茂矽
V53C8125H
超高性能，
128K ×8的快速页面模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
19纳秒
65纳秒
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
特点
s
128K ×8位的组织
s
RAS访问时间： 30 ， 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒
s
快速页模式支持持续数据传输率
高达53兆赫
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS的刷新功能
s
刷新间隔： 256次/ 8毫秒
s
可在26/24引脚300密耳SOJ和28引脚
TSOP -I封装
描述
该V53C8125H是高速131072 ×8位
CMOS动态随机存取存储器。该
V53C8125H提供的特征的组合：快
页高数据带宽模式下，可以使用快
速度， CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。快速页
模式操作允许多达512个的随机接入
一行内列（ ×9 ）位与周期时间为
短短19纳秒。因为静态电路，中科院
时钟是不是在临界定时路径。该液流 -
通过列地址锁存允许地址
而放松许多关键的系统计时流水线
要求快速可用的速度。这些功能
做出非常适合图形V53C8125H ，
数字信号处理和高性能PE-
ripherals 。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
T
30
访问时间（纳秒）
35
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
.
.
.
.
1
.
.
.
.
V53C8125H 1.7修订版1998年8月
茂矽
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置................................. N10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ..... N55 ° C至+ 125°C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗..........................................为1.0W
*注意：
操作上面绝对最大额定值可以AD-
versely影响器件的可靠性。
V53C8125H
T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
电容*
*注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试。
框图
128K ×8
OE
WE
CAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
VCC
VSS
数据I / O总线
列解码器
Y0Y8
I / O 1
I/O2
I/O3
I / O
卜FF器
感测放大器
刷新
计数器
512 x 8
9
A0
A1
A7
A8
I/O4
I / O 5
I/O6
I/O7
I/O8
地址缓冲器
与预解码
X0X7
ROW
解码器
256
内存
ARRAY
8125H 16
V53C8125H 1.7修订版1998年8月
3
茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
30
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH （R）的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH （W）的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间（读周期）
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间
参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列存取时间
地址
OE或CAS以低阻抗输出
OE或CAS到输出高阻态
列地址保持时间从
RAS
RAS到列地址
延迟时间
RAS或CAS保持时间
写周期
写命令CAS
交货时间
写命令设置时间
写命令保持时间
0
0
26
5
6
35
40
45
50
V53C8125H
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
30
65
25
30
5
15
0
0
5
0
5
10
5
0
20
75K
35
70
25
35
6
16
0
0
6
0
5
10
5
0
24
75K
40
75
25
40
7
17
0
0
7
0
5
10
5
0
28
75K
45
80
25
45
8
18
0
0
8
0
6
10
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
10
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4
15
0
0
0
0
0
ns
5
16
7
8
9
10
ns
17
18
19
20
10
10
30
16
11
11
35
18
12
12
40
20
13
13
45
22
14
14
50
24
ns
ns
ns
ns
12
6,7,14
6, 8, 9
6,7,10
21
22
23
0
0
28
6
0
0
30
6
0
0
35
7
0
0
40
8
ns
ns
ns
16
16
24
10
14
11
17
12
20
13
23
14
26
ns
11
25
10
10
10
10
10
ns
26
10
11
12
13
14
ns
27
28
0
5
0
5
0
5
0
6
0
7
ns
ns
12, 13
V53C8125H 1.7修订版1998年8月
5
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