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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第37页 > V40100C
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.38 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
低热阻
2
V40100C
销1
3脚
销2
例
3
1
VF40100C
销1
3脚
销2
2
3
1
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
TO-263AB
K
K
TO-262AA
2
1
1
VB40100C
销1
销2
K
散热器
2
3
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
VI40100C
销1
3脚
销2
K
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.61 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V40100C
VF40100C
VB40100C
VI40100C
单位
V
A
A
V
°C
100
40
20
250
1500
- 40 + 150
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
R
= 1.0毫安
击穿电压
(2)
符号
典型值。
100
（最小）
105
（最小）
0.47
0.54
0.67
0.38
0.45
0.61
9
10
-
21
马克斯。
-
单位
T
A
= 25 °C
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
T
A
= 25 °C
V
BR
V
-
-
-
0.73
-
-
0.67
-
-
1000
45
每个二极管的正向电压
(1)
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
R
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100C
2.0
VF40100C
4.0
VB40100C
2.0
VI40100C
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40100C-E3/4W
VF40100C-E3/4W
VB40100C-E3/4W
VB40100C-E3/8W
VI40100C-E3/4W
单位重量（g ）
1.85
1.75
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
VI40100C
18
16
D = 0.8
平均正向电流（ A）
平均功耗（ W）
40
VB40100C
V40100C
VF40100C
14
12
10
8
6
4
2
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.5
30
D = 1.0
20
T
10
D =吨
p
/T
0
5
10
15
20
t
p
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
V(B,I)40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
100
T
A
= 150 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
10
1
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
1
VF40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容（pF ）
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
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3
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
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本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
新产品
V40100C ， VI40100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.38 V ，在我
F
= 5 A
特点
TMBS
TO-220AB
TO-262AA
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
K
2
V40100C
销1
3脚
3
1
VI40100C
销1
3脚
2
3
1
销2
例
销2
K
典型应用
为在高频DC / DC变换器使用，开关
电源，续流二极管， OR- ing二极管，和
电池反接保护。
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.61 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HM3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
每个器件
最大正向平均整流电流（图1）
每二极管
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
符号
V
RRM
V40100C
100
40
A
20
250
10 000
- 40 + 150
A
V / μs的
°C
VI40100C
单位
V
文档编号： 89162
修订： 23 -MAR- 11
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
新产品
V40100C ， VI40100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
每个二极管的正向电压
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
反向电流在额定V
R
每二极管
V
R
= 100 V
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R (2)
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
V
F (1)
符号
典型值。
0.47
0.54
0.67
0.38
0.45
0.61
9
10
-
21
马克斯。
-
-
0.73
V
-
-
0.67
-
-
1000
45
μA
mA
μA
mA
单位
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100C
2.0
VI40100C
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-220AB
TO-262AA
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
首选的P / N
V40100C-M3/4W
VI40100C-M3/4W
V40100CHM3/4W
(1)
VI40100CHM3/4W
(1)
单位重量（g ）
1.85
1.45
1.85
1.45
封装代码
4W
4W
4W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
管
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
文档编号： 89162
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订： 23 -MAR- 11
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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www.vishay.com
2
新产品
V40100C ， VI40100C
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
100
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
平均正向电流（ A）
40
30
1
T
A
= 100 °C
20
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
外壳温度（ ° C）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 4 - 典型的反向特性每二极管
18
16
D = 0.8
10 000
平均功耗（ W）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.5
D = 1.0
结电容（pF ）
25
1000
T
D =吨
p
/T
10
15
20
t
p
100
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向电压（ V）
图。 2 - 正向功率损耗特性每二极管
图。 5 - 典型结电容每二极管
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 典型的正向特性每二极管
文档编号： 89162
修订： 23 -MAR- 11
图。 6 - 每二极管典型的瞬态热阻抗
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0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
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