【茂矽V53C8126H超高性能，128K ×8位快速页面模式CMOS动态RAM3535纳秒18纳秒2】,IC型号V53C8126,V53C8126 PDF资料,V53C8126经销商,ic,电子元器件-51电子网

茂矽

V53C8126H

超高性能，

128K ×8位快速页面模式

CMOS动态RAM

35

35纳秒

18纳秒

21纳秒

70纳秒

V53C8126H

初步

高性能

马克斯。

RAS

访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

23纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

25纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

28纳秒

90纳秒

特点

s

128K ×8位的组织

s

RAS

访问时间：35， 40 ，45， 50纳秒

s

快速页模式支持持续的I / O数据

速率高达40 MHz的

s

读 - 修改 - 写，

RAS-只

刷新，

CAS先于RAS

刷新功能

s

刷新间隔

V53C8126H - 512次/ 8毫秒

s

可在26/24引脚300密耳SOJ和28引脚

TSOP封装

描述

该V53C8126H是高速131072 ×8位

CMOS动态随机存取存储器。该

V53C8126H提供的特征的组合：快

页高数据带宽模式下，可以使用快

速度， CMOS待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。快速页

模式操作允许多达256个的随机接入

一行内的列的（x8）比特与周期时间为

短短21纳秒。因为静态电路中，

CAS

时钟是不是在临界定时路径。该液流 -

通过列地址锁存允许地址

而放松许多关键的系统计时流水线

要求快速可用的速度。这些功能

做出非常适合图形V53C8126H ，

数字信号处理和高性能

外设。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70

°C

包装外形

K

T

35

访问时间（纳秒）

40

45

50

动力

标准。

温度

标志

空白

1

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

茂矽

V

5

3

C

8

1

2

6

H

V53C8126H

家庭

设备

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

K（ SOJ ）

T（ TSOP ）

描述

SOJ

PKG 。

K

引脚数

26/24

35

40

45

50

（ 35纳秒）

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

8126H 01

26/24引脚SOJ

引脚配置

顶视图

V

SS

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

WE

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

V

CC

1

2

3

4

5

6

26

25

24

23

22

21

28引脚TSOP

引脚配置

顶视图

CAS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

VSS

NC

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

NC

WE

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

8125H 03

V

SS

I / O

8

I / O

7

I / O

6

I / O

5

CAS

OE

A

8

（行添加。只）

A

7

A

6

A

5

A

4

8

9

10

11

12

13

19

18

17

16

15

14

8126H 02

OE

A8

A7

A6

A5

A4

NC

VCC

NC

A3

A2

A1

A0

RAS

引脚名称

A

0

–A

8

RAS

CAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

8

V

CC

V

SS

NC

地址输入（A

8

：行

只解决）

行地址选通

列地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 5V电源

0V供应

无连接

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

2

茂矽

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置............................. -10 ° C至+ 80°C

存储温度（塑料） .... -55 ° C至+ 125°C

电压相对于V

SS ....................

-1.0 V至7.0 V

数据输出电流.................................... 50毫安

功耗.........................................为1.0W

*注：以上操作绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C8126H

电容*

T

A

= 25 ° C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。马克斯。

3

4

5

4

5

7

单位

pF

*注：电容进行采样，而不是100 ％测试

框图

128K ×8

OE

WE

CAS

RAS

快速页模式

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y0–Y7

I / O 1

I/O2

I/O3

I / O

卜FF器

I/O4

I / O 5

I/O6

I/O7

I/O8

感测放大器

刷新

计数器

256 x 8

9

A0

A1

A7

A8

地址缓冲器

与预解码

X0–X8

ROW

解码器

512

内存

ARRAY

8126H 04

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

3

茂矽

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

V53C8126H

符号

参数

ACCESS

时间

分钟。

–10

V53C8126H

典型值。

马克斯。

10

单位测试条件

A

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

笔记

I

LI

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

35

I

LO

–10

10

A

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS

在V

IH

160

150

145

135

RAS ， CAS

在V

IH

其他投入

≥

V

SS

mA

t

RC

= t

RC

（分）

1, 2

I

CC1

V

CC

电源电流，

操作

40

45

50

I

CC2

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

35

40

45

50

4

160

150

145

135

95

90

85

80

2

mA

I

CC3

RAS-只

刷新

mA

t

RC

= t

RC

（分）

2

I

CC4

V

CC

电源电流，

快速页模式

手术

35

40

45

50

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

,

CAS = V

IL

其他投入

≥

V

SS

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

1

I

CC6

1

mA

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

–1

2.4

0.8

V

CC

+1

0.4

V

I

OL

= 4.2毫安

I

OH

= -5毫安

3

2.4

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

4

茂矽

AC特性

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= 5 V

±10%,

V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

JEDEC

符号

t

RL1RH1

t

RL2RL2

t

RH2RL2

t

RL1CH1

t

CL1CH1

t

RL1CL1

t

WH2CL2

t

AVRL2

t

RL1AX

t

AVCL2

t

CL1AX

35

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

参数

RAS

脉冲宽度

读或写周期时间

RAS

预充电时间

CAS

保持时间

CAS

脉冲宽度

RAS

to

CAS

延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS

保持时间（读周期）

CAS

to

RAS

预充电时间

读命令保持时间

参考

CAS

读命令保持时间

参考

RAS

保持时间

参考

OE

访问时间从

OE

访问时间从

CAS

访问时间从

RAS

从列存取时间

地址

21

22

23

t

CL1QX

t

CH2QZ

t

RL1AX

t

LZ

t

HZ

t

AR

OE

or

CAS

以低Z输出

OE

or

CAS

到输出高阻态

列地址保持时间

从

RAS

24

t

RL1AV

t

拉德

RAS

到列地址

延迟时间

RAS

or

CAS

保持时间

在写周期

写命令

CAS

交货时间

11

17

12

20

13

23

14

26

0

28

6

0

30

6

0

35

7

0

40

8

40

45

50

V53C8126H

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位

35

70

25

35

12

16

0

6

0

4

12

5

0

23

75K

40

75

25

40

12

17

0

7

0

5

12

5

0

28

75K

45

80

25

45

13

18

0

8

0

6

13

5

0

32

75K

50

90

30

50

14

19

0

9

0

7

14

5

0

36

75K

ns

笔记

4

t

CL1RH1(R)

t

RSH （R）的

t

CH2RL2

t

CH2WX

t

CRP

t

RCH

5

15

t

RH2WX

t

RRH

0

ns

5

16

t

OEL1RH2

t

ROH

8

9

10

ns

17

18

19

20

t

GL1QV

t

CL1QV

t

RL1QV

t

AVQV

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

12

35

18

12

40

20

13

45

22

14

50

24

ns

6, 7

6, 8, 9

6, 7, 10

ns

16

ns

11

25

t

CL1RH1(W)

t

RSH （W）的

12

13

14

ns

26

t

WL1CH1

t

CWL

12

13

14

ns

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

5

茂矽

V53C8126H

超高性能，

128K ×8位快速页面模式

CMOS动态RAM

35

35纳秒

18纳秒

21纳秒

70纳秒

V53C8126H

初步

高性能

马克斯。

RAS

访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

23纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

25纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

28纳秒

90纳秒

特点

s

128K ×8位的组织

s

RAS

访问时间：35， 40 ，45， 50纳秒

s

快速页模式支持持续的I / O数据

速率高达40 MHz的

s

读 - 修改 - 写，

RAS-只

刷新，

CAS先于RAS

刷新功能

s

刷新间隔

V53C8126H - 512次/ 8毫秒

s

可在26/24引脚300密耳SOJ和28引脚

TSOP封装

描述

该V53C8126H是高速131072 ×8位

CMOS动态随机存取存储器。该

V53C8126H提供的特征的组合：快

页高数据带宽模式下，可以使用快

速度， CMOS待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。快速页

模式操作允许多达256个的随机接入

一行内的列的（x8）比特与周期时间为

短短21纳秒。因为静态电路中，

CAS

时钟是不是在临界定时路径。该液流 -

通过列地址锁存允许地址

而放松许多关键的系统计时流水线

要求快速可用的速度。这些功能

做出非常适合图形V53C8126H ，

数字信号处理和高性能

外设。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70

°C

包装外形

K

T

35

访问时间（纳秒）

40

45

50

动力

标准。

温度

标志

空白

1

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

茂矽

V

5

3

C

8

1

2

6

H

V53C8126H

家庭

设备

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

K（ SOJ ）

T（ TSOP ）

描述

SOJ

PKG 。

K

引脚数

26/24

35

40

45

50

（ 35纳秒）

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

8126H 01

26/24引脚SOJ

引脚配置

顶视图

V

SS

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

WE

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

V

CC

1

2

3

4

5

6

26

25

24

23

22

21

28引脚TSOP

引脚配置

顶视图

CAS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

VSS

NC

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

NC

WE

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

8125H 03

V

SS

I / O

8

I / O

7

I / O

6

I / O

5

CAS

OE

A

8

（行添加。只）

A

7

A

6

A

5

A

4

8

9

10

11

12

13

19

18

17

16

15

14

8126H 02

OE

A8

A7

A6

A5

A4

NC

VCC

NC

A3

A2

A1

A0

RAS

引脚名称

A

0

–A

8

RAS

CAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

8

V

CC

V

SS

NC

地址输入（A

8

：行

只解决）

行地址选通

列地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 5V电源

0V供应

无连接

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

2

茂矽

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置............................. -10 ° C至+ 80°C

存储温度（塑料） .... -55 ° C至+ 125°C

电压相对于V

SS ....................

-1.0 V至7.0 V

数据输出电流.................................... 50毫安

功耗.........................................为1.0W

*注：以上操作绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C8126H

电容*

T

A

= 25 ° C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。马克斯。

3

4

5

4

5

7

单位

pF

*注：电容进行采样，而不是100 ％测试

框图

128K ×8

OE

WE

CAS

RAS

快速页模式

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y0–Y7

I / O 1

I/O2

I/O3

I / O

卜FF器

I/O4

I / O 5

I/O6

I/O7

I/O8

感测放大器

刷新

计数器

256 x 8

9

A0

A1

A7

A8

地址缓冲器

与预解码

X0–X8

ROW

解码器

512

内存

ARRAY

8126H 04

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

3

茂矽

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

V53C8126H

符号

参数

ACCESS

时间

分钟。

–10

V53C8126H

典型值。

马克斯。

10

单位测试条件

A

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

笔记

I

LI

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

35

I

LO

–10

10

A

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS

在V

IH

160

150

145

135

RAS ， CAS

在V

IH

其他投入

≥

V

SS

mA

t

RC

= t

RC

（分）

1, 2

I

CC1

V

CC

电源电流，

操作

40

45

50

I

CC2

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

35

40

45

50

4

160

150

145

135

95

90

85

80

2

mA

I

CC3

RAS-只

刷新

mA

t

RC

= t

RC

（分）

2

I

CC4

V

CC

电源电流，

快速页模式

手术

35

40

45

50

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

,

CAS = V

IL

其他投入

≥

V

SS

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

1

I

CC6

1

mA

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

–1

2.4

0.8

V

CC

+1

0.4

V

I

OL

= 4.2毫安

I

OH

= -5毫安

3

2.4

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

4

茂矽

AC特性

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= 5 V

±10%,

V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

JEDEC

符号

t

RL1RH1

t

RL2RL2

t

RH2RL2

t

RL1CH1

t

CL1CH1

t

RL1CL1

t

WH2CL2

t

AVRL2

t

RL1AX

t

AVCL2

t

CL1AX

35

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

参数

RAS

脉冲宽度

读或写周期时间

RAS

预充电时间

CAS

保持时间

CAS

脉冲宽度

RAS

to

CAS

延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS

保持时间（读周期）

CAS

to

RAS

预充电时间

读命令保持时间

参考

CAS

读命令保持时间

参考

RAS

保持时间

参考

OE

访问时间从

OE

访问时间从

CAS

访问时间从

RAS

从列存取时间

地址

21

22

23

t

CL1QX

t

CH2QZ

t

RL1AX

t

LZ

t

HZ

t

AR

OE

or

CAS

以低Z输出

OE

or

CAS

到输出高阻态

列地址保持时间

从

RAS

24

t

RL1AV

t

拉德

RAS

到列地址

延迟时间

RAS

or

CAS

保持时间

在写周期

写命令

CAS

交货时间

11

17

12

20

13

23

14

26

0

28

6

0

30

6

0

35

7

0

40

8

40

45

50

V53C8126H

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位

35

70

25

35

12

16

0

6

0

4

12

5

0

23

75K

40

75

25

40

12

17

0

7

0

5

12

5

0

28

75K

45

80

25

45

13

18

0

8

0

6

13

5

0

32

75K

50

90

30

50

14

19

0

9

0

7

14

5

0

36

75K

ns

笔记

4

t

CL1RH1(R)

t

RSH （R）的

t

CH2RL2

t

CH2WX

t

CRP

t

RCH

5

15

t

RH2WX

t

RRH

0

ns

5

16

t

OEL1RH2

t

ROH

8

9

10

ns

17

18

19

20

t

GL1QV

t

CL1QV

t

RL1QV

t

AVQV

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

12

35

18

12

40

20

13

45

22

14

50

24

ns

6, 7

6, 8, 9

6, 7, 10

ns

16

ns

11

25

t

CL1RH1(W)

t

RSH （W）的

12

13

14

ns

26

t

WL1CH1

t

CWL

12

13

14

ns

V53C8126H 1.1修订版1997年7月

5