茂矽
V53C816H
512K ×16快速页面模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
60
60纳秒
30纳秒
35纳秒
110纳秒
特点
s
512K ×16位的组织
s
RAS访问时间： 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒
s
对于一个持续数据传输率快页模式
43兆赫
s
双输入CAS
s
引脚对引脚与256Kx16兼容
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ
s
+ 5V单电源供电
s
TTL接口
描述
该V53C816H是524,288 ×16位高性
曼斯的CMOS动态随机存取存储器。
该V53C816H提供了双快页模式
CAS投入。地址， CAS和RAS输入钙
pacitances被降低到一半时的
256Kx16 DRAM用于构造相同的
存储密度。该V53C816H具有不对称
地址， 10比特的行和第9位的列。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机存取多达512K ×16
位，页内，与循环时间越短
23ns.
该V53C816H是最适合于图形，并且
缓冲存储器的应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
40
访问时间（纳秒）
45
50
60
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C816H 1.3修订版1999年2月
1
茂矽
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置.............................. -10
°
C至+ 80
°
C
存储温度（塑料） -55 .....
°
C至+ 125
°
C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗.......................................... 1.4 W功率
*注意：
操作上面绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
V53C816H
电容*
T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5 V
±
的10％中，f = 1 MHz的
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
*注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试
框图
512K X16
OE
WE
UCAS
LCAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
VCC
数据I / O总线
列解码器
Y0 -Y 8
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
感测放大器
刷新
计数器
512 x 16
10
A0
A1
I / O
卜FF器
I / O 6
I / O 7
I / O 8
I / O 9
I / O 10
地址缓冲器
与预解码
X 0 -X 9
ROW
解码器
1024
I / O 11
内存
ARRAY
512K ×16
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
816H-03
A7
A8
A9
V53C816H 1.3修订版1999年2月
3
茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
40
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V53C816H
45
50
60
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH （R）的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH （W）的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
t
RWL
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间（读周期）
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间参考
CAS
读命令保持时间参考
RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列地址访问时间
OE或CAS以低阻抗输出
OE或CAS到输出高阻态
列地址保持时间从RAS
RAS到列地址的延迟时间
RAS或CAS保持时间在写周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
写命令保持时间从RAS
写命令到RAS交货期
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
40
75
25
40
12
17
0
0
7
0
5
12
5
0
28
75
45
80
25
45
13
18
0
0
8
0
6
13
5
0
32
75K
50
90
30
50
14
19
0
0
9
0
7
14
5
0
36
75K
60
110
40
60
15
20
0
0
10
0
10
15
5
0
45
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4
15
0
0
0
0
ns
5
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
8
12
12
40
20
0
0
30
12
12
12
0
5
5
30
12
20
6
9
13
13
45
22
0
0
35
13
13
13
0
6
6
35
13
23
7
10
14
14
50
24
0
0
40
14
14
14
0
7
7
40
14
26
8
10
15
15
60
30
0
0
50
15
15
15
0
10
10
50
15
30
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12, 13
11
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
16
16
V53C816H 1.3修订版1999年2月
5
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