V437464E24V
3.3伏64M X 72高性能
挂号SDRAM ECC模块
初步
s
168针脚注册ECC 67108864 X 72位
Oganization SDRAM模块
s
利用了高性能的32M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
s
可编程CAS延迟，突发长度和
裹顺序（顺序&交错）
s
自动刷新（ CBR）和自刷新
s
所有的输入，输出是LVTTL兼容
s
8192刷新周期每64毫秒
s
串行存在检测（ SPD ）
速度
GRADE
-75PC ， CL = 2,3
（ 133兆赫）
-75 ， CL = 3
（ 133兆赫）
-10PC ， CL = 2,3
（100 MHz）的
CILETIV LESOM
特点
产品型号
V437464E24VXTG-75PC
V437464E24VXTG-75
V437464E24VXTG-10PC
V437464E24V 1.0版2002年1月
描述
该V437464E24V内存模块组织
67108864 X 72位168针双列直插式
内存模块（ DIMM ） 。 X 72注册64M
DIMM采用18茂矽 - 华智32M ×8 ECC SDRAM 。
在X72模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
CON组fi guration
64M X 72
64M X 72
64M X 72
1
V437464E24V
CILETIV LESOM
V
茂矽
制成的
V437464E24V 1.0版2002年1月
模块型号信息
4
3
74
64
E
2
4
V
X
T
摹 - XX
速度
75PC = PC133 CL3,2
75 = PC133 CL3
10PC = PC100 CL3,2
无铅封装
G =金
SDRAM
3.3V
宽度
深度
168 PIN挂号
DIMM X8 COMPONENT
刷新
率8K
部件
包装， T = TSOP
COMPONENT A = 0.17u B = 0.14u
转级
LVTTL
4银行
3
V437464E24V
RCS0
RQM0
I/O1–I/O4
10
CS
RQM4
DQM
I / O1 -I / O8 D0 I / O33 -I / O36
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D1 I / O37 -I / O40
CS
RQM5
DQM
I / O1 -I / O8 D2 I / O41 -I / O44
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D3 I / O45 -I / O48
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D4
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D9
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D10
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D11
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D12
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D13
I/O5–I/O8
10
RQM1
I/O9–I/O12
10
I/O13–I/O16
10
CB1–CB3
10
RCS2
RQM2
I/O17–I/O20
10
I/O21–I/O24
10
RQM3
I/O25–I/O28
10
I/O29–I/O32
10
CILETIV LESOM
框图
10
10
10
10
RAS
CAS
WE
CKE0
DQM0–DQM7
CS
RQM6
DQM
I / O1 -I / O8 D5 I / O49 -I / O52
CS
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D14
CS
CS0 ， CS
A0–A12
BA0 ， BA1
DQM
I / O1 -I / O8 D6 I / O53 -I / O56
CS
RQM7
DQM
I / O1 -I / O8 D7 I / O57 -I / O60
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D15
雷杰
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D16
CS
PLL CLK
10K
CLK1–CLK3
DQM
I / O1 -I / O8 D17
V
DD
10K
CB4–CB7
10
R
E
G
I
S
T
E
R
10
10
10
DQM
I / O1 -I / O8 D8 I / O61 -I / O64
10
V437464E24V 1.0版2002年1月
RRAS
RCAS
RWE
D0–D17
D0–D17
D0–D17
R0CKE0 ， R1CKE0
RDQM0–RDQM7
RC0 ， RCS2
RA0–RA12
RBA0 ， RBA1
D0–D17
D0–D17
CLK0
10K
PLL
12pF
12pF
D0–D17
4
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