V40100PG
新产品
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.420 V ，在我
F
= 5 A
特点
沟槽MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
2
1
TO- 247AD （TO- 3P）
销1
3脚
销2
例
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管的ORing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 247AD （TO- 3P）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
j
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.67 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流（见图1 ）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V40100PG
100
40
20
250
1.0
10000
- 40 + 150
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
V
F
T
J
= 125 °C
符号
V
（ BR ）
典型值。
100（最低）
0.490
0.572
0.731
0.42
0.50
0.67
马克斯。
-
-
-
0.81
V
-
-
0.73
单位
V
正向电压
二极管
(1)
每
文档编号88972
18-Aug-06
www.vishay.com
1
V40100PG
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在V
R
= 70 V
反向电流在额定V
R (1)
每二极管
在V
R
= 100 V
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
典型值。
8.4
7.4
I
R
40.5
18.2
马克斯。
300
15
500
35
单位
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100PG
2.0
单位
° C / W
订购信息
首选的P / N
V40100PG-E3/45
单位重量（g ）
6.109
首选包装代码
45
基地数量
30/Tube
配送方式
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
负载电阻或电感
16
14
D = 0.8
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
平均正向电流（ A）
平均功耗（ W）
40
12
10
8
6
4
2
30
20
T
10
D = TP / T
tp
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
5
10
15
20
25
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
文档编号88972
18-Aug-06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
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或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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新产品
V40100PG
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.420 V ，在我
F
= 5 A
特点
TMBS
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
3
2
1
低热阻
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
TO- 247AD （TO- 3P）
销1
3脚
销2
例
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.67 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 247AD （TO- 3P）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流（图1 ）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V40100PG
100
40
20
250
1.0
10 000
- 40 + 150
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
文档编号： 88972
修订： 26 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
V40100PG
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
V
F
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
100
0.490
0.572
0.731
0.42
0.50
0.67
8.4
7.4
I
R
40.5
18.2
马克斯。
-
-
-
0.81
V
-
-
0.73
300
15
500
35
A
mA
A
mA
单位
V
每个二极管的正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100PG
2.0
单位
° C / W
订购信息
首选的P / N
V40100PG-E3/45
单位重量（g ）
6.109
首选包装代码
45
基地数量
30/Tube
配送方式
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
16
D = 0.8
14
D = 0.5
D = 0.3
12
10
D = 0.1
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
5
10
15
20
25
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 0.2
D = 1.0
平均正向电流（ A）
30
20
10
外壳温度（ ° C）
平均功耗（ W）
40
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88972
修订： 26 08年5月
新产品
V40100PG
威世通用半导体
300
10 000
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
200
150
结电容（pF ）
250
1000
100
50
0
1
10
100
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
图6.典型结电容每二极管
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
结到外壳
1
T
J
= 25 °C
0.1
1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型正向特性每二极管
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
100
瞬时反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向特性每二极管
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3
新产品
V40100PG
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 247AD （TO- 3P）
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
30°
0.170
(4.3)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
0.142 (3.6)
0.138 (3.5)
10 °典型值。
两旁
0.078 （ 1.98 ） REF 。
10
1
2
3
0.086 (2.18)
0.076 (1.93)
0.127 (3.22)
0.118 (3.0)
0.108 (2.7)
1 ° REF 。
两旁
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.117 (2.97)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
销1
3脚
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
销2
例
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4
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
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（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
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