【茂矽V53C8256H超高速，256K ×8的快速页面模式CMOS动态RAM初步高性能马克斯。 RA】,IC型号V53C8256H35,V53C8256H35 PDF资料,V53C8256H35经销商,ic,电子元器件-51电子网

茂矽

V53C8256H

超高速，

256K ×8的快速页面模式

CMOS动态RAM

初步

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

35

35纳秒

18纳秒

21纳秒

70纳秒

40

40纳秒

20纳秒

23纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

25纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

28纳秒

90纳秒

特点

s

256K ×8位的组织

s

对于一个持续数据传输率快页模式

47兆赫

s

RAS访问时间： 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒

s

低功耗

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS的刷新功能

s

刷新间隔： 512次/ 8毫秒

s

单5V

±

10 ％的电力供应

s

采用24引脚300密耳的塑料DIP ，

24分之26针300万SOJ ，以及28引脚TSOP -I

套餐

描述

该V53C8256H是高速262144 ×8位

CMOS动态随机存取存储器。该

V53C8256H提供的特征的组合：快

页高数据带宽模式下，可以使用快

速度， CMOS待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。快速页

模式操作允许多达512个的随机接入

（ X8 ）一行与周期时间越短21位之内

纳秒。因为静态电路，中科院时钟不

在临界定时路径。流过的柱

地址锁存允许的地址流水线，同时再

laxing许多关键系统的时序要求

快使用的速度。这些特点使

V53C8256H非常适合图形，数字显

最终的处理和高性能计算

系统。

设备使用图

操作

温度

范围

0

°

C至70

°

C

包装外形

P

访问时间（纳秒）

T

动力

标准。

K

50

60

70

温度

标志

空白

V53C8256H修订版1.2 1997年7月

1

茂矽

V

5

3

C

8

2

5

6

H

V53C8256H

家庭

设备

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

35

40

45

50

（ 35纳秒）

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

描述

塑料DIP

SOJ

TSOP -I

PKG 。

P

K

T

引脚数

24

26/24

28

P（塑料DIP ）

K（ SOJ ）

T（ TSOP -I ）

8256H-01

24引脚塑料DIP

引脚配置

顶视图

VSS

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

WE

RAS

A0

A1

A2

A3

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

8256H-02

24分之26引脚SOJ

引脚配置

顶视图

VSS

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

WE

RAS

A0

A1

A2

A3

VDD

1

2

3

4

5

6

8

9

10

11

12

13

27

26

24

23

22

21

19

18

17

16

15

14

8256H-03

VSS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

28引脚TSOP -I

引脚配置

顶视图

引脚名称

A

0

–A

8

RAS

CAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

8

V

DD

V

SS

NC

地址输入

行地址选通

列地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 5V电源

0V供应

无连接

V53C8256H修订版1.2 1997年7月

2

茂矽

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置.............................. -10

°

C至+ 80

°

C

存储温度（塑料） -55 ......

°

C至+ 125

°

C

电压相对于V

SS

...................- 1.0V至+ 7.0V

数据输出电流..................................... 50毫安

功耗..........................................为1.0W

*

注意：

操作上面绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C8256H

电容*

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

T

A

= 25

°

C，V

DD

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

分钟。

3

4

5

马克斯。

4

5

7

单位

pF

*注意：

电容进行采样，而不是100 ％测试。

框图

256K ×8

OE

WE

CAS

RAS

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VDD

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y0 -Y8

I / O 1

I / O 2

I / O 3

感测放大器

512 x 8

I / O

卜FF器

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

I / O 8

刷新

计数器

9

A0

A1

地址缓冲器

与预解码

X 0 -X8

ROW

解码器

512

A

7

A8

内存

ARRAY

8256H-05

V53C8256H修订版1.2 1997年7月

3

茂矽

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

V53C8256H

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

参数

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

V

CC

电源电流，

操作

35

40

45

50

I

CC2

I

CC3

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

RAS -ONLY刷新

35

40

45

50

I

CC4

V

CC

电源电流，

快速页模式

手术

35

40

45

50

I

CC5

I

CC6

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

VCC电源电流，

CMOS待机

ACCESS

时间

分钟。

–10

典型值。

马克斯。

10

单位

A

mA

V53C8256H

测试条件

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS在V

IH

t

RC

= t

RC

（分）

笔记

–10

10

160

150

145

135

4

1, 2

mA

RAS ， CAS在V

IH

其他投入

≥

V

SS

t

RC

= t

RC

（分）

2

160

150

145

135

95

90

85

80

2

mA

最小周期

1, 2

mA

RAS = V

IH

， CAS = V

IL

,

其他投入

≥

V

SS

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

1

mA

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

–1

2.4

0.8

V

CC

+ 1

0.4

V

I

OL

= 4.2毫安

I

OH

= -5毫安

3

2.4

V53C8256H修订版1.2 1997年7月

4

茂矽

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

35

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

JEDEC

符号

t

RL1RH1

t

RL2RL2

t

RH2RL2

t

RL1CH1

t

CL1CH1

t

RL1CL1

t

WH2CL2

t

AVRL2

t

RL1AX

t

AVCL2

t

CL1AX

t

CL1RH1(R)

t

CH2RL2

t

CH2WX

t

RH2WX

t

OEL1RH2

t

GL1QV

t

CL1QV

t

RL1QV

t

AVQV

t

CL1QX

t

CH2QZ

t

RL1AX

t

RL1AV

t

CL1RH1(W)

t

WL1CH1

t

WL1CL2

t

CL1WH1

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RSH （R）的

t

CRP

t

RCH

t

RRH

t

ROH

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

t

LZ

t

HZ

t

AR

t

拉德

t

RSH （W）的

t

CWL

t

WCS

t

WCH

参数

RAS脉冲宽度

读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS保持时间

CAS脉冲宽度

RAS到CAS延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS保持时间（读周期）

CAS到RAS预充电时间

读命令保持时间

参考CAS

读命令保持时间

参考RAS

RAS保持时间参考的

以OE

从OE访问时间

从CAS访问时间

从RAS访问时间

从列存取时间

地址

OE或CAS以低阻抗输出

OE或CAS到输出高阻态

列地址保持时间

从RAS

RAS到列地址

延迟时间

RAS或CAS保持时间

写周期

写命令到CAS铅

时间

写命令设置时间

写命令保持时间

0

28

6

40

45

50

V53C8256H

AC特性

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位

35

70

25

35

12

16

0

6

0

4

12

5

0

23

75K

40

75

25

40

12

17

0

7

0

5

12

5

0

28

75K

45

80

25

45

13

18

0

8

0

6

13

5

0

32

75K

50

90

30

50

14

19

0

9

0

7

14

5

0

36

75K

ns

笔记

4

5

15

0

ns

5

16

8

9

10

ns

17

18

19

20

12

35

18

12

40

20

13

45

22

14

50

24

ns

6, 7

6, 8, 9

6, 7, 10

21

22

23

0

30

6

0

35

7

0

40

8

ns

16

24

11

17

12

20

13

23

14

26

ns

11

25

12

13

14

ns

26

12

13

14

ns

27

28

0

5

0

5

0

6

0

7

ns

12, 13

V53C8256H修订版1.2 1997年7月

5