茂矽
V53C517405A
4M X 4 EDO页模式
CMOS动态RAM
V53C517405A
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
50
50纳秒
25纳秒
20纳秒
84纳秒
60
60纳秒
30纳秒
25纳秒
104纳秒
特点
s
4M ×4位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
50兆赫
s
RAS存取时间：50 ，60， 70纳秒
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新，刷新隐藏
s
刷新间隔：2048次/ 32毫秒
s
可在26分之24针300万SOJ ，
和第24/ 26针300密耳的TSOP -II
s
采用+5 V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C517405A是4194304 ×4位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C517405A提供页面模式
操作与扩展数据输出。该
V53C517405A具有对称的地址， 11比特的行
和11位的列。
所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式
操作允许随机存取高达2048 ×4位，
在一个页面上，周期时间短至20ns 。
这些特性使得V53C517405A理想
适合于各种各样的高性能
计算机系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
访问时间（纳秒）
50
动力
标准。
T
60
温度
标志
空白
V53C517405A修订版1.1 1998年3月
1
茂矽
24/26引脚塑料SOJ / TSOP- II
引脚配置
顶视图
V
CC
I / O
1
I / O
2
WE
RAS
NC
A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
511740502-02
V53C517405A
引脚名称
A
0
–A
10
RAS
CAS
行，列地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入，输出
+ 5V电源
0V供应
无连接
V
SS
I / O
4
I / O
3
CAS
OE
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
WE
OE
I / O
1
-I / O
4
V
CC
V
SS
NC
描述
SOJ
TSOP -II
PKG 。
K
T
引脚数
24/26
24/26
V53C517405A修订版1.1 1998年3月
2
茂矽
绝对最大额定值*
工作温度范围.................. 0 70
°
C
存储温度范围............... -55 150
°
C
输入/输出电压....... -0.5到MIN（ V
CC
+0.5, 7) V
电源电压............................- 1.0V至7V
功耗..........................................为1.0W
数据输出电流（短路） ...................... 50毫安
*
注意：
操作上面绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
V53C517405A
电容*
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V ， F = 1兆赫
参数
地址输入
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
*注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试。
框图
4096 x 4
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
DATA IN
卜FF器
WE
CAS
4
数据输出
卜FF器
4
OE
第2时钟
发电机
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
COLUMN
地址
缓冲器（ 11 ）
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
刷新
计数器（11）的
11
11
ROW
地址
缓冲器（ 11 ）
11
ROW
解码器2048
存储阵列
2048 x 2048 x 4
2048
x4
4
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
511740500-03
VCC （内部）
V53C517405A修订版1.1 1998年3月
3
茂矽
T
A
= 0
°
C至70
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V ，T
T
= 2ns的，除非另有规定。
ACCESS
时间
V53C517405A
分钟。
–10
V53C517405A
DC和工作特性
(1-2)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
典型值。
马克斯。
10
单位
A
A
测试条件
V
SS
≤
V
IN
≤
V
CC
+ 0.5V
V
SS
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.5V
RAS ， CAS在V
IH
其他输入
≥
V
SS
t
RC
= t
RC
（分）
笔记
1
–10
10
1
I
CC1
V
CC
电源电流，
操作
V
CC
电源电流，
TTL待机
V
CC
电源电流，
RAS -ONLY刷新
V
CC
电源电流，
EDO页模式
手术
V
CC
电源电流，
在CAS先于RAS
刷新
50
60
80
70
2
mA
2, 3, 4
I
CC2
I
CC3
mA
RAS ， CAS在V
IH
其他投入
≥
V
SS
t
RC
= t
RC
（分）
2, 4
50
60
50
60
50
60
70
80
70
35
30
120
110
100
1.0
mA
I
CC4
mA
最小周期
2, 3, 4
I
CC5
mA
2, 4
I
CC6
V
CC
电源电流，
CMOS待机
mA
RAS
≥
V
CC
– 0.2 V,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
其他输入
≥
V
SS
1
V
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
电源电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
4.5
–0.5
2.4
5.0
5.5
0.8
V
V
1
1
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5毫安
1
1
V
CC
+0.5 V
0.4
V
V
2.4
V53C517405A修订版1.1 1998年3月
4
茂矽
AC特性
(5, 6)
T
A
= 0 70 C，V
CC
= 5 V
±
10 %, t
T
= 2纳秒
-50
#
符号
参数
分钟。
马克斯。
分钟。
-60
V53C517405A
马克斯。
单位
记
通用参数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
转换时间（上升和下降）
刷新周期
84
30
50
8
0
8
0
8
12
10
13
40
5
1
–
–
50
32
–
–
10k
10k
–
–
–
–
37
25
104
40
60
10
0
10
0
10
14
12
15
50
5
1
–
–
–
10k
10k
–
–
–
–
45
30
–
–
–
50
32
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
7
读周期
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
t
RAC
t
CAC
t
CAA
t
OEA
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
OE访问时间
列地址到RAS交货时间
READ命令设置时间
读命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
从OE输出关断延时
数据CAS延时低
数据OE低时延
CAS高到数据延迟
OE高到数据延迟
–
–
–
–
25
0
0
0
0
0
0
0
0
10
10
50
13
25
13
–
–
–
–
–
13
13
–
–
–
–
–
–
–
–
30
0
0
0
0
0
0
0
0
13
13
60
15
30
15
–
–
–
–
–
15
15
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
8
12
12
13
13
14
14
8, 9
8, 9
8,10
V53C517405A修订版1.1 1998年3月
5
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