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V436516Y04V
128MB 144针SDRAM UNBUFFERED
SODIMM , 16MX64 3.3VOLT
初步
s
JEDEC标准的144针脚,小外形,双列
直插式内存模块( SODIMM )
s
串行存在检测为E
2
舞会
s
无缓冲
s
完全同步,所有的信号就注册
系统时钟的上升沿,
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
所有器件引脚兼容LVTTL
s
4096刷新周期每64毫秒
s
自刷新模式
s
内部流水线操作;列地址
可以改变每一个系统时钟
s
可编程突发长度:1, 2,4,或8个
s
自动预充电和预充电所有银行通过A10
s
通过DQM数据屏蔽功能
s
模式寄存器编程设置
s
可编程( CAS延迟: 2 , 3个时钟)
s
SDRAM性能
CILETIV LESOM
特点
8M ×16
描述
该V436516Y04V内存模块组织
16777216 ×64位144针SODIMM 。该
16M ×64的内存模块采用8茂矽 - 华智8M
×16 SDRAM 。在x64模块非常适合于使用
高性能计算机系统中
提高存储密度和快速的访问时间
是必需的。
产品型号
V436516Y04VATG-75PC
V436516Y04VATG-75
V436516Y04VATG-10PC
速度等级
-75PC,CL=2,3(133MHZ)
-75 , CL = 3
(133MHZ)
CON组fi guration
16Mx64
16Mx64
16Mx64
-10PC,CL=2,3(100MHZ)
8M ×16
8M ×16
8M ×16
1
59
61
143
在背面针脚2
背面上的144引脚
V436516Y04V修订版2001年1.0月
1
V436516Y04V
DQMB1
DQMB5
VDD
VDD
A0
A3
A1
A4
A2
A5
VSS
VSS
DQ8
DQ40
DQ9
DQ41
DQ10
DQ42
DQ11
DQ43
VDD
VDD
DQ12
DQ44
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
DQ13
DQ45
DQ14
DQ46
DQ15
DQ47
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
CLK0
CKE0
VDD
VDD
RAS
CAS
WE
CKE1
CS0
NC
CS1
NC
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
NC
CLK1
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
VDD
VDD
DQ16
DQ48
DQ17
DQ49
DQ18
DQ50
DQ19
DQ51
VSS
VSS
DQ20
DQ52
DQ21
DQ53
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
DQ22
DQ54
DQ23
DQ55
VDD
VDD
A6
A7
A8
BA0
VSS
VSS
A9
BA1
A10
A11
VDD
VDD
DQMB2
DQMB6
DQMB3
DQMB7
VSS
VSS
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
DQ24
DQ56
DQ25
DQ57
DQ26
DQ58
DQ27
DQ59
VDD
VDD
DQ28
DQ60
DQ29
DQ61
DQ30
DQ62
DQ31
DQ63
VSS
VSS
SDA
SCL
VDD
VDD
CILETIV LESOM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
VSS
VSS
DQ0
DQ32
DQ1
DQ33
DQ2
DQ34
DQ3
DQ35
VDD
VDD
DQ4
DQ36
DQ5
DQ37
DQ6
DQ38
DQ7
DQ39
VSS
VSS
DQMB0
DQMB4
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
引脚配置(正面/背面)
注意:
1. RAS , CAS , WE CASx , CSX为低电平有效的信号。
引脚名称
A0 A11 , BA0 , BA1
DQ0–DQ63
RAS
CAS
WE
CS0 , CS1
DQMB0–DQMB7
CKE0 , CKE1
CLK0–CLK1
SDA
SCL
VDD
VSS
NC
地址,银行选择
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
时钟使能
时钟
串行输入/输出
串行时钟
电源
无连接(开放)
V436516Y04V修订版2001年1.0月
2
V436516Y04V
CILETIV LESOM
V
茂矽
制成的
产品编号信息
4
3
65
16
Y
0
4
V
A
T
摹 - XX
速度
75 = PC133 CL3
75PC = PC133 CL2,3
10PC = PC100 CL2,3
无铅封装
G =金
SDRAM
3.3V
宽度
深度
168 PIN挂号
DIMM X16 COMPONENT
刷新
RATE4K
部件
包装, T = TSOP
部件
转级
LVTTL
4银行
框图
CS0
WE
WE CS
UDQM
U0
DQMB1
LDQM
DQ8–15
DQMB5
WE
UDQM
U2
LDQM
DQ40–47
CS
DQ32–39
DQMB0
DQ0–7
DQMB4
DQMB2
WE CS
UDQM
U1
DQ16–23
DQMB6
WE
UDQM
U3
CS
DQ43–54
DQMB3
LDQM
DQ24–31
DQMB7
LDQM
DQ55–63
CS1
WE
WE CS
UDQM
U4
DQMB1
LDQM
DQ8–15
DQMB5
WE
UDQM
U6
LDQM
DQ40–47
CS
DQ32–39
DQMB0
DQ0–7
DQMB4
DQMB2
WE CS
UDQM
U5
DQ16–23
DQMB6
WE
UDQM
U7
CS
DQ43–54
DQMB3
LDQM
DQ24–31
DQMB7
LDQM
DQ55–63
VDD
VSS
A0 A11 , BA0 , BA1
CKE0
CKEI
RAS
CAS
U0–U7
CLK0
U0–U7
U0–U3
U4–U7
U0–U7
U0–U7
SCL
A0
SPD
A1
A2
CLKI
0
U0, U1
U2, U3
U4, U5
0
U6, U7
SDA
注意:
所有的电阻为10欧姆
V436516Y04V修订版2001年1.0月
3
V436516Y04V
写入电子
2
在模块亲PROM设备
使用串行存在检测duction协议(I
2
C
同步2线总线)
串行存在检测存储设备 -
2
PROM - 组装到模块。信息
E
化有关模块的配置,速度等是
CILETIV LESOM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
内存类型
16
17
18
19
20
21
CS潜伏期
WE潜伏期
22
23
24
25
26
27
28
29
V436516Y04V修订版2001年1.0月
串行存在检测信息
SPD-表-75模块:
十六进制值
字节
号功能描述
SPD的字节数
在串行PD总字节
SPD项值
128
256
SDRAM
12
9
2
64
0
LVTTL
7.5纳秒/ 10.0纳秒
5.4纳秒/ 6.0纳秒
自刷新,值为15.6μs
x16
N / A / X8
t
CCD
= 1 CLK
1, 2, 4, 8
4
CL = 2 & 3
CS延迟= 0
WL = 0
非缓冲/非
注册。
VCC TOL ±10 %
7.5纳秒/ 10.0纳秒
5.4纳秒/ 6.0纳秒
不支持
不支持
15纳秒/ 20纳秒
14纳秒/ 15纳秒
15纳秒/ 20纳秒
133兆赫
-75PC
80
08
04
0C
09
02
40
00
01
75
54
00
80
10
00
01
133兆赫
-75
80
08
04
0C
09
02
40
00
01
75
54
00
80
10
00
01
100兆赫
-10PC
80
08
04
0C
09
02
40
00
01
A0
60
00
80
10
00
01
行地址的数目(不包括BS比特)
列地址数(对于x16 SDRAM )
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块的数据宽度(续)
模块接口电平
SDRAM的周期时间在CL = 3
从时钟在CL = 3 SDRAM存取时间
DIMM配置(错误的Det /科尔。 )
刷新率/类型
SDRAM宽度,主
错误检查SDRAM的数据宽度
最小时钟延迟从背靠背
随机列地址
突发长度支持
SDRAM银行数量
支持CAS潜伏期
0F
04
06
01
01
00
0F
04
06
01
01
00
0F
04
06
01
01
00
SDRAM DIMM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
最小时钟周期时间CAS延时= 2
最大数据存取时间从时钟为CL = 2
最小时钟周期时间在CL = 1
最大数据存取时间从时钟在CL = 1
最小行预充电时间吨
RP
最小行主动向行主动延时T
RRD
最低RAS到CAS延迟时间T.
RCD
0E
75
54
00
00
0F
0E
0F
0E
A0
60
00
00
14
0F
14
0E
A0
60
00
00
14
0F
14
4
V436516Y04V
CILETIV LESOM
30
31
32
33
34
35
36-61
62
63
64-125
SPD修订
126
127
128+
SPD-表-75模块: (续)
十六进制值
字节
号功能描述
最低RAS脉冲宽度t
RAS
模块库密度(每行)
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立时间
SDRAM的数据输入保持时间
超集信息(可能在将来使用)
修订版2 / 1.2
SPD项值
42纳秒/ 45纳秒
64兆字节
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
133兆赫
-75PC
2A
10
15
08
15
08
00
02
D2
00
133兆赫
-75
2D
10
15
08
15
08
00
02
17
00
100兆赫
-10PC
2D
10
20
10
20
10
00
12
84
00
校验和字节0 - 62
制造商的信息(可选)
马克斯。频率规格
频率支持详细信息
未使用的存储位置
133兆赫
64
64
64
00
00
00
绝对最大额定值
参数
VDD电源相对于V电压
SS
在输入相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
马克斯。
-1到4.6
-1到4.6
0至+70
-55至125
3.5
单位
V
V
°C
°C
W
DC特性
T
A
= 0°C至70°C ; V
SS
= 0 V; V
DD
, V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V
限值
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
I
O( L)
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(I
OUT
= -2.0毫安)
输出低电压(I
OUT
= 2.0 mA)的
输入漏电流,任何输入
( 0 V < V
IN
< 3.6 V ,所有其它输入= 0V )
输出漏电流
( DQ被禁用, 0V < V
OUT
& LT ; V
CC
)
分钟。
2.0
–0.5
2.4
–10
马克斯。
V
CC
+0.3
0.8
0.4
10
单位
V
V
V
V
A
A
–10
10
V436516Y04V修订版2001年1.0月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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