新产品
V12P12
威世通用半导体
高电流密度表面贴装
Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.51 V ，在我
F
= 6 A
特点
TMBS
K
ESMP
TM
系列
非常低调 - 1.1 mm典型的高度
适合自动放置
沟道MOS肖特基技术
1
2
TO- 277A （ SMPC ）
K
阴极
阳极1
阳极2
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
无卤
12 A
120 V
150 A
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
在我
F
= 12 A
T
J
马克斯。
机械数据
案例：
TO- 277A （ SMPC ）
塑封料符合UL 94V- 0可燃性
投资评级。
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，
商业级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3和M3后缀符合JESD 201级1A晶须
TEST
100兆焦耳
0.63 V
150 °C
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器和极性
保护应用。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量
在我
AS
= 2.0 A，L = 50毫亨，T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
T
J,
T
英镑
符号
V12P12
V1212
120
12
150
100
- 40 + 150
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号： 89094
修订： 29 -JUL- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
新产品
V12P12
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 6 A
I
F
= 12 A
I
F
= 6 A
I
F
= 12 A
V
R
= 90 V
反向电流
(2)
V
R
= 120 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
120 （最小）
0.57
0.72
0.51
0.63
13
7
I
R
50
16
马克斯。
-
-
0.80
V
-
0.70
-
-
500
50
A
mA
A
mA
单位
V
正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
注意：
（ 1 ）单位安装在推荐P.C.B. 1盎司焊盘布局
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
V12P12
60
4
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
V12P12-E3/86A
V12P12-E3/87A
V12P12-M3/86A
V12P12-M3/87A
单位重量（g ）
0.10
0.10
0.10
0.10
首选包装代码
86A
87A
86A
87A
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
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2
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新产品
V12P12
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
14
100
负载电阻或电感
12
10
8
6
4
2
0
100
T
L
测
在阴极频带终端
正向平均整流电流（ A）
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
0.1
0.01
T
A
= 25 °C
0.001
110
120
130
140
150
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向特性
11
10
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.5 D = 0.8
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 0.1
D = 1.0
结电容（pF ）
平均功耗（ W）
9
100
10
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型结电容
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
结到环境
1
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
10
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性
图6.典型结电容
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修订： 29 -JUL- 08
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3
新产品
V12P12
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 277A （ SMPC ）
0.187 (4.75)
0.175 (4.45)
K
0.016 (0.40)
0.006 (0.15)
0.262 (6.65)
0.250 (6.35)
0.242 (6.15)
0.238 (6.05)
0.026 (0.65)
喃。
2
1
0.171 (4.35)
0.167 (4.25)
0.146 (3.70)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.047 (1.20)
0.039 (1.00)
贴装焊盘布局
0.189
分钟。
(4.80)
0.189 (4.80)
0.173 (4.40)
0.155 (3.94)
喃。
0.030 (0.75)
喃。
0.268
(6.80)
0.186
分钟。
(4.72)
0.049 (1.24)
0.037 (0.94)
0.084 (2.13)
喃。
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.041
(1.04)
0.050
分钟。
(1.27)
0.055
分钟。
(1.40)
符合JEDEC TO- 277A
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日前，Vishay
放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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