【茂矽V53C16258L高性能3.3伏256K X 16 EDO页模式CMOS动态RAM可选的自刷新】,IC型号V53C16258SLK45,V53C16258SLK45 PDF资料,V53C16258SLK45经销商,ic,电子元器件-51电子网

茂矽

V53C16258L

高性能

3.3伏256K X 16 EDO页模式

CMOS动态RAM

可选的自刷新

35

35纳秒

18纳秒

14纳秒

70纳秒

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

17纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

19纳秒

90纳秒

特点

s

256K ×16位的组织

s

EDO页面模式的持续数据传输率

71兆赫

s

RAS访问时间： 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒

s

双输入CAS

s

低功耗

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS的刷新和自刷新

s

可选的自刷新（ V53C16258SL ）

s

刷新间隔：标准： 512次/ 8ms的

s

可提供40引脚400密耳SOJ和

40 / 44L -销400万TSOP- II封装

s

+ 3.3V单

±

0.3V电源

s

TTL接口

描述

该V53C16258L是262,144 ×16位高

性能CMOS动态随机存取

内存。该V53C16258L提供页面模式

扩展数据输出。地址， CAS和RAS

输入电容被减少到四分之一

当X4 DRAM的用于构造相同的

存储密度。该V53C16258L具有对称

正视和接受512周期8ms的时间间隔。

所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式

操作允许随机访问多达512 ×16位，

在一个页面中，与周期时间尽可能短为15ns 。

该V53C16258L非常适合宽

各种高性能便携式计算机

系统和外围设备的应用程序。

设备使用图

操作

温度

范围

0

°

C至70

°

C

包装外形

K

T

35

访问时间（纳秒）

40

45

50

动力

标准。

温度

标志

空白

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

1

茂矽

部件名称

V53C16258SLKxx

V53C16258SLTxx

V53C16258LKxx

V53C16258LTxx

V53C16258L

电源电压

3.3V

自刷新

标准自刷新（ 8毫秒）

无自刷新

包

SOJ

TSOP

SOJ

TSOP

速度

35/40/45/50

40引脚塑料SOJ

引脚配置

顶视图

VCC

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

16258L-02

V

5

3

C

16

2

5

8

S

L

家庭

设备

S（标准自刷新）

L（ 3.3V ）

K（ SOJ ）

T（ TSOP - II ）

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

VSS

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

LCAS

UCAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

35

40

45

50

（ 35纳秒）

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

16258L-01

40/44引脚塑料TSOP -II

引脚配置

顶视图

VCC

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

引脚名称

A

0

–A

8

RAS

UCAS

LCAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

16

V

CC

V

SS

NC

地址输入

行地址选通

列地址选通/上

字节控制

列地址选通/低

字节控制

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 3.3V电源

0V供应

无连接

VSS

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

VCC

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

16258L-03

NC

LCAS

UCAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

2

茂矽

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置..................................... -10

°

C至+ 80

°

C

存储温度（塑料） -55 .....

°

C至+ 125

°

C

电压相对于V

SS

.................- 1.0 V至4.6 V

数据输出电流..................................... 50毫安

功耗..........................................为1.0W

*注：以上操作绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C16258L

T

A

= 25

°

C，V

CC

= 3.3 V

±

0.3V, V

SS

= 0 V

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。

3

4

5

马克斯。

4

5

7

单位

pF

电容*

*注：电容进行采样，而不是100 ％测试

框图

256K ×16

OE

WE

UCAS

LCAS

RAS

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y -Y8

0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

感测放大器

512 x 16

I / O

卜FF器

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

I / O 8

I / O 9

I / O 10

I / O 11

刷新

计数器

9

A0

A1

地址缓冲器

与预解码

X0 -X8

ROW

解码器

512

I / O 12

A7

A8

内存

ARRAY

512 x 512 x 16

I / O 13

I / O 14

I / O 15

I / O 16

16258L-04

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

3

茂矽

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= +3.3 V

±

0.3V, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

ACCESS

时间

V53C16258L

分钟。

–10

V53C16258L

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

参数

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

V

CC

电源电流，

操作

典型值。

马克斯。

10

单位

A

mA

测试条件

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS在V

IH

t

RC

= t

RC

（分）

笔记

–10

10

35

40

45

50

120

110

100

90

1

1, 2

I

CC2

I

CC3

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

RAS -ONLY刷新

35

40

45

50

mA

RAS ， CAS在V

IH

其他投入

≥

V

SS

t

RC

= t

RC

（分）

2

120

110

100

90

120

100

90

80

1

mA

I

CC4

V

CC

电源电流，

EDO页面模式操作

35

40

45

50

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

其他投入

≥

V

SS

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

， CAS = V

IL

1

I

CC6

500

A

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

RAS CAS =

≤

0.2 V

输出开路

I

CC7

V

CC

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

V

CC

电源电流，

自刷新

电源电压

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

2.4

3.0

–1

2.4

3.3

200

A

V

3.6

0.8

V

CC

+1

0.4

3

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

4

茂矽

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= +3.3 V

±0.3V,

V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

35

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

V53C16258L

AC特性

40

45

50

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RSH （R）的

t

CRP

t

RCH

t

RRH

t

ROH

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

t

LZ

t

HZ

t

AR

t

拉德

t

RSH （W）的

t

CWL

t

WCS

t

WCH

t

WP

t

WCR

t

RWL

t

DS

参数

RAS脉冲宽度

读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS保持时间

CAS脉冲宽度

RAS到CAS延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS保持时间（读周期）

CAS到RAS预充电时间

读命令保持时间参考

到CAS

读命令保持时间参考

到RAS

RAS保持时间参考OE

从OE访问时间

从CAS访问时间

从RAS访问时间

从列地址访问时间

OE或CAS以低阻抗输出

OE或CAS到输出高阻态

列地址保持时间从RAS

RAS到列地址的延迟时间

RAS或CAS保持时间在写周期

写命令到CAS交货期

写命令设置时间

写命令保持时间

把脉冲宽度

写命令保持时间从RAS

写命令到RAS交货期

数据建立时间

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注

35

70

25

35

6

13

0

6

0

5

10

5

0

5

10

24

75

40

75

25

40

7

17

0

7

0

5

10

5

0

28

75

45

80

25

45

8

18

0

8

0

6

10

5

0

32

75K

50

90

30

50

9

19

0

9

0

7

10

5

0

36

75K

ns

5

4

15

0

ns

5

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

7

11

35

18

0

25

10

8

0

5

25

10

0

20

6

8

12

40

20

0

30

12

10

12

0

5

30

12

0

20

6

9

13

45

22

0

35

13

10

13

0

6

35

13

0

23

7

10

14

50

24

0

40

14

10

14

0

7

40

14

0

26

8

ns

14

12, 13

11

12

6, 7, 14

6, 8, 9

6, 7, 10

16

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

5

茂矽

V53C16258L

高性能

3.3伏256K X 16 EDO页模式

CMOS动态RAM

可选的自刷新

35

35纳秒

18纳秒

14纳秒

70纳秒

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

17纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

19纳秒

90纳秒

特点

s

256K ×16位的组织

s

EDO页面模式的持续数据传输率

71兆赫

s

RAS访问时间： 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒

s

双输入CAS

s

低功耗

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS的刷新和自刷新

s

可选的自刷新（ V53C16258SL ）

s

刷新间隔：标准： 512次/ 8ms的

s

可提供40引脚400密耳SOJ和

40 / 44L -销400万TSOP- II封装

s

+ 3.3V单

±

0.3V电源

s

TTL接口

描述

该V53C16258L是262,144 ×16位高

性能CMOS动态随机存取

内存。该V53C16258L提供页面模式

扩展数据输出。地址， CAS和RAS

输入电容被减少到四分之一

当X4 DRAM的用于构造相同的

存储密度。该V53C16258L具有对称

正视和接受512周期8ms的时间间隔。

所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式

操作允许随机访问多达512 ×16位，

在一个页面中，与周期时间尽可能短为15ns 。

该V53C16258L非常适合宽

各种高性能便携式计算机

系统和外围设备的应用程序。

设备使用图

操作

温度

范围

0

°

C至70

°

C

包装外形

K

T

35

访问时间（纳秒）

40

45

50

动力

标准。

温度

标志

空白

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

1

茂矽

部件名称

V53C16258SLKxx

V53C16258SLTxx

V53C16258LKxx

V53C16258LTxx

V53C16258L

电源电压

3.3V

自刷新

标准自刷新（ 8毫秒）

无自刷新

包

SOJ

TSOP

SOJ

TSOP

速度

35/40/45/50

40引脚塑料SOJ

引脚配置

顶视图

VCC

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

16258L-02

V

5

3

C

16

2

5

8

S

L

家庭

设备

S（标准自刷新）

L（ 3.3V ）

K（ SOJ ）

T（ TSOP - II ）

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

VSS

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

LCAS

UCAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

35

40

45

50

（ 35纳秒）

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

16258L-01

40/44引脚塑料TSOP -II

引脚配置

顶视图

VCC

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

引脚名称

A

0

–A

8

RAS

UCAS

LCAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

16

V

CC

V

SS

NC

地址输入

行地址选通

列地址选通/上

字节控制

列地址选通/低

字节控制

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 3.3V电源

0V供应

无连接

VSS

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

VCC

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

16258L-03

NC

LCAS

UCAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

2

茂矽

绝对最大额定值*

环境温度

在偏置..................................... -10

°

C至+ 80

°

C

存储温度（塑料） -55 .....

°

C至+ 125

°

C

电压相对于V

SS

.................- 1.0 V至4.6 V

数据输出电流..................................... 50毫安

功耗..........................................为1.0W

*注：以上操作绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

V53C16258L

T

A

= 25

°

C，V

CC

= 3.3 V

±

0.3V, V

SS

= 0 V

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。

3

4

5

马克斯。

4

5

7

单位

pF

电容*

*注：电容进行采样，而不是100 ％测试

框图

256K ×16

OE

WE

UCAS

LCAS

RAS

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y -Y8

0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

感测放大器

512 x 16

I / O

卜FF器

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

I / O 8

I / O 9

I / O 10

I / O 11

刷新

计数器

9

A0

A1

地址缓冲器

与预解码

X0 -X8

ROW

解码器

512

I / O 12

A7

A8

内存

ARRAY

512 x 512 x 16

I / O 13

I / O 14

I / O 15

I / O 16

16258L-04

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

3

茂矽

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0

°

C至70

°

C，V

CC

= +3.3 V

±

0.3V, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

ACCESS

时间

V53C16258L

分钟。

–10

V53C16258L

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

参数

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

V

CC

电源电流，

操作

典型值。

马克斯。

10

单位

A

mA

测试条件

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS在V

IH

t

RC

= t

RC

（分）

笔记

–10

10

35

40

45

50

120

110

100

90

1

1, 2

I

CC2

I

CC3

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

RAS -ONLY刷新

35

40

45

50

mA

RAS ， CAS在V

IH

其他投入

≥

V

SS

t

RC

= t

RC

（分）

2

120

110

100

90

120

100

90

80

1

mA

I

CC4

V

CC

电源电流，

EDO页面模式操作

35

40

45

50

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

其他投入

≥

V

SS

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

， CAS = V

IL

1

I

CC6

500

A

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

RAS CAS =

≤

0.2 V

输出开路

I

CC7

V

CC

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

V

CC

电源电流，

自刷新

电源电压

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

2.4

3.0

–1

2.4

3.3

200

A

V

3.6

0.8

V

CC

+1

0.4

3

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

V53C16258L 1.1修订版1999年6月

4

茂矽

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= +3.3 V

±0.3V,

V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

35

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

V53C16258L

AC特性

40

45

50

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RSH （R）的

t

CRP

t

RCH

t

RRH

t

ROH

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

t

LZ

t

HZ

t

AR

t

拉德

t

RSH （W）的

t

CWL

t

WCS

t

WCH

t

WP

t

WCR

t

RWL

t

DS

参数

RAS脉冲宽度

读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS保持时间

CAS脉冲宽度

RAS到CAS延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS保持时间（读周期）

CAS到RAS预充电时间

读命令保持时间参考

到CAS

读命令保持时间参考

到RAS

RAS保持时间参考OE

从OE访问时间

从CAS访问时间

从RAS访问时间

从列地址访问时间

OE或CAS以低阻抗输出

OE或CAS到输出高阻态

列地址保持时间从RAS

RAS到列地址的延迟时间

RAS或CAS保持时间在写周期

写命令到CAS交货期

写命令设置时间

写命令保持时间

把脉冲宽度

写命令保持时间从RAS

写命令到RAS交货期

数据建立时间

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注

35

70

25

35

6

13

0

6

0

5

10

5

0

5

10

24

75

40

75

25

40

7

17

0

7

0

5

10

5

0

28

75

45

80

25

45

8

18

0

8

0

6

10

5

0

32

75K

50

90

30

50

9

19

0

9

0

7

10

5

0

36

75K

ns

5

4

15

0

ns

5

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

7

11

35

18

0

25

10

8

0

5

25

10

0

20

6

8

12

40

20

0

30

12

10

12

0

5

30

12

0

20

6

9

13

45

22

0

35

13

10

13

0

6

35

13

0

23

7

10

14

50

24

0

40

14

10

14

0

7

40

14

0

26

8

ns

14

12, 13

11

12

6, 7, 14

6, 8, 9

6, 7, 10

16

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