【茂矽V53C806H高性能1M ×8有点快页模式CMOS动态RAM初步高性能马克斯。 RAS访问时间】,IC型号V53C806H,V53C806H PDF资料,V53C806H经销商,ic,电子元器件-51电子网

茂矽

V53C806H

高性能

1M ×8有点快页模式

CMOS动态RAM

初步

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

23纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

25纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

28纳秒

90纳秒

60

60纳秒

30纳秒

40纳秒

120纳秒

特点

s

1M ×8位的组织

s

对于一个持续数据传输率快页模式

43兆赫

s

RAS访问时间： 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS的刷新功能

s

刷新间隔： 1024次/ 16毫秒

s

可提供28引脚400密耳SOJ包装

s

+ 5V单

±

10 ％的电力供应

s

TTL接口

描述

该V53C806H是一种超高速1,048,576 X

8位CMOS动态随机存取存储器。该

V53C806H提供的特征的组合：快

页高数据带宽模式，以及低

CMOS待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。快速页

模式操作允许最多的随机接入

一排周期时间一样快，在1024× 8位

23纳秒。因为静态电路，中科院时钟

不是在临界定时路径。流过的协作

UMN地址锁存允许的地址，而流水线

轻松许多关键系统的时序要求。

该V53C806H非常适合图形， dig-

需求面实证信号处理和高性能的COM

思想促进体系。

设备使用图

操作

温度

范围

0

°

C至70

°

C

包装外形

K

40

访问时间（纳秒）

45

50

60

动力

标准。

温度

标志

空白

V53C806H 1.6修订版1998年4月

1

茂矽

V

5

3

C

8

0

6

H

V53C806H

家庭

设备

K（ SOJ ）

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

描述

SOJ

PKG 。

K

引脚数

28

40

45

50

60

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

（ 60纳秒）

808H-01

28引脚SOJ

引脚配置

顶视图

VCC

IO1

IO2

IO3

IO4

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

V CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

806H-02

引脚名称

A

0

–A

9

RAS

地址输入

行地址选通

列地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 5V电源

0V供应

无连接

V SS

IO8

IO7

IO6

IO5

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

CAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

8

V

CC

V

SS

NC

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置..................................- 10

°

C至+ 80

°

C

存储温度（塑料） ......- 55

°

C至+ 125

°

C

电压相对于V

SS

.................- 1.0 V至7.0 V

数据输出电流..................................... 50毫安

功耗.......................................... 1.4 W功率

*注意：

操作上面绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

T

A

= 25

°

C，V

CC

= 5 V

±

的10％中，f = 1 MHz的

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。

3

4

5

马克斯。

4

5

7

单位

pF

电容*

*注意：

电容进行采样，而不是100 ％测试

V53C806H 1.6修订版1998年4月

2

茂矽

框图

1M ×8

OE

WE

CAS

RAS

V53C806H

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y0 -Y9

I/O1

I/O2

I/O3

I / O

卜FF器

感测放大器

1024 x 8

刷新

计数器

10

A0

A1

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

地址缓冲器

与预解码

X 0 -X9

ROW

解码器

1024

A8

A9

内存

ARRAY

1024 x 1024 x 8

806H-03

V53C806H 1.6修订版1998年4月

3

茂矽

DC和工作特性

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

ACCESS

时间

V53C806H

分钟。

–10

V53C806H

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

参数

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

V

CC

电源电流，

操作

典型值。

马克斯。

10

单位

m

A

m

A

mA

测试条件

V

SS

V

IN

V

CC

V

SS

V

OUT

V

CC

RAS ， CAS在V

IH

t

RC

= t

RC

（分）

笔记

–10

10

40

45

50

60

220

210

200

190

4

1, 2

I

CC2

I

CC3

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

RAS -ONLY刷新

40

45

50

60

mA

RAS ， CAS在V

IH

其他投入

V

SS

t

RC

= t

RC

（分）

2

220

210

200

190

110

100

90

80

2.0

mA

I

CC4

V

CC

电源电流，

快速页模式

手术

40

45

50

60

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

I

CC6

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

， CAS = V

IL

其他投入

V

SS

RAS

V

CC

– 0.2 V,

CAS

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

V

SS

1

2.0

mA

V

CC

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

电源电压

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

4.5

–1

2.4

5.0

5.5

0.8

V

CC

+ 1

0.4

V

I

OL

= 4.2毫安

I

OH

= -5毫安

3

2.4

V53C806H 1.6修订版1998年4月

4

茂矽

AC特性

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

40

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RSH （R）的

t

CRP

t

RCH

t

RRH

t

ROH

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

t

LZ

t

HZ

t

AR

t

拉德

参数

RAS脉冲宽度

读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS保持时间

CAS脉冲宽度

RAS到CAS延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS保持时间（读周期）

CAS到RAS预充电时间

读命令保持时间

参考CAS

读命令保持时间

参考RAS

RAS保持时间参考OE

从OE访问时间

从CAS访问时间

从RAS访问时间

从列地址访问时间

CAS为低-Z输出

输出缓冲关断延迟时间

列地址保持时间

从RAS

RAS到列地址

延迟时间

25

t

RSH （W）的

t

CWL

t

WCS

t

WCH

t

WP

RAS或CAS保持时间在写

周期

写命令到CAS交货期

写命令设置时间

写命令保持时间

把脉冲宽度

12

13

14

15

0

30

6

分钟。

40

75

25

40

12

17

0

7

0

5

12

5

0

28

马克斯。

75K

分钟。

45

80

25

45

13

18

0

8

0

6

13

5

0

32

45

马克斯。

75K

分钟。

50

90

30

50

14

19

0

9

0

7

14

5

0

36

50

马克斯。

75K

分钟。

60

110

40

60

15

20

0

10

0

10

15

5

0

43

60

马克斯。

75K

V53C806H

单位

ns

笔记

4

5

15

0

ns

5

16

17

18

19

20

21

22

23

8

12

40

20

9

13

45

22

0

35

7

10

14

50

24

0

40

8

10

17

60

30

0

45

10

ns

6, 7

6, 8, 9

6, 7, 10

16

24

12

20

13

23

14

26

15

30

ns

11

ns

26

27

28

29

12

0

5

13

0

6

14

0

7

15

0

10

ns

12, 13

V53C806H 1.6修订版1998年4月

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