茂矽
V53C16129H
高性能
128K ×16位EDO页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
60
60纳秒
30纳秒
27纳秒
110纳秒
特点
s
128K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
67兆赫
s
RAS访问时间： 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔： 512次/ 8ms的
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C16129H是131,072 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C16129H提供页面模式
扩展数据输出。 EDO页面模式操作
允许随机访问多达512 ×16位，在一个
页，与周期时间尽可能短， 15纳秒。一
地址， CAS和RAS输入电容是
减少到最小的加载。该V53C16129H
具有不对称的地址的8位的行和第9位的
柱。
所有输入为TTL兼容。该V53C16129H
最适合用于图形和DSP应用
需要高性能的回忆。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
访问时间（纳秒）
40
动力
60
T
45
50
标准。
温度
标志
空白
V53C16129H 1.2修订版1997年7月
1
茂矽
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置................................ -10
°
C至+ 80
°
C
存储温度（塑料） -55 .....
°
C至+ 125
°
C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗..........................................为1.0W
*注意：
操作上面绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
V53C16129H
电容*
T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS ， UCAS ， LCAS ，
WE ， OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
*注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试
框图
128K ×16
OE
WE
UCAS
LCAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
VCC
VSS
数据I / O总线
列解码器
Y0–Y8
I / O 1
I/O2
I/O3
I/O4
I / O 5
I/O6
I/O7
感测放大器
刷新
计数器
512 x 16
9
A0
A1
I / O
卜FF器
I/O8
I / O 9
I/O10
I/O11
地址缓冲器
与预解码
ROW
解码器
X0–X7
256
I/O12
A7
A8
内存
ARRAY
I / O 13
I/O14
I/O15
I/O16
256 x 512 x 16
16129H-04
V53C16129H 1.2修订版1997年7月
3
茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C，V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
V53C16129H
40
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH （R）的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH （W）的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
t
RWL
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间（读周期）
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间参考
CAS
读命令保持时间参考
RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列地址访问时间
OE或CAS以低阻抗输出
OE或CAS到输出高阻态
列地址保持时间从RAS
RAS到列地址的延迟时间
RAS或CAS保持时间在写周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
写命令保持时间从RAS
写命令到RAS交货期
0
0
30
12
10
12
0
5
5
30
12
20
6
45
50
60
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
40
75
25
40
7
17
0
0
7
0
5
10
5
0
28
75K
45
80
25
45
8
18
0
0
8
0
6
10
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
10
5
0
36
75K
60
110
40
60
15
20
0
0
10
0
10
15
5
0
45
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4
15
0
0
0
0
ns
5
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
8
12
12
40
20
9
13
13
45
22
0
0
35
13
10
13
0
6
6
35
13
23
7
10
14
14
50
24
0
0
40
14
10
14
0
7
7
40
14
26
8
10
14
14
50
24
0
0
50
15
15
15
0
10
10
50
15
30
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12, 13
11
12
6,7,14
6, 8, 9
6,7,10
16
16
V53C16129H 1.2修订版1997年7月
5
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