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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第1页 > V40100C-E3/4W
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.38 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
低热阻
2
V40100C
销1
3脚
销2
例
3
1
VF40100C
销1
3脚
销2
2
3
1
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
TO-263AB
K
K
TO-262AA
2
1
1
VB40100C
销1
销2
K
散热器
2
3
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
VI40100C
销1
3脚
销2
K
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.61 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V40100C
VF40100C
VB40100C
VI40100C
单位
V
A
A
V
°C
100
40
20
250
1500
- 40 + 150
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
R
= 1.0毫安
击穿电压
(2)
符号
典型值。
100
（最小）
105
（最小）
0.47
0.54
0.67
0.38
0.45
0.61
9
10
-
21
马克斯。
-
单位
T
A
= 25 °C
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
T
A
= 25 °C
V
BR
V
-
-
-
0.73
-
-
0.67
-
-
1000
45
每个二极管的正向电压
(1)
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
R
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100C
2.0
VF40100C
4.0
VB40100C
2.0
VI40100C
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40100C-E3/4W
VF40100C-E3/4W
VB40100C-E3/4W
VB40100C-E3/8W
VI40100C-E3/4W
单位重量（g ）
1.85
1.75
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
VI40100C
18
16
D = 0.8
平均正向电流（ A）
平均功耗（ W）
40
VB40100C
V40100C
VF40100C
14
12
10
8
6
4
2
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.5
30
D = 1.0
20
T
10
D =吨
p
/T
0
5
10
15
20
t
p
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
V(B,I)40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
100
T
A
= 150 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
10
1
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
1
VF40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容（pF ）
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
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3
新产品
V40100C ， VF40100C ， VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89042
修订： 26 08年5月
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
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本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
新产品
V40100C ， VB40100C ， VI40100C
www.vishay.com
威世通用半导体
超低V
F
= 0.38 V ，在我
F
= 5 A
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
TMBS
TO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
2
3
V40100C
销1
3脚
销2
例
1
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，每JESD
22 - B106 （用于TO- 220AB ， TO- 263AB和TO- 262AA
包）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
TO-263AB
K
K
TO-262AA
典型应用
对于高频转换器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
2
1
1
VB40100C
销1
销2
K
散热器
机械数据
2
3
案例：
TO- 220AB ， TO- 263AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
最大10英寸磅：安装扭矩
每
VI40100C
销1
3脚
销2
K
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.61 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V40100C
VB40100C
100
40
20
250
230
1.0
10 000
- 40 + 150
VI40100C
单位
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
非重复性雪崩能量
在T
J
= 25 ° C，L = 90 mH的二极管
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒， 1 kHz时，
T
J
= 38 ° C± 2°C的每二极管
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
A
mJ
A
V / μs的
°C
修订： 19 - OCT- 11
文档编号： 89042
1
您所在区域内的技术问题：
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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新产品
V40100C ， VB40100C ， VI40100C
www.vishay.com
威世通用半导体
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
100（最低）
105 （最低）
0.47
0.54
0.67
0.38
0.45
0.61
9
10
-
21
马克斯。
-
-
-
-
0.73
-
-
0.67
-
-
1000
45
μA
mA
μA
mA
V
单位
V
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
(2)
每正向电压
二极管
(1)
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100C
2.0
VB40100C
2.0
VI40100C
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40100C-E3/4W
VB40100C-E3/4W
VB40100C-E3/8W
VI40100C-M3/4W
单位重量（g ）
1.85
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
VI40100C
18
16
D = 0.8
平均正向电流（ A）
平均功耗（ W）
40
VB40100C
V40100C
VF40100C
14
12
10
8
6
4
2
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.5
30
D = 1.0
20
T
10
D =吨
p
/T
0
5
10
15
20
t
p
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图。 1 -
正向电流降额曲线
图。 2 -
正向功率损耗特性每二极管
修订： 19 - OCT- 11
文档编号： 89042
2
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新产品
V40100C ， VB40100C ， VI40100C
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威世通用半导体
10
100
正向电流（A ）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V(B,I)40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 -
典型的正向特性每二极管
图。 6 -
每二极管典型的瞬态热阻抗
100
100
T
A
= 150 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
10
1
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
1
VF40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 -
典型的反向特性每二极管
图。 7 -
每二极管典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容（pF ）
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图。 5 -
典型结电容每二极管
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包装外形尺寸
以英寸（毫米）
威世通用半导体
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
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推荐型号
VI-ARM-C22
V48B28C250BL
VCP3006X
V582ME12
V582ME18
V23092-A1005-A302
VBUS54DD-HS4-G4-08
VI-234-CU-BM
VI-22Y-EY-F2
VV244
VESD1-S12-D15-SIP
VHT1000M160
VE-HAM-IM
VN820
V23100-V4012B010
VOM617A-7T
V48A48C500BG
VSCD25
VPP10-1000
V375A12C600A2
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    V40100C-E3/4W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    V40100C-E3/4W
    -
    -
    -
    -
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    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
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    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    V40100C-E3/4W
    -
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    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
V40100C-E3/4W
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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地址：深圳华强北上步204栋520室
V40100C-E3/4W
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2322+
1175
射频微波器件
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深圳市腾昌芯科技有限公司
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电话：0755-28013727
联系人：朱先生
地址：深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
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23+
20000
NA
百分百原装现货，实单可谈！
深圳市宇明芯科技有限公司
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电话：0755-83051566
联系人：李小姐
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22+
32570
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进口原装公司现货
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电话：0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人：销售部
地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
V40100C-E3/4W
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000￥/片,普通
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
V40100C-E3/4W
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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▲10/11+
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北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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