【茂矽V53C318165A3.3伏1M ×16 EDO页模式CMOS动态RAM高性能马克斯。 RAS】,IC型号V53C318165AK60,V53C318165AK60 PDF资料,V53C318165AK60经销商,ic,电子元器件-51电子网

茂矽

V53C318165A

3.3伏1M ×16 EDO页模式

CMOS动态RAM

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

50

50纳秒

25纳秒

20纳秒

84纳秒

60

60纳秒

30纳秒

25纳秒

104纳秒

70

70纳秒

35纳秒

30纳秒

124纳秒

特点

s

1M ×16位的组织

s

EDO页面模式的持续数据传输率

50兆赫

s

RAS存取时间：50 ，60， 70纳秒

s

双输入CAS

s

低功耗

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS刷新，隐藏刷新，

自刷新。

s

刷新间隔： 1024次/ 16毫秒

s

可提供42引脚400密耳SOJ和50μg/ 44针

400万TSOP -II

s

+ 3.3V单

±

0.3 V电源

s

TTL接口

描述

该V53C318165A是1048576 ×16位高

高性能CMOS动态随机存取MEM-

ORY 。该V53C318165A提供页面模式操作

化与扩展数据输出。该V53C318165A

具有一个对称的地址， 10比特的行和10位

柱。

所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式

操作允许随机存取高达1024 ×16

位，页内，与循环时间越短

20ns.

这些特性使得V53C318165A理想

适合于各种高性能的COM

计算机系统和外围设备的应用程序。

设备使用图

操作

温度

范围

0

°

C至70

°

C

包装外形

K

访问时间（纳秒）

50

动力

70

T

60

标准。

温度

标志

空白

V53C318165A 1.0版1998年1月

1

茂矽

42引脚塑料SOJ

引脚配置

顶视图

V

CC

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

V

CC

I / O

5

I / O

6

I / O

7

I / O

8

NC

WE

RAS

NC

A

0

A

1

A

2

A

3

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

311816500-02

V53C318165A

四十四分之五十〇引脚塑料TSOP -II

引脚配置

顶视图

V

CC

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

V

CC

I / O

5

I / O

6

I / O

7

I / O

8

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

V

SS

I / O

16

I / O

15

I / O

14

I / O

13

V

SS

I / O

12

I / O

11

I / O

10

I / O

9

NC

LCAS

UCAS

OE

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

V

SS

V

SS

I / O

16

I / O

15

I / O

14

I / O

13

V

SS

I / O

12

I / O

11

I / O

10

I / O

9

NC

WE

RAS

NC

A

0

A

1

A

2

A

3

V

CC

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

311816500-03

NC

LCAS

UCAS

OE

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

V

SS

引脚名称

A

0

–A

9

RAS

UCAS

LCAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

16

V

CC

V

SS

NC

行，列地址输入

行地址选通

列地址选通/高字节控制

列地址选通/低字节控制

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 3.3V电源

0V供应

无连接

描述

SOJ

TSOP -II

PKG 。

K

T

引脚数

42

50

V53C318165A 1.0版1998年1月

2

茂矽

绝对最大额定值*

工作温度范围.................. 0 70

°

C

存储温度范围............... -55 150

°

C

焊接温度.................................. 260

°

C

焊接时间................................................ ... 10秒

输入/输出电压.... -0.5到MIN（ V

CC

+0.5, 4.6) V

电源电压........................- 0.5V至4.6V的

功耗.......................................... 0.5瓦

数据输出电流（短路） ...................... 50毫安

*

注意：

操作上面绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C318165A

电容*

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

T

A

= 25

°

C，V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V, V

SS

= 0 V ， F = 1兆赫

参数

地址输入

RAS ， UCAS ， LCAS ，

WE ， OE

数据输入/输出

分钟。

—

马克斯。

5

7

单位

pF

*

注意：

电容进行采样，而不是100 ％测试。

框图

1024 x 16

OE

WE

UCAS

LCAS

RAS

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y0–Y9

I / O 1

I/O2

I/O3

I/O4

I / O 5

I/O6

I/O7

感测放大器

刷新

计数器

1024 x 16

12

A0

A1

I / O

卜FF器

I/O8

I / O 9

I/O10

I/O11

地址缓冲器

与预解码

ROW

解码器

X0– X9

1024

I/O12

A8

A9

内存

ARRAY

1024 x 1024 x 16

I / O 13

I/O14

I/O15

I/O16

311816500-04

V53C318165A 1.0版1998年1月

3

茂矽

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V, V

SS

= 0 V ，T

T

= 2ns的，除非另有规定。

ACCESS

时间

V53C318165A

分钟。

–10

V53C318165A

DC和工作特性

(1-2)

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

参数

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

V

CC

电源电流，

操作

典型值。

马克斯。

10

单位

A

mA

测试条件

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

+ 0.3V

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

+ 0.3V

RAS ， CAS在V

IH

t

RC

= t

RC

（分）

笔记

1

–10

10

1

50

60

70

200

180

160

2

2, 3, 4

I

CC2

I

CC3

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

RAS -ONLY刷新

50

60

70

mA

RAS ， CAS在V

IH

其他投入

≥

V

SS

t

RC

= t

RC

（分）

2, 4

200

180

160

90

75

60

1.0

mA

I

CC4

V

CC

电源电流，

EDO页模式

手术

50

60

70

mA

最小周期

2, 3, 4

I

CC5

I

CC6

V

CC

电源电流，

CMOS待机

平均自刷新电流

CBR循环吨

RAS

＆ GT ;吨

RASS

分，

（仅适用于L-版）

CAS保持为低电平， WE = V

CC

– 0.2V,

地址和D

IN

= V

CC

– 0.2V

或0.2V

V

CC

电源电流，

在CAS先于RAS刷新

50

60

70

mA

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V

1

1.0

mA

I

CC7

200

180

160

–0.5

2

0.8

V

CC

+0.5

0.4

2.4

mA

t

RC

= t

RC

（分钟）

2, 4

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

V

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

1

V53C318165A 1.0版1998年1月

4

茂矽

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= 3.3 V

±0.3

V, V

SS

= 0V ，T

T

= 2ns的，除非另有说明

JEDEC

符号符号

t

RL1RH1

t

RL2RL2

t

RH2RL2

t

RL1CH1

t

CL1CH1

t

RL1CL1

t

WH2CL2

t

AVRL2

t

RL1AX

t

AVCL2

t

CL1AX

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

V53C318165A

AC特性

50

参数

RAS脉冲宽度

读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS保持时间

CAS脉冲宽度

RAS到CAS延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

读命令保持时间

参考CAS

读命令保持时间

参考RAS

CAS低后输出保持

从OE访问时间

从CAS访问时间

从RAS访问时间

从列地址访问时间

CAS为低-Z输出

输出缓冲器延迟关机

数据CAS延时低

RAS到列地址的延迟时间

输出缓冲器关机延迟从OE

写命令到CAS交货期

写命令设置时间

写命令保持时间

把脉冲宽度

数据OE延迟

写命令到RAS交货期

数据建立时间

0

10

0

13

0

8

0

13

0

25

13

60

70

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注

50

84

30

40

8

12

0

8

0

8

13

5

0

10K

37

10K

60

104

40

50

10

14

0

10

0

10

15

5

0

10K

45

10K

70

124

50

60

12

14

0

10

0

12

17

5

0

10K

53

10K

ns

9

t

CL1RH1(R)

t

RSH

t

CH2RL2

t

CH2WX

t

RH2WX

t

CL1

t

GL1QV

t

CL1QV

t

RL1QV

t

AVQV

t

CL1QX

t

CH2QX

t

CL1QZ

t

RL1AV

t

GL2QZ

t

WL1CH1

t

WL1CL2

t

CL1WH1

t

WL1WH1

t

GL1QZ

t

WL1RH1

t

DVWL2

t

CRP

t

RCH

t

RRH

t

COH

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

t

CLZ

t

关闭

t

DZC

t

拉德

t

OEZ

t

CWL

t

WCS

t

WCH

t

WP

t

DEO

t

RWL

t

DS

15

0

ns

9

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

5

13

50

25

5

15

60

30

0

12

0

15

0

10

0

15

0

30

15

5

17

70

35

0

12

0

17

0

10

0

17

0

35

17

ns

10

15

11

8

15

7, 12

7, 13

7

V53C318165A 1.0版1998年1月

5