R
EM微电子 -
MARIN SA
V3020
超低功耗1位32千赫的RTC
描述
在V3020是一款低功耗CMOS实时时钟。数据
如4个地址位和8个数据位，在串行发送
一行一个标准的并行数据总线。该装置是
通过片选（访问
CS）与读写控制
无论是通过定时提供
RD
和
WR
脉冲（英特尔CPU ）
或DS凭借先进的R /
W
（摩托罗拉CPU）。数据
同时在传统的3线串行传输
接口有CLK ，数据I / O和频闪。在V3020
没有繁忙的状态，有一个时钟的危险
更新而访问。
供电电流一般
390 nA的在V
DD
= 3.0V 。支持电池操作
完整的功能下降到1.2V 。振荡器
通常为0.3ppm / V 。
特点
电源电流通常390 nA的电压为3V
50 ns访问时间为50 pF负载电容
全面运行在1.2V至5.5V
无闲状态或时钟更新而危险
访问
在同一行一个标准的串行通信
并行数据总线或超过以往的3线串行
接口
接口与Intel和Motorola兼容
秒，分钟，小时，月日，月，年，
本周日和星期数BCD格式
闰年周数修正
时间设置锁定模式，以防止未经授权的设置
当前时间或日期
振荡器的稳定性0.3 PPM /伏
无需外部电容
频率测量和测试模式
温度范围： -40 ° C至+ 85°C
根据要求扩展级温度范围-40 ° C至
+125°C
引脚与V3021兼容
TSSO8和SO8封装
应用
电表
电池供电的便携设备
消费类电子产品
白色/黑色家电
付费电话
收银机
个人电脑
可编程控制器系统
数据记录仪
汽车系统
典型工作配置
或R /
引脚分配
or
中央处理器
SO8
XI
XO
地址
解码器
V
DD
WR
V3020
CS
RD
CS
V
SS
XI
V3020
XO
I / O
地址总线
RD
WR
I / O
数据总线
TSSO8
WR
RD
V
DD
XI
XO
CS
RD
WR
I / O
V3020
V
SS
CS
内存
图。 1
2005 ， EM微电子，马林SA
1
图。 2
www.emmicroelectronic.com
R
V3020
绝对最大额定值
参数
在V最大电压
DD
在V Minimun电压
DD
在任何的最大电压
信号引脚
在任何信号的最小电压
针
最大存储
温度
最低储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
3015.7方法与参考。到V
SS
最大的焊接条件
符号
V
DDMAX
V
DDMIN
V
最大
V
民
T
STOmax
T
STOmin
V
SMAX
T
SMAX
办理程序
条件
V
SS
+ 7.0V
V
SS
– 0.3V
V
DD
+ 0.3V
V
SS
– 0.3V
+150°C
-65°C
1000V
250℃ X 10秒
表1
该器件还内置了防静电高
电压或电场;但是，防静电措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生时
所有的端子电压被保持的电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑
电压电平。
工作条件
参数
符号
1)
工作温度
T
A
逻辑电源电压
V
DD
电源电压的dv / dt
（电&掉电）
去耦电容
水晶特点
2)
频率
f
负载电容
C
L
串联电阻
R
S
1)
民
-40
1.2
典型值
5.0
最大单位
+125 °C
5.5
V
6
V / μs的
nF
千赫
pF
100
32.768
8.2
35
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏该设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
7
12.5
50
k
表2
2)
最高工作温度是通过确认
取样在初始设备的资格。在生产中，
所有设备均在+ 85°C的测试。根据要求，设备
经过测试，在+ 125°C ，可提供。
参见图。五
电气特性（标准温度范围）
V
DD
= 5.0V ±10%, V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 85 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 3.0V ，地址0 = 0
T
A
= 0到+ ° 70℃的
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 5V ，地址0 = 0
T
A
= 0到+ ° 70℃的
动态电流
I
SS
I / O到V
SS
通过1M
RD
= V
SS
,
WR
= V
DD
,
CS = 4兆赫
地址0 = 0 ，读取所有0
输入/输出
输入逻辑低电平
V
IL
输入逻辑高
V
IH
输出逻辑低电平
V
OL
I
OL
= 4毫安
输出逻辑高电平
V
OH
I
OH
= 4毫安
输入漏
I
IN
0.0 < V
IN
＆ LT ; 5.0V
在I输出三态漏/ O
I
TS
CS高，地址0 ，第0位，低
针
振荡器
启动电压
V
STA
在十一输入电容
C
IN
T
A
= +25°C
在XO输出电容
C
OUT
T
A
= +25°C
启动时间
T
STA
频率稳定度
1.5
≤
V
DD
≤
5.5V ，T
A
= +25°C
f/f
频率测量模式
在I / O引脚的电流源
I
ONF
CS高， addr.0 ，位0 ，高
脉冲的开/关@ 256赫兹
V
I / O
= 1V
民
典型值
390
460
最大
600
490
800
600
300
单位
nA
nA
nA
nA
A
1.0
3.5
0.4
2.4
0.1
0.1
1.2
13
9
1
0.3
10
25
1
1
V
V
V
V
A
A
V
pF
pF
s
PPM / V
A
表3
0.5
60
2005 ， EM微电子，马林SA
2
www.emmicroelectronic.com
R
V3020
电气特性（扩展级温度范围）
V
DD
= 5.0V ±10%, V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 125 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 3.0V ，地址0 = 0
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
地址0 = 0
动态电流
I
SS
I / O到V
SS
通过1M
RD
= V
SS
,
WR
= V
DD
,
CS = 4兆赫
地址0 = 0 ，读取所有0
输入/输出
输入逻辑低电平
V
IL
输入逻辑高
V
IH
输出逻辑低电平
V
OL
I
OL
= 4毫安
输出逻辑高电平
V
OH
I
OH
= 4毫安
输入漏
I
IN
0.0 < V
IN
＆ LT ; 5.0V
在I输出三态漏/ O
I
TS
CS高，地址0 ，第0位，低
针
振荡器
启动电压
V
STA
电源电压的dV / dt （加电
+85°C
≤
T
A
≤
+125°C
高达&掉电）
在十一输入电容
C
IN
T
A
= +25°C
在XO输出电容
C
OUT
T
A
= +25°C
的串联电阻
R
S
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
水晶
1)
启动时间
T
STA
T
A
= +125°C
2.0
≤
V
DD
≤
5.5V ，T
A
= +25°C
频率稳定度
f/f
频率测量模式
在I / O引脚的电流源
I
ONF
CS高， addr.0 ，位0 ，高
脉冲的开/关@ 256赫兹
V
I / O
= 1V
1)
民
典型值
最大
4
7
300
单位
A
A
A
1.0
3.5
0.4
2.4
0.1
0.1
1.2
0.006
13
9
90
10
0.3
8
25
0.5
60
1
1
V
V
V
V
A
A
V
V / μs的
pF
pF
k
s
PPM / V
A
表4
6
做了分析，在高温下具有晶型微晶CX2V -02
2005 ， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
R
V3020
在V3020将运行稍微太快，以允许所述
用户调整的频率，取决于平均
工作温度。这是因为水晶制成
调整不仅可以通过降低频率与工作
XO和V之间的电容增加
SS
。打印
电路的电容也必须考虑到
考虑。在DIL 8封装的V3020 ，与运行
一个8.2 pF的晶体在室温下，将调整为
优于± 1秒/天， 6.8 pF电容。
典型待机电流在V
DD
= 3V
图。 3A
典型待机电流在V
DD
= 3V和扩展级温度
图。图3b
2005 ， EM微电子，马林SA
4
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R
V3020
典型待机电流在V
DD
= 5.5V
图。 4A
典型待机电流在V
DD
= 5.5V和扩展级温度
图。 4B
2005 ， EM微电子，马林SA
5
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V3020
超低功耗1位32千赫的RTC
描述
在V3020是一款低功耗CMOS实时时钟。数据
如4个地址位和8个数据位，在串行发送
一行一个标准的并行数据总线。该装置是
通过片选（访问
CS）与读写控制
无论是通过定时提供
RD
和
WR
脉冲（英特尔CPU ）
或DS凭借先进的R /
W
（摩托罗拉CPU）。数据
同时在传统的3线串行传输
接口有CLK ，数据I / O和频闪。在V3020
没有繁忙的状态，有一个时钟的危险
更新而访问。
供电电流一般
390 nA的在V
DD
= 3.0V 。支持电池操作
完整的功能下降到1.2V 。振荡器
通常为0.3ppm / V 。
特点
电源电流通常390 nA的电压为3V
50 ns访问时间为50 pF负载电容
全面运行在1.2V至5.5V
无闲状态或时钟更新而危险
访问
在同一行一个标准的串行通信
并行数据总线或超过以往的3线串行
接口
接口与Intel和Motorola兼容
秒，分钟，小时，月日，月，年，
本周日和星期数BCD格式
闰年周数修正
时间设置锁定模式，以防止未经授权的设置
当前时间或日期
振荡器的稳定性0.3 PPM /伏
无需外部电容
频率测量和测试模式
温度范围： -40 ° C至+ 85°C
根据要求扩展级温度范围-40 ° C至
+125°C
引脚与V3021兼容
TSSO8和SO8封装
应用
电表
电池供电的便携设备
消费类电子产品
白色/黑色家电
付费电话
收银机
个人电脑
可编程控制器系统
数据记录仪
汽车系统
典型工作配置
或R /
引脚分配
or
中央处理器
SO8
XI
XO
地址
解码器
V
DD
WR
V3020
CS
RD
CS
V
SS
XI
V3020
XO
I / O
地址总线
RD
WR
I / O
数据总线
TSSO8
WR
RD
V
DD
XI
XO
CS
RD
WR
I / O
V3020
V
SS
CS
内存
图。 1
2005 ， EM微电子，马林SA
1
图。 2
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V3020
绝对最大额定值
参数
在V最大电压
DD
在V Minimun电压
DD
在任何的最大电压
信号引脚
在任何信号的最小电压
针
最大存储
温度
最低储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
3015.7方法与参考。到V
SS
最大的焊接条件
符号
V
DDMAX
V
DDMIN
V
最大
V
民
T
STOmax
T
STOmin
V
SMAX
T
SMAX
办理程序
条件
V
SS
+ 7.0V
V
SS
– 0.3V
V
DD
+ 0.3V
V
SS
– 0.3V
+150°C
-65°C
1000V
250℃ X 10秒
表1
该器件还内置了防静电高
电压或电场;但是，防静电措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生时
所有的端子电压被保持的电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑
电压电平。
工作条件
参数
符号
1)
工作温度
T
A
逻辑电源电压
V
DD
电源电压的dv / dt
（电&掉电）
去耦电容
水晶特点
2)
频率
f
负载电容
C
L
串联电阻
R
S
1)
民
-40
1.2
典型值
5.0
最大单位
+125 °C
5.5
V
6
V / μs的
nF
千赫
pF
100
32.768
8.2
35
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏该设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
7
12.5
50
k
表2
2)
最高工作温度是通过确认
取样在初始设备的资格。在生产中，
所有设备均在+ 85°C的测试。根据要求，设备
经过测试，在+ 125°C ，可提供。
参见图。五
电气特性（标准温度范围）
V
DD
= 5.0V ±10%, V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 85 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 3.0V ，地址0 = 0
T
A
= 0到+ ° 70℃的
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 5V ，地址0 = 0
T
A
= 0到+ ° 70℃的
动态电流
I
SS
I / O到V
SS
通过1M
RD
= V
SS
,
WR
= V
DD
,
CS = 4兆赫
地址0 = 0 ，读取所有0
输入/输出
输入逻辑低电平
V
IL
输入逻辑高
V
IH
输出逻辑低电平
V
OL
I
OL
= 4毫安
输出逻辑高电平
V
OH
I
OH
= 4毫安
输入漏
I
IN
0.0 < V
IN
＆ LT ; 5.0V
在I输出三态漏/ O
I
TS
CS高，地址0 ，第0位，低
针
振荡器
启动电压
V
STA
在十一输入电容
C
IN
T
A
= +25°C
在XO输出电容
C
OUT
T
A
= +25°C
启动时间
T
STA
频率稳定度
1.5
≤
V
DD
≤
5.5V ，T
A
= +25°C
f/f
频率测量模式
在I / O引脚的电流源
I
ONF
CS高， addr.0 ，位0 ，高
脉冲的开/关@ 256赫兹
V
I / O
= 1V
民
典型值
390
460
最大
600
490
800
600
300
单位
nA
nA
nA
nA
A
1.0
3.5
0.4
2.4
0.1
0.1
1.2
13
9
1
0.3
10
25
1
1
V
V
V
V
A
A
V
pF
pF
s
PPM / V
A
表3
0.5
60
2005 ， EM微电子，马林SA
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V3020
电气特性（扩展级温度范围）
V
DD
= 5.0V ±10%, V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 125 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 3.0V ，地址0 = 0
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
地址0 = 0
动态电流
I
SS
I / O到V
SS
通过1M
RD
= V
SS
,
WR
= V
DD
,
CS = 4兆赫
地址0 = 0 ，读取所有0
输入/输出
输入逻辑低电平
V
IL
输入逻辑高
V
IH
输出逻辑低电平
V
OL
I
OL
= 4毫安
输出逻辑高电平
V
OH
I
OH
= 4毫安
输入漏
I
IN
0.0 < V
IN
＆ LT ; 5.0V
在I输出三态漏/ O
I
TS
CS高，地址0 ，第0位，低
针
振荡器
启动电压
V
STA
电源电压的dV / dt （加电
+85°C
≤
T
A
≤
+125°C
高达&掉电）
在十一输入电容
C
IN
T
A
= +25°C
在XO输出电容
C
OUT
T
A
= +25°C
的串联电阻
R
S
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
水晶
1)
启动时间
T
STA
T
A
= +125°C
2.0
≤
V
DD
≤
5.5V ，T
A
= +25°C
频率稳定度
f/f
频率测量模式
在I / O引脚的电流源
I
ONF
CS高， addr.0 ，位0 ，高
脉冲的开/关@ 256赫兹
V
I / O
= 1V
1)
民
典型值
最大
4
7
300
单位
A
A
A
1.0
3.5
0.4
2.4
0.1
0.1
1.2
0.006
13
9
90
10
0.3
8
25
0.5
60
1
1
V
V
V
V
A
A
V
V / μs的
pF
pF
k
s
PPM / V
A
表4
6
做了分析，在高温下具有晶型微晶CX2V -02
2005 ， EM微电子，马林SA
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V3020
在V3020将运行稍微太快，以允许所述
用户调整的频率，取决于平均
工作温度。这是因为水晶制成
调整不仅可以通过降低频率与工作
XO和V之间的电容增加
SS
。打印
电路的电容也必须考虑到
考虑。在DIL 8封装的V3020 ，与运行
一个8.2 pF的晶体在室温下，将调整为
优于± 1秒/天， 6.8 pF电容。
典型待机电流在V
DD
= 3V
图。 3A
典型待机电流在V
DD
= 3V和扩展级温度
图。图3b
2005 ， EM微电子，马林SA
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V3020
典型待机电流在V
DD
= 5.5V
图。 4A
典型待机电流在V
DD
= 5.5V和扩展级温度
图。 4B
2005 ， EM微电子，马林SA
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