茂矽
V29C51002T/V29C51002B
2兆位（ 262144 ×8位）
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
s
256Kx8位组织
地址访问时间： 55 ， 90纳秒
单5V
±
10 ％的电力供应
扇区擦除模式操作
16KB的引导块（锁定）
每个扇区512字节， 512个扇区
- 扇区擦除周期时间： 10毫秒（最大值）
- 字节写周期时间： 20
S（最大）
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流： 20毫安（典型值）
- 活动程序电流： 30毫安（典型值）
- 待机电流： 100
A（最大值）
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于3.5V
自定时写/擦除操作与结束赛扬的
CLE检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- V29C51002T （顶部引导块）
- V29C51002B （底部引导块）
包：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚PLCC
s
s
s
s
s
s
s
该V29C51002T / V29C51002B是高速
262,144 ×8位CMOS闪存。写作或
擦除设备与单5伏完成
电源。该设备有独立的芯片使能
CE，写使能WE和输出使能OE
控制，以消除总线争用。
该V29C51002T / V29C51002B提供combi-
的国家：引导块与扇区擦除/写
模式。写/擦除周期结束时由检测
我DATA轮询/ O
7
或切换位I / O
6
.
该V29C51002T / V29C51002B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从位于任一在被保护的扇区的引导
顶（ V29C51002T ）或底部（ V29C51002B ） 。
所有的输入和输出的CMOS和TTL
兼容。
该V29C51002T / V29C51002B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
s
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
P
T
J
访问时间（纳秒）
55
90
温度
标志
空白
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
1
茂矽
V29C51002T/V29C51002B
V
29
C
51 002
T
–
工作电压
51: 5V
设备
55 ： 55ns
90 ：为90ns
速度
P = PDIP
T = TSOP -I
J = PLCC
PKG 。
温度。
空（ 0 ° C至70 ° C）
BOOT块位置
T：顶部
B：底部
51002-01
销刀豆网络gurations
V
CC
WE
A
12
A
15
A
16
NC
N / C
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
32引脚PDIP
26
顶视图
25
24
23
22
21
20
19
18
17
51002-02
引脚名称
A
17
V
CC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A
0
–A
17
I / O
0
-I / O
7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5V
±
10 ％的电力供应
地
无连接
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
GND
NC
32引脚PLCC
顶视图
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
GND
I / O
6
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
51002-03
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
N / C
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP I
标准引脚
顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
51002-04
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
2
茂矽
功能框图
V29C51002T/V29C51002B
X解码器
2,097,152位
存储单元阵列
A
0
–A
17
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE
OE
WE
控制逻辑
I / O缓冲器&数据锁存器
I / O
0
-I / O
7
51002-07
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值。
6
8
8
马克斯。
8
12
10
单位
pF
pF
pF
注意：
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
2. T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5V
±
的10％中，f = 1兆赫。
闭锁特性
(1)
参数
输入电压相对于GND上的
9
， OE
输入电压相对于GND的I / O地址或控制引脚
V
CC
当前
注意：
1.包括除V所有引脚
CC
。测试条件： V
CC
= 5V ，一个销的时间。
分钟。
-1
-1
-100
马克斯。
+13
V
CC
+ 1
+100
单位
V
V
mA
AC测试负载
+5.0 V
IN3064
或同等学历
设备下
TEST
IN3064或等效
C
L
= 100 pF的
6.2 k
IN3064或等效
IN3064或等效
51002-08
2.7 k
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
3
茂矽
绝对最大额定值
(1)
符号
V
IN
V
IN
V
CC
T
英镑
T
OPR
I
OUT
V29C51002T/V29C51002B
参数
输入电压（输入或I / O引脚）
输入电压（A
9
针， OE ）
电源电压
存储Temerpature （塑胶）
工作温度
短路电流
(2)
广告
-2至+7
-2到+13
-0.5到+5.5
-65到+125
0至+70
200 （最大）。
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
注意：
1.应力大于上市下“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.不超过一个输出短路可能的时间和不超过一秒钟的。
DC电气特性
（在商业经营范围）
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC1
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
读电流
测试条件
V
CC
= V
CC
分钟。
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IN
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
OUT
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
CC
= V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -400
A
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
，所有I / O开放，
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 /吨
RC
分，
V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = WE = VIL ， OE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
CC
– 0.3V, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
， A9 = V
H
马克斯。
分钟。
—
2
—
—
—
2.4
—
马克斯。
0.8
—
±
1
±
10
0.4
—
40
单位
V
V
A
A
V
V
mA
I
CC2
I
SB
I
SB1
V
H
I
H
写入电流
TTL待机电流
CMOS待机电流
设备ID的电压对于A
9
设备ID的电流，以
9
—
—
—
11.5
—
50
2
100
12.5
50
mA
mA
A
V
A
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
4
茂矽
AC电气特性
（在所有温度范围）
读周期
参数
名字
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
DF
t
OH
V29C51002T/V29C51002B
-55
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
CE低到输出有效
OE低到输出有效
OE或CE高到输出中高Z
从地址变更输出保持
-90
马克斯。
—
55
55
25
—
—
30
—
分钟。
55
—
—
—
0
0
0
0
分钟。
90
—
—
—
0
0
0
0
马克斯。
—
90
90
45
—
—
40
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
计划（擦除/编程）循环
参数
名字
参数
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
OES
t
OEH
t
WP
t
WPH
t
DS
t
DH
t
WHWH1
t
WHWH2
t
WHWH3
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
OE建立时间
OE高保持时间
WE脉冲宽度
WE脉冲宽度高
数据建立时间
数据保持时间
编程周期
扇区擦除周期
芯片擦除周期
-55
-90
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
55
0
35
0
0
0
0
30
20
25
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
10
—
90
0
45
0
0
0
0
45
30
30
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
10
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ms
美国证券交易委员会
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
5
茂矽
V29C51002T/V29C51002B
2兆位（ 262144 ×8位）
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
s
256Kx8位组织
地址访问时间： 55 ， 90纳秒
单5V
±
10 ％的电力供应
扇区擦除模式操作
16KB的引导块（锁定）
每个扇区512字节， 512个扇区
- 扇区擦除周期时间： 10毫秒（最大值）
- 字节写周期时间： 20
S（最大）
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流： 20毫安（典型值）
- 活动程序电流： 30毫安（典型值）
- 待机电流： 100
A（最大值）
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于3.5V
自定时写/擦除操作与结束赛扬的
CLE检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- V29C51002T （顶部引导块）
- V29C51002B （底部引导块）
包：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚PLCC
s
s
s
s
s
s
s
该V29C51002T / V29C51002B是高速
262,144 ×8位CMOS闪存。写作或
擦除设备与单5伏完成
电源。该设备有独立的芯片使能
CE，写使能WE和输出使能OE
控制，以消除总线争用。
该V29C51002T / V29C51002B提供combi-
的国家：引导块与扇区擦除/写
模式。写/擦除周期结束时由检测
我DATA轮询/ O
7
或切换位I / O
6
.
该V29C51002T / V29C51002B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从位于任一在被保护的扇区的引导
顶（ V29C51002T ）或底部（ V29C51002B ） 。
所有的输入和输出的CMOS和TTL
兼容。
该V29C51002T / V29C51002B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
s
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
P
T
J
访问时间（纳秒）
55
90
温度
标志
空白
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
1
茂矽
V29C51002T/V29C51002B
V
29
C
51 002
T
–
工作电压
51: 5V
设备
55 ： 55ns
90 ：为90ns
速度
P = PDIP
T = TSOP -I
J = PLCC
PKG 。
温度。
空（ 0 ° C至70 ° C）
BOOT块位置
T：顶部
B：底部
51002-01
销刀豆网络gurations
V
CC
WE
A
12
A
15
A
16
NC
N / C
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
32引脚PDIP
26
顶视图
25
24
23
22
21
20
19
18
17
51002-02
引脚名称
A
17
V
CC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A
0
–A
17
I / O
0
-I / O
7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5V
±
10 ％的电力供应
地
无连接
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
GND
NC
32引脚PLCC
顶视图
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
GND
I / O
6
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
51002-03
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
N / C
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP I
标准引脚
顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
51002-04
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
2
茂矽
功能框图
V29C51002T/V29C51002B
X解码器
2,097,152位
存储单元阵列
A
0
–A
17
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE
OE
WE
控制逻辑
I / O缓冲器&数据锁存器
I / O
0
-I / O
7
51002-07
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值。
6
8
8
马克斯。
8
12
10
单位
pF
pF
pF
注意：
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
2. T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5V
±
的10％中，f = 1兆赫。
闭锁特性
(1)
参数
输入电压相对于GND上的
9
， OE
输入电压相对于GND的I / O地址或控制引脚
V
CC
当前
注意：
1.包括除V所有引脚
CC
。测试条件： V
CC
= 5V ，一个销的时间。
分钟。
-1
-1
-100
马克斯。
+13
V
CC
+ 1
+100
单位
V
V
mA
AC测试负载
+5.0 V
IN3064
或同等学历
设备下
TEST
IN3064或等效
C
L
= 100 pF的
6.2 k
IN3064或等效
IN3064或等效
51002-08
2.7 k
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
3
茂矽
绝对最大额定值
(1)
符号
V
IN
V
IN
V
CC
T
英镑
T
OPR
I
OUT
V29C51002T/V29C51002B
参数
输入电压（输入或I / O引脚）
输入电压（A
9
针， OE ）
电源电压
存储Temerpature （塑胶）
工作温度
短路电流
(2)
广告
-2至+7
-2到+13
-0.5到+5.5
-65到+125
0至+70
200 （最大）。
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
注意：
1.应力大于上市下“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.不超过一个输出短路可能的时间和不超过一秒钟的。
DC电气特性
（在商业经营范围）
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC1
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
读电流
测试条件
V
CC
= V
CC
分钟。
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IN
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
OUT
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
CC
= V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -400
A
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
，所有I / O开放，
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 /吨
RC
分，
V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = WE = VIL ， OE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
CC
– 0.3V, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
， A9 = V
H
马克斯。
分钟。
—
2
—
—
—
2.4
—
马克斯。
0.8
—
±
1
±
10
0.4
—
40
单位
V
V
A
A
V
V
mA
I
CC2
I
SB
I
SB1
V
H
I
H
写入电流
TTL待机电流
CMOS待机电流
设备ID的电压对于A
9
设备ID的电流，以
9
—
—
—
11.5
—
50
2
100
12.5
50
mA
mA
A
V
A
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
4
茂矽
AC电气特性
（在所有温度范围）
读周期
参数
名字
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
DF
t
OH
V29C51002T/V29C51002B
-55
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
CE低到输出有效
OE低到输出有效
OE或CE高到输出中高Z
从地址变更输出保持
-90
马克斯。
—
55
55
25
—
—
30
—
分钟。
55
—
—
—
0
0
0
0
分钟。
90
—
—
—
0
0
0
0
马克斯。
—
90
90
45
—
—
40
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
计划（擦除/编程）循环
参数
名字
参数
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
OES
t
OEH
t
WP
t
WPH
t
DS
t
DH
t
WHWH1
t
WHWH2
t
WHWH3
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
OE建立时间
OE高保持时间
WE脉冲宽度
WE脉冲宽度高
数据建立时间
数据保持时间
编程周期
扇区擦除周期
芯片擦除周期
-55
-90
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
55
0
35
0
0
0
0
30
20
25
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
10
—
90
0
45
0
0
0
0
45
30
30
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
10
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ms
美国证券交易委员会
2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
5
QQ：2880707522 复制
