V437332S04V
3.3伏32M X 72高性能
非缓冲ECC SDRAM模块
初步
CILETIV LESOM
特点
V437332S04V 1.0版2001年12月
描述
该V437332S04V内存模块组织
33554432 X 72位168针双列直插式
内存模块（ DIMM ） 。在32M X 72内存
模块采用18茂矽 - 华智128兆比特， 16M ×8
SDRAM 。在X72模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
速度
GRADE
-75PC ， CL = 2,3
（ 133兆赫）
-75 ， CL = 3
（ 133兆赫）
-10PC ， CL = 2,3
（100 MHz）的
s
168针无缓冲33554432 X 72位
Oganization SDRAM模块
s
采用高性能的128Mbit ， 16M ×8
SDRAM在TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
s
可编程CAS延迟，突发长度和
裹顺序（顺序&交错）
s
自动刷新（ CBR）和自刷新
s
所有的输入，输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测（SPD）
s
SDRAM性能
产品型号
V437332S04VXTG-75PC
CON组fi guration
32M X 72
V437332S04VXTG-75
32M X 72
V437332S04VXTG-10PC
32M X 72
1
V437332S04V
CILETIV LESOM
V
茂矽
制成的
产品编号信息
4
3
73
32
S
0
4
V
x深
摹 - XX
速度
75PC = PC133 CL3,2
75 = PC133 CL3
10PC = PC133 CL3,2
无铅封装
G =金
SDRAM
3.3V
宽度
深度
168 PIN UNBUFFERED
DIMM X8 COMPONENT
刷新
RATE 4K
部件
包装， T = TSOP
COMPONENT A = 0.17u B = 0.14u
转级
LVTTL
4银行
框图
CS1
CS0
DQM0
I/O1–I/O8
10
DQM1
I/O9–I/O16
10
（ BC7 ： 0 ）
DQM CS
I / O1 -I / O8 D16
DQM CS
I / O1 -I / O8 D17
DQM5
I/O41–I/O48
DQM CS
I / O1 -I / O8 D1
DQM CS
I / O1 -I / O8 D9
DQM5
I/O41–I/O48
10
DQM CS
I / O1 -I / O8 D0
DQM CS
I / O1 -I / O8 D8
DQM4
I/O33–I/O40
10
DQM CS
I / O1 -I / O8 D5
DQM CS
I / O1 -I / O8 D13
DQM CS
I / O1 -I / O8 D4
DQM CS
I / O1 -I / O8 D12
CS3
CS2
DQM2
I/O17–I/O24
10
DQM3
I/O25–I/O32
10
E
2
PROM SPD （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
V
DD
WP
47K
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D2
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D3
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D10
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D11
DQM6
I/O49–I/O56
10
DQM7
I/O57–I/O64
10
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D6
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D7
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D14
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D15
A11 - A0 ， BA0 ， BA1
D0-D15 (D16, D17)
D0-D15 (D16, D17)
C0-C31, (C32...C35)
D0-D15 (D16, D17)
D0-D15 (D16, D17)
D0-D7 (D16)
V
CC
10K
V
SS
RAS ， CAS ， WE
CKE0
时钟布线
32M X 72
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
5 SDRAM
5 SDRAM
4 SDRAM + 3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF
CKE1
D9-D15 (D17)
V437332S04VTG-75-03
V437332S04V 1.0版2001年12月
3
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