V50100P
新产品
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.372 V ，在我
F
= 5 A
TO- 247AD （TO- 3P）
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 25 A
100 V
250 A
0.64 V
150 °C
销1
3脚
销2
例
3
2
1
特点
沟槽MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊260℃ 40秒
机械数据
案例：
TO- 247AD （TO- 3P）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管，或门二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
RMS反向电压为正弦波
阻断电压DC
最大正向平均整流电流
（参见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
每腿重复峰值反向电流
在T
p
= 2微秒， 1千赫
工作结存储温度范围
每个器件
每腿
每腿
I
FSM
I
RRM
T
J
, T
英镑
250
1.0
- 20至+ 150
A
A
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
V50100P
100
70
100
50
25
单位
V
V
V
A
文档编号88929
01-Dec-05
www.vishay.com
1
V50100P
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
V
F
符号
V
（ BR ）
典型值。
100（最低）
0.463
0.535
0.664
0.700
0.375
T
J
= 125 °C
0.445
0.605
0.635
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
13.7
8.4
I
R
69.6
22.5
马克斯。
-
-
-
-
0.78
-
-
-
0.70
500
15
1000
45
A
mA
A
mA
V
单位
V
正向电压
(1)
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
每腿
I
F
= 20 A
I
F
= 25 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 25 A
反向电流在额定V
RM （ 1 ）
每腿
在V
R
= 70 V
在V
R
= 100 V
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
符号
R
θJC
V50100P
1.5
单位
° C / W
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
60
50
300
峰值正向浪涌电流（ A）
0
25
50
75
100
125
150
175
平均正向电流（ A）
250
40
200
150
30
20
10
100
50
0
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
文档编号88929
01-Dec-05
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
V50100P
新产品
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.372 V ，在我
F
= 5 A
TO- 247AD （TO- 3P）
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 25 A
100 V
250 A
0.64 V
150 °C
销1
3脚
销2
例
3
2
1
特点
沟槽MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊260℃ 40秒
机械数据
案例：
TO- 247AD （TO- 3P）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管，或门二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
RMS反向电压为正弦波
阻断电压DC
最大正向平均整流电流
（参见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
每腿重复峰值反向电流
在T
p
= 2微秒， 1千赫
工作结存储温度范围
每个器件
每腿
每腿
I
FSM
I
RRM
T
J
, T
英镑
250
1.0
- 20至+ 150
A
A
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
V50100P
100
70
100
50
25
单位
V
V
V
A
文档编号88929
01-Dec-05
www.vishay.com
1
V50100P
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
V
F
符号
V
（ BR ）
典型值。
100（最低）
0.463
0.535
0.664
0.700
0.375
T
J
= 125 °C
0.445
0.605
0.635
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
13.7
8.4
I
R
69.6
22.5
马克斯。
-
-
-
-
0.78
-
-
-
0.70
500
15
1000
45
A
mA
A
mA
V
单位
V
正向电压
(1)
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
每腿
I
F
= 20 A
I
F
= 25 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 25 A
反向电流在额定V
RM （ 1 ）
每腿
在V
R
= 70 V
在V
R
= 100 V
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
符号
R
θJC
V50100P
1.5
单位
° C / W
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
60
50
300
峰值正向浪涌电流（ A）
0
25
50
75
100
125
150
175
平均正向电流（ A）
250
40
200
150
30
20
10
100
50
0
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
文档编号88929
01-Dec-05
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
QQ：2880707522 复制
