【TransFeedAVX多层陶瓷瞬态电压抑制器TVS保护和EMI衰减的单芯片概述AVX结合了最佳的电】,IC型号V2F105A150Y2EDP,V2F105A150Y2EDP PDF资料,V2F105A150Y2EDP经销商,ic,电子元器件-51电子网

TransFeed

AVX多层陶瓷瞬态电压抑制器

TVS保护和EMI衰减的单芯片

概述

AVX结合了最佳的电气特性及其

TransGuard瞬态电压抑制器（ TVS ）及其

馈通电容集成到单芯片的先进设备，最先进的

过电压保护电路，并降低电磁干扰过

宽的频率范围。这种独特的组合

多层陶瓷结构的馈通的配置

给出了电路设计的单一芯片0805响应

瞬态事件的马歇尔比任何TVS器件快

KET今天，并提供显著的EMI衰减的时

关闭状态。

在并联电感的减少，属于典型的穿导的

相比的施工芯片施工时

标准TVS或陶瓷电容器芯片，给出了

TransFeed产品的两个非常重要的电气研华

产品关键词：（ 1 ）加快“导通”时间。计算响应时间

对<200皮秒不寻常与此设备，并测

sured反应时间范围从200 - 250皮秒。该

TransFeed “开启”的特点是不到一半的

等效TransGuard一部分 - TransGuards夹

瞬态电压比任何其他双极性TVS解决方案快

例如二极管; （2）第二电优点

下并联电感，再加最优系列

电感，是提高衰减特性

该TransFeed产品。不仅有显著

更大的衰减在更高的自谐振频率，

但滚降特性变得更平坦， result-

荷兰国际集团在EMI滤波在更广泛的光谱频率

特鲁姆。典型的应用包括在过滤/保护

单片机的I / O线，接口I / O口线，电源线

空调和功率调节。

原理图

OUT

电气模型

OUT

典型应用

指纹ID电路

磁场电路

液晶显示板驱动

其中，设计师关心的是两者的瞬态电压

保护和EMI衰减，无论是由于电

其电路的性能或因需要遵

具体的EMC规定， TransFeed产品是

理想的选择。

如何订购

压敏电阻

FEEDTHRU

电容

电压

05 = 5.6Vdc

09 = 9.0VDC

14 = 14.0VDC

18 = 18.0VDC

150

压敏电阻

夹紧

电压

150 = 18V

200 = 22V

300 = 32V

400 = 42V

500 = 50V

阻力

1 = 0.150欧姆

2 = 0.200欧姆

3 = 0.250欧姆

包装

CODE

件/卷

D = 1,000

R = 4,000

T = 10,000

芯片尺寸

2 = 0805

3 = 0612

数

分子

能源

等级

X = 0.05J

A = 0.1J

C = 0.3J

电容

公差

Y = +100/-50%

FEEDTHRU

当前

D = 500毫安

E = 750毫安

F = 1.0安培

终止完成

P =镍/锡合金（镀）

M =镍/锡铅（电镀）

TransFeed

AVX多层陶瓷瞬态电压抑制器

TVS保护和EMI衰减的单芯片

TRANSFEED电气规范

（ 0805芯片尺寸）

AVX

产品型号

V2F105A150Y2E _

V2F105C150Y1F _

V2F109A200Y2E _

V2F109C200Y1F _

V2F114A300Y2E _

V2F114C300Y1F _

V2F118A400Y2E _

V2F118C400Y1F _

V2F118X500Y3D _

V3F418A400Y3G _

V3F418C400Y3G _

工作工作击穿钳位最大

电压电压

电压

泄漏

（DC）的

（AC）的

当前

5.6

9.0

14.0

18.0

4.0

6.4

10.0

13.0

8.5±20%

12.7±15%

18.5±12%

25.5±10%

短暂

能源

等级

0.10

0.30

0.10

0.30

0.10

0.30

0.10

0.30

0.05

0.10

0.05

PEAK

当前

等级

120

典型

帽

800

2500

575

1800

300

900

200

500

150

阻力

0.200

0.150

0.200

0.150

0.200

0.150

0.200

0.150

0.250

0.200

0.250

最大

FEEDTHRU

当前

0.75

1.00

0.75

1.00

0.75

1.00

0.75

1.00

0.50

0.30

0.20

端接表面处理代码

包装代码

（DC）的

（AC）的

托尔

帽

DCR

直流工作电压（ V）

交流工作电压（ V）

典型击穿电压（V @ 1毫安

)

公差为±从典型的价值

钳位电压（V @ 1A 8x20μS ）

在工作电压最大漏电流（ μA ）

瞬态能量等级（J ， 10x1000μS ）

额定峰值电流（A ， 8x20μS ）

典型电容（pF） @ 1MHz至0.5 V

直流电阻（欧姆）

最大馈通电流（A ）

dB的衰减与频率

18LC

-10

18A

14A

-10

18C

-20

14C

-30

-40

（ dB）的

-40

-50

TransFeed 0.1J

TransFeed 0.3J

-30

（ dB）的

-60

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

TransFeed

AVX多层陶瓷瞬态电压抑制器

TVS保护和EMI衰减的单芯片

尺寸

0805

毫米（英寸）

1.143最大。

（ 0.045以下）

2.01 ± 0.20

1.25 ± 0.20

(0.079 ± 0.008) (0.049 ± 0.008)

0.46 ± 0.10

0.18 + 0.25 -0.08

0.25 ± 0.13

1.02 ± 0.10

0.23 ± 0.05

(0.018 ± 0.004) (0.007 + 0.010 -0.003) (0.010 ± 0.005) (0.040 ± 0.004) (0.009 ± 0.002)

推荐的焊盘布局

（典型尺寸）

0805

3.45 (0.136)

毫米（英寸）

1.02 (0.040)

0.51 (0.020)

0.76 (0.030)

1.27 (0.050)

0.46 (0.018)

4焊盘布局

输入

产量

TransFeed阵列 - V3F4系列

TVS保护和EMI衰减的4个元素的数组

V3F4

尺寸

1.60 ± 0.20

(0.063 ± 0.008)

毫米（英寸）

1.22最大。

（ 0.048最大。）

0.41 ± 0.10

(0.016 ± 0.004)

0.18

+0.25 -0.08

(0.007

+0.010 -0.003)

0.41 ± 0.10

(0.016 ± 0.004)

0.76 REF

（ 0.030 REF ）

3.25 ± 0.15

(0.128 ± 0.006)

毫米（英寸）

0.60 (0.024)

1.60 (0.064)

2.20 (0.088)

0.35 (0.014)

0.76 (0.030)

2.60 (0.104)

TransFeed

AVX多层陶瓷瞬态电压抑制器

TVS保护和EMI衰减的单芯片

性能特点

插入损耗比较

（ TransFeed VS TransGuard ）

0805 - 分贝与频率

-10

-20

（ dB）的

-30

-40

-50

V2F105A150Y2E

-60

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

-10

-20

（ dB）的

-30

-40

-50

V2F118A400Y2E

-60

0.01

0.1

频率（GHz ）

5.6V ， 0.3J

（ dB）的

18V ， 0.1J

VC080518A400

-10

-20

-30

-40

-50

-60

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

-10

VC080505C150

-20

（ dB）的

-30

-40

-50

V2F105C150Y1F

-60

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

18V ， 0.3J

VC080518C400

-10

-20

（ dB）的

-30

-40

-50

V2F118C400Y1F

-60

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

-60

-70

0.01

0.1

频率（GHz ）

-20

-30

-40

-50

V2F114C300Y1F

14V ， 0.3J

VC080514C300

V2F118X500Y3D

-50

V2F114A300Y2E

-60

0.01

0.1

频率（GHz ）

18V ， 0.05J

VC08LC18A500

5.6V ， 0.1J

VC080505A150

-10

-20

-30

-40

14V ， 0.1J

VC080514A300

-10

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