16

I / O

17

I / O

18

I / O

19

I / O

20

I / O

21

I / O

22

I / O

23

I / O

24

I / O

25

I / O

26

I / O

27

I / O

28

I / O

29

I / O

30

I / O

31

I / O

32

832L-03

数据I / O总线

列解码器

Y0 -Y8

感测放大器

512 x 32

刷新

计数器

9

A0

A1

I / O

卜FF器

地址缓冲器

与预解码

X0 -X 8

ROW

解码器

512

A7

A8

内存

ARRAY

512 x 512 x 32

V53C832L 1.6修订版1999年8月

3

茂矽

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 3.3V

±

0.3V, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

V53C832L

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

V53C832L

参数

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

V

CC

电源电流，

操作

时间

分钟。

–10

典型值。

马克斯。

10

单位

A

mA

测试条件

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS在V

IH

t

RC

= t

RC

（分）

笔记

–10

10

30

35

40

130

120

110

4

1, 2

I

CC2

I

CC3

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

RAS -ONLY刷新

30

35

40

mA

RAS ， CAS在V

IH

其他投入

≥

V

SS

t

RC

= t

RC

（分）

2

130

120

110

120

110

100

2.0

mA

I

CC4

V

CC

电源电流，

EDO页面模式操作

30

35

40

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

I

CC6

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

， CAS = V

IL

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

1

2.0

mA

V

CC

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

电源电压

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

3.0

–1

2.4

3.3

3.6

0.8

V

CC

+1

0.4

V

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

3

2.4

V53C832L 1.6修订版1999年8月

4

茂矽

T

A

= 0

°C

至70℃ ，V

CC

= 3.3V

±

0.3V, V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

30

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

V53C832L

AC特性

35

40

笔记

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RSH （R）的

t

CRP

t

RCH

t

RRH

t

ROH

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

t

LZ

t

HZ

t

AR

t

拉德

t

RSH （W）的

t

CWL

t

WCS

t

WCH

t

WP

t

WCR

t

RWL

t

DS

t

DH

RAS脉冲宽度

参数

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位

30

65

25

30

5

15

0

5

0

5

10

5

0

20

75K

35

70

25

35

6

16

0

6

0

5

10

5

0

24

75K

40

75

25

40

7

17

0

7

0

5

10

5

0

28

75K

ns

读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS保持时间

CAS脉冲宽度

RAS到CAS延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS保持时间（读周期）

CAS到RAS预充电时间

读命令保持时间

参考CAS

阅读参考RAS命令保持时间

RAS保持时间参考OE

从OE访问时间

从CAS访问时间

从RAS访问时间

从列地址访问时间

OE或CAS以低阻抗输出

OE或CAS到输出高阻态

列地址保持时间fromRAS

RAS到列地址的延迟时间

RAS或CAS保持时间在写周期

写命令到CAS交货期

写命令设置时间

写命令保持时间

把脉冲宽度

写命令保持时间从RAS

写命令到RAS交货期

数据建立时间

数据保持时间

4

5

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

0

6

10

30

16

0

26

10

0

5

26

10

0

5

14

5

0

7

11

35

18

0

28

11

10

11

0

5

28

11

0

5

17

6

0

8

12

40

20

0

30

12

10

12

0

5

30

12

0

5

20

6

ns

5

12

6,7,14

6, 8, 9

6,7,10

16

11

12, 13

14

V53C832L 1.6修订版1999年8月

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