茂矽
V53C8129H
超高性能，
128K ×8 EDO页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式随着EDO周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
128K ×8位的组织
s
RAS访问时间： 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒
s
EDO页模式支持持续的I / O数据
率高达71.5 MHz的
s
低功耗
V53C8129H -50
- 工作电流：最大135毫安
- TTL待机电流：2.0 mA（最大值）
s
CMOS的低待机电流为1.0 mA（最大值）
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS的刷新功能
s
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
s
可在26/24引脚300密耳SOJ包装
描述
该V53C8129H是高速131072 ×8位
CMOS动态随机存取存储器。该
V53C8129H提供的特征的组合： EDO
页高数据带宽模式下，可以使用快
速度， CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。页面模式
与扩展数据输出操作允许随机AC-
一排中的塞斯多达256列（ X8 ）位
周期时间短至14毫微秒。因为静态税务局局长的
cuitry ，中科院时钟不在关键时序路径。
流过的列地址锁存器支持管理员
穿着流水线，同时放宽许多关键的系统
定时快速可用的速度要求。这些
特点使得V53C8129H非常适合于
图形，数字信号处理及高perfor-
曼斯外设。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
35
访问时间（纳秒）
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
1
茂矽
V
5
3
C
8
1
2
9
H
V53C8129H
家庭
设备
PKG
.
速度
( t
RAC
)
温度。
PWR 。
空（ 0 ° C至70 ° C）
BLANK （ NORMAL）
35
40
45
50
（ 35纳秒）
（ 40纳秒）
（ 45纳秒）
（ 50纳秒）
K（ SOJ ）
描述
SOJ
PKG 。
K
引脚数
26/24
8129H-01
26/24引脚SOJ
引脚配置
顶视图
VSS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
WE
RAS
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
8129H-02
引脚名称
A
0
–A
8
RAS
地址输入（A
8
：列地址只）
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入，输出
+ 5V电源
0V供应
VSS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
CAS
OE
A8 （列添加。只）
A7
A6
A5
A4
CAS
WE
OE
I / O
1
-I / O
8
V
CC
V
SS
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置.............................. -10
°
C至+ 80
°
C
存储温度（塑料） -55 .....
°
C至+ 125
°
C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗..........................................为1.0W
*注意：
操作上面绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
电容*
T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
*注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
2
茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
35
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
JEDEC
符号
t
RL1RH1
t
RL2RL2
t
RH2RL2
t
RL1CH1
t
CL1CH1
t
RL1CL1
t
WH2CL2
t
AVRL2
t
RL1AX
t
AVCL2
t
CL1AX
t
CL1RH1(R)
t
CH2RL2
t
CH2WX
t
RH2WX
t
OEL1RH2
t
GL1QV
t
CL1QV
t
RL1QV
t
AVQV
t
CL1QX
t
CH2QZ
t
RL1AX
t
RL1AV
符号参数
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH （R）的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间（读周期）
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间参考
到CAS
读命令保持时间参考
到RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间（ EDO ）
从RAS访问时间
从列地址访问时间
CAS为低-Z输出
输出缓冲关断延迟时间
列地址保持时间从RAS
RAS到列地址的延迟时间
RAS或CAS保持时间在写周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
写命令保持时间从RAS
写命令到RAS交货期
0
0
28
11
12
12
0
5
5
28
12
17
6
40
45
50
V53C8129H
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
35
70
25
35
7
16
0
0
6
0
4
14
5
0
23
75K
40
75
25
40
8
17
0
0
7
0
5
14
5
0
28
75K
45
80
25
45
9
18
0
0
8
0
6
15
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
15
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
4
5
15
0
0
0
0
ns
5
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
8
12
12
35
18
9
12
12
40
20
0
0
30
12
12
12
0
5
5
30
12
20
6
10
13
13
45
22
0
0
35
13
13
13
0
6
6
35
13
23
7
10
14
14
50
24
0
0
40
14
14
14
0
7
7
40
14
26
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12, 13
11
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
16
16
t
CL1RH1(W)
t
RSH （W）的
t
WL1CH1
t
WL1CL2
t
CL1WH1
t
WL1WH1
t
RL1WH1
t
WL1RH1
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
t
RWL
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
5
QQ：2880707522 复制
