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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第206页 > V048F020T080
VTM系列
3 0 0 WDC / DCVO LTA GETRANSFORM AT IONMODULEPRELIMINARY
模块
特点
输入电压48 VI晶片转换器。
>92 %的效率在1.5V 。
高达100 A / 300 W.
125°C操作。
高密度 - /高达365 A的
3
( 1095瓦/平方厘米
3)
.
1微秒的瞬态响应。
占地面积小: 1.1in
2
(7.1cm
2
).
>3500000小时MTBF。
低重量 - 0.5盎司(14克)。
J引线封装。
挑&地点/ SMD兼容。
电压转换模块( VTM )
产品说明
在V I晶片电压转换模块( VTM)打破了速度,密度和效率的记录,以满足先进的DSP需求, FPGA , ASIC ,
处理器内核和微处理器的应用在负载(POL)的点,同时提供隔离从输入到输出。它实现了更少的响应时间
不到1微秒,并提供高达100 A小于0.25立方英寸以前所未有的效率体积。
VTM一样可以并联提供数百安培的输出电压可设置为0.8至55伏直流。
在V I晶片功率封装,也只有0.25" (6毫米)低调过板。 VTM的快速动态响应和低噪声消除需要
大电容的负载,显着增加的POL密度,同时提高可靠性和降低成本。
零件编号
您可靠的电源伙伴 - www.powerbox.com.au
225
VTM
VTM
TM
当前MULTIPLIER
48 V至2 V V I晶片
TM
变流器
80.0 A( 120.0一种1毫秒)
高密度 - 271 A /中
3
占用空间小 - 70 A /中
2
低体重 - 0.5盎司(15克)
匹克&地点/ SMD
或通孔
125 ° C温度范围(T
J
)
1微秒的瞬态响应
3.5万小时MTBF
典型效率91 %
无需输出滤波
V048F020T080
V048F020M080
VF = 26.0 - 55 V
V
OUT
= 1.09 - 2.29 V
I
OUT
= 80.0 A
K = 1/24
R
OUT
= 1.5 m
最大
产品说明
该V048F020T080 V I晶片电压转换
模块擅长的速度,密度和效率,以满足
先进的电源应用而需求
提供隔离从输入到输出。它实现了
不到1微秒的响应时间,提供高达80.0
在一个体积小于0.295
3
以前所未有
效率。它可以并联以提供更高的功率
水平的输出电压可设定在1.09至2.29伏。
该VTM V048F020T080的额定输出电压为2
从48伏直流输入比母线,VF是VDC
可控的自1.09至2.29伏,在空载,并且从
0.970到2.18伏在满负荷,过的Vf的输入范围
26.0至55伏直流电。它可以被操作开环或
视器的输出调节需求的闭环
该应用程序。操作开环时,输出电压
跟踪其Vf的输入电压与变比,
K = 1/24 ,用于需要隔离的输出应用
电压,效率高。闭环回一个
输入PRM
TM
调节器或DC -DC转换器能够紧
负载调整率。
在2 V VTM达到271 A的电流密度/中
3
in
一个V I晶片封装与标准兼容的接机和 -
放置和表面安装装配工艺。在VTM的
动态响应速度快,低噪音消除
需要大容量电容的负载,基本上
提高系统密度,同时提高可靠性
并降低成本。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
电脑-IN
VC以-IN
+ OUT到-OUT
隔离电压
输出电流
峰值输出电流
输出功率
峰值输出功率
外壳温度
工作结温
储存温度
注意:
(1)引用结被定义为具有最高温度的半导体。
该温度是由一个关断比较监测。
(1)
-1.0到60
100
-0.3 7.0
-0.3 19.0
-0.5到4.0
2,250
80.0
120.0
174
262
225
-40至125
-55至125
-40至125
-65至125
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
A
A
W
W
°C
°C
°C
°C
°C
笔记
为100毫秒
输入到输出
连续
对于1毫秒
连续
对于1毫秒
在回流MSL 5
T-级
M-级
T-级
M-级
零件编号
V
电压
转型
模块
048
输入电压
代号
F
020
输出电压
代号
(=V
OUT
x10)
T
080
输出电流
代号
(=I
OUT
)
CON组fi guration
F = J引线
T为通孔
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储操作(T
J
)
T
-40 to125 -40 to125
M
-65 to125 -55 to125
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800-735-6200
V I晶片电压转换模块
V048F020T080
修订版2.6
分页: 11 1
电气规格
输入规格
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入过压开启
输入过压关断
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
内部输入电感
170
4.5
4.0
5
6.2
56.0
59.5
3.8
V I晶片电压转换模块
26.0
典型值
48
最大
55
1
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
ADC
毫安P-P
W
F
nH
最大VIN = 53 V, -55° C到-40°C
使用测试电路在图15中;见图1
输出规格
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输出电压
额定直流电流
重复峰值电流
短路保护设定点
当前股价精度
效率
半载
满载
内部输出电感
内部输出电容
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
100 μF旁路电容
有效开关频率
线路调整
K
负载调整率
R
OUT
瞬态响应
电压过冲
响应时间
恢复时间
104
5
91.5
91.3
91.4
91.2
0.8
306
2.3
55
2.5
0.0413
2
2.7
1/24
1.3
20
200
1
150
2.8
0.0421
1.5
mV
ns
s
10
1.09
0.970
0
典型值
最大
2.29
2.18
80.0
120.0
单位
VDC
VDC
ADC
A
ADC
%
%
%
nH
F
VDC
MVP -P
MVP -P
兆赫
空载
满载
26.0 - 55 V
IN
最大脉冲宽度为1ms ,最大占空比10% ,
基准电源50 %
模块将关闭
见并联运行的第9页
见图3
见图3
有效值
模块将关闭
见图2和5
参见图6
每相固定, 1.3兆赫
V
OUT
= K V
IN
在无负载
见图16
80.0与100 μF C A负载阶跃
IN
;参见图7和8
参见图7和8
参见图7和8
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V I晶片电压转换模块
V048F020T080
修订版2.6
第11 2
电气规格
(续)
波形
纹波与输出电流
60
输出纹波( mVpk -PK )
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
输出电流(A )
图1
- 输入反映在满负荷和48 Vf的纹波电流。
图2
- 输出电压纹波与输出电流在48 Vf的,没有POL
旁路电容。
EF网络效率与输出电流
94
16
功耗
14
12
10
8
6
4
2
2.0 V
1.8 V
1.5 V
92
效率(%)
90
88
86
84
0
10
20
30
40
50
60
70
80
2.0 V
1.8 V
1.5 V
功耗( W)
0
0
8
16
24
32
40
48
56
64
72
80
输出电流(A )
科幻gure 3
- 效率与输出电流。
输出电流(A )
图4
- 功耗与输出电流。
图5
- 输出电压纹波在满载和48 Vf的,没有POL旁路
电容。
图6
- 输出电压纹波在满载和48 Vf的100 μF
陶瓷POL旁路电容和20 nH的分布电感。
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V I晶片电压转换模块
V048F020T080
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第11 3
电气规格
(续)
V I晶片电压转换模块
图7
- 0-80.0 100 μF的输入电容和负载阶跃无
输出电容。
图8
- 80.0-0 100 μF的输入电容和负载阶跃无
输出电容。
一般
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
绝缘特性
电压
电容
阻力
机构认证
机械
重量
尺寸
宽度
高度
施加情况下的峰值压缩力( Z轴)的
过温关闭
热容量
结到外壳的热阻(R
θJC
)
结到电路板的热阻抗(R
θJB
)
典型值
3.5
最大
单位
MHrs
VDC
pF
25 ° C, GB
输入到输出
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950-1 , EN 60950-1
低电压指令
见机械制图,图10 - 13
2,250
2,500
10
cTUVus等
CE标志
RoHS指令
0.53/15
1.28/ 32,5
0.87 / 22
0.265/ 6,73
5
125
130
9.3
1.1
2.1
盎司/克
在/毫米
在/毫米
在/毫米
磅。
°C
WS / ℃,
C / W
C / W
6
135
仅支持J-导致
结温
辅销
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
主控制( PC )
直流电压
模块禁止电压
模块使能电压
电流限制
关闭延迟时间
VTM控制( VC )
外部升压
外部升压时间
4.8
2.4
2.4
5.0
2.5
2.5
2.5
10
14
10
5.2
2.6
2.9
VDC
VDC
VDC
mA
s
VDC
ms
典型值
最大
单位
当模块使用个人电脑启动的VC的电压必须施加
唯一来源
PC低到VOUT低
需要VTM启动无PRM
VIN > 26.0伏。 VC必须连续地施加
如果输入电压< 26.0伏。
12
19
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V I晶片电压转换模块
V048F020T080
修订版2.6
第11 4
PIN /控制功能
在+ / - 在直流电压端口
VTM的输入不得超过规定的最大值。知道
此限制的应用中的VTM被上述驱动其
额定输出电压。如果小于26伏直流存在于+ In和-In
港口,连续VC电压必须申请了VTM处理
力。否则VC的电压只需要施加后10毫秒
电压在+ IN和-IN端口已达到或超过26伏直流电。如果
输入电压超过过压关断时, VTM将关闭。
该VTM不具有内部输入反接保护。
加入适当大小的二极管串联在正输入端或一
融合反并联二极管将提供反向极性保护。
TM - 仅适用于厂家
-OUT
4
A
3
2
1
A
B
C
D
E
+ OUT
B
C
D
E
+ IN
-OUT
F
G
H
H
J
J
K
K
TM
VC
PC
+ OUT
L
M
N
P
R
T
L
M
N
P
R
T
-IN
VC - VTM控制
在VC端口复用。它接收到的初始V
CC
从电压
上游PRM ,同步VTM与输出上升
该PRM的输出上升。此外, VC端口提供反馈
在PRM来补偿VTM的输出电阻。在典型的
应用VTM从的PRM供电的应用中, PRM之VC埠
应连接到VTM VC的端口。
在应用中,一个VTM正在没有PRM使用, 14 V绝
要提供给VC的端口为只要输入电压低于26V的
和10毫秒后的输入电压已达到或超过26伏。
VTM不适用于低于26 V的VC端口扩展操作
应仅被用于提供V
CC
电压施加到VTM启动期间。
PC - 主控制
图9
- VTM引脚配置
底部视图
信号名称
+ IN
In
TM
VC
PC
+ OUT
Out
引脚名称
A1 -E1 , A2 -E2
L1 -T1 , L2 -T2
H1, H2
J1, J2
K1, K2
A3 D3 ,A4 D4 ,
J3 -M3 , J4 -M4
E3 - H3 , E4 -H4 ,
N3- T3, N4 -T4
主控制( PC)的端口是用于控制一个多功能端口
VTM如下:
禁用 - 如果PC被悬空, VTM输出使能。对
禁止输出, PC端口必须被拉到低于2.4 V ,
参考-In 。光电耦合器,开路集电极晶体管或继电器
可用于控制PC端口。一旦停用, 14 V必须是
重新施加到VC端口重启VTM 。
主要的辅助电源 - PC机端口都可以输出高达2.4毫安
在5伏直流电。
+输出/ -Out直流电压输出端口
输出和输出回波是由两组接触
位置。各+ Out和-Out组必须在连接
与低互连电阻尽量平行。内
指定的输入电压范围,如图1级DC的行为模式
在图16中定义的VTM的输出电压。电流源
在VTM的能力显示在规格表。
要利用VTM的充分利用,用户应注意低输出
阻抗器件。低输出阻抗提供快速
而不需要大容量的POL电容的瞬态响应。 Limited-
与传统的转换器所需的生活电解电容即可
减少甚至消除,节省成本和宝贵的电路板空间。
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V I晶片电压转换模块
V048F020T080
修订版2.6
第11个5
V
I晶片PRM稳压器
和VTM电流倍增器
TM
TM
TM
美国专利。上市对包装材料&数据表
6,73
0.265
In
+ IN
VICOR公司
MADE IN USA
0816
正弦振幅转换器( VTM )
ZVS降压 - 升压型稳压器( PRM )
法规0.2 % (遥感)
占地面积小: 1.1
in
2
或0.55
2
效率高达97 %
低调0.265 “
功率密度> 1000W /中
3
PC VC TM
22,0
0.87
RoHS指令
22,0
0.87
S
C
NRTL
S
US
RoHS指令
C
NRTL
US
制作
IN
美国
美国专利。上市对包装材料&数据表
Out
+ OUT
Out
+ OUT
16,5
0.65
半片
mm
in
32,5
1.28
全片
产品说明
在PRM是一种非常有效的非隔离式稳压器能够既升压和补偿宽范围的输入电压,并提供一个
稳压,输出电压可调或“比母线” 。的PRM可用于独立的非隔离电压调节器或
结合VTM一样,用较高的效率和功率密度的完全隔离的DC-DC溶液。该VTM提供
点-的负荷,固定比率电压转换极快的瞬态响应和隔离到2250伏。
PRM型号
号码*
P024F048T12AL
P036F048T12AL
P045F048T17AL
P045F048T32AL
P048F048T12AL
P048F048T24AL
输入电压
喃。
(V)
24
36
45
45
48
48
输入电压
范围
(V)
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 48
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
范围
(V)
18 - 36
18 - 60
38 – 55
38 - 55
36 – 75
36 - 75
输出继电器的电压
范围
(V)
26 - 55
26 - 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
26 – 55
产量
功率最大。
(W)
120
120
170
320
120
240
产量
电流最大。
(A)
100
50
80
40
70
50
25
40
20
30
25
25
10
15
12
9
6
产量
电流最大。
(A)
2.5
2.5
3.5
6.67
2.5
5.0
温度。
GRADE
T
T
T
T
T
T
VTM型号
号码*
V048F015T100
VIV0102THJ
V048F020T080
VIV0103THJ
V048F030T070
V048F040T050
VIV0104THJ
V048F060T040
VIV0105THJ
V048F080T030
V048F096T025
V048F120T025
VIV0101THJ
V048F160T015
V048F240T012
V048F320T009
V048F480T006
输出电压
范围
(V)
0.81 – 1.72
0.81 – 1.72
1.08 – 2.29
1.08 – 2.29
1.63 – 3.44
2.17 – 4.58
2.17 – 4.58
3.25 – 6.88
3.25 – 6.88
4.33 – 9.17
6.40 – 11.00
6.50 – 13.75
6.50 – 13.75
8.67 – 18.33
14.00 – 26.50
17.33 – 36.67
26.00 – 55.00
温度。
GRADE
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
*也可在通孔和M级的全尺寸模型。
典型应用
美国专利。上市对包装材料&数据表
美国专利。上市对包装材料&数据表
0816
AP8265VIDE323P
VIV0101THJ
12 V, 10 A
P048F048T24AL
CD NC操作系统SG SC VH
AP8942PRK256682
CD NC操作系统SG SC VH
P048F048T24AL
AP8942PRK256682
PR NC IL TM PC VC
PR NC IL TM PC VC
V048F030T070
VICOR公司
MADE IN USA
AP3826PRJ836337
VICOR公司
MADE IN USA
VICOR公司
MADE IN USA
美国专利。上市对包装材料&数据表
美国专利。上市对包装材料&数据表
美国专利。上市对包装材料&数据表
+ OUT
US
+ IN
US
NRTL
NRTL
S
US
C
PC VC TM
+ OUT
+ OUT
+ OUT
38 – 55 V
12 V , 25 A
36 – 75 V
RoHS指令
Out
RoHS指令
+ IN
+ IN
RoHS指令
PRM
PRM
VTM
In
Out
Out
Out
In
In
0816
制作
IN
美国
S
NRTL
S
C
C
C
NRTL
S
US
RoHS指令
AP8265VIDE323P
VIV0101THJ
-12 V , 8的
图1
- 典型应用
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800-735-6200
修订版1.7
9/2009
第1页2
制作
IN
美国
C
NRTL
S
US
RoHS指令
VTM机械外形图
PRM机械外形图
推荐地格局
( COMPONENT端)
推荐地格局
( COMPONENT端)
底部视图
注意事项:
mm
1尺寸为I H
底部视图
注意事项:
mm
1.尺寸为英寸。
2.除非另有规定,公差为:
.X / [.XX] = +/-0.25 / [.01]; .XX / [.XXX] = +/-0.13 / [.005]
3.产品标识开顶面
DXF和PDF文件可在vicorpower.com
注意事项:
mm
1.尺寸为英寸。
2.除非另有规定,公差为:
.X / [.XX] = +/-0.25 / [.01]; .XX / [.XXX] = +/-0.13 / [.005]
3.产品标识开顶面
DXF和PDF文件可在vicorpower.com
1/2 VTM机械外形图
的PRM :在本文档中描述的产品是由下列美国专利号5945130保护; 6403009 ; 6710257 ; 6788033 ; 6940013 ; 6969909 ; 7038917 ;
7154250 ; 7166898 ; 7187263 ; 7202646 ; 7361844 ; 7368957 ; RE40,072 ; D496,906 ; D506,438 ; D509,472 ;并在6975098和6984965 VTM一样使用: 5945130 ;
6,403,009; 6,710,257; 6,911,848; 6,930,893; 6,934,166; 6,940,013; 6,969,909; 7,038,917; 7,145,186; 7,166,898; 7,187,263; 7,202,646; 7,361,844; D496,906; D505,114; D506,438;
D509,472 ;并在6975098和6984965的使用
vicorpower.com
800-735-6200
修订版1.7
9/2009
第2页2
VTM
V I晶片 - VTM
电压转换模块
TM
V048K020T080
K表示BGA配置。对于其他
安装选项编号见下面的部分。
48 V至2 V V I晶片转换器
80 A( 120一1毫秒)
高密度 - 320 A /中
3
占用空间小 - 75 A /中
2
低体重 - 0.5盎司(14克)
匹克&地点/ SMD
产品说明
125°C操作
1微秒的瞬态响应
>3500000小时MTBF
在2 V / 50 A的典型效率为94%
无需输出滤波
BGA或J形引线封装
实际尺寸
V
f
= 26 - 55 V
V
OUT
= 1.1 - 2.3 V
I
OUT
= 80 A
K =
1/24
R
OUT
= 1.5 mΩ以下
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
电脑-IN
以旧换新-IN
VC以-IN
+ OUT到-OUT
隔离电压
工作结温
输出电流
芯片电压转换
模块( VTM)打破记录速度,密度和
效率,以满足先进的DSP的需求,
FPGA , ASIC ,处理器核心和微处理器
同时提供应用程序的负载( POL )的点
隔离从输入到输出。它实现了一个响应
不到1微秒的时间,提供高达80 A的
小于0.25体积
3
同时提供低输出
电压以前所未有的效率。它可以是
并联以提供数百安培的输出
可设置电压从1.1到2.3伏。
该VTM V048K020T080的额定输出电压为
2 VDC从48伏直流输入比母线,V
f
,和是
可控制在1.1至2.3伏,在空载,并且从
1.1至2.2伏在满负荷,过V
f
26个输入范围
至55伏直流电。它可以被操作开环或闭环
视的输出调节需求
应用程序。操作开环时,输出电压
跟踪其V
f
输入电压与变比,
K = 1/24 ,以及输出电阻R
OUT
= 1.3毫欧,为
使需要可编程低的应用
输出电压在高电流和高效率。
关闭环回输入预调
模块(PRM )或DC -DC转换器可以补偿
对于R
OUT
.
V048K020T080 V
I
-1.0至60.0
100
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 19.0
-0.1 4.0
2,250
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
笔记
为100毫秒
P
L
E
R
IN
IM
峰值输出电流
外壳温度在回流焊
储存温度
输出功率
峰值输出功率
-40至125
80
120
208
Y
R
A
VDC
VDC
°C
A
见注
连续
A
对于1毫秒
°C
°C
W
W
连续
对于1毫秒
输入到输出
-40至150
174
261
注意:
引用结被定义为具有最高温度的半导体。
该温度由温度监控器(注册商标)信号和由关断比较监测。
零件编号
在2 V VTM实现了突破性的电流密度
320 A /中
3
在V
I晶片封装兼容
标准拾放和表面安装组件
流程。在V
我BGA封装的芯片支持板
与0.16" (4毫米)低轮廓上的安装
板。一个J形引脚封装选项支持板载
面用的唯一0.25"轮廓安装(6毫米)
在板。在VTM的动态响应快
低噪声消除需要大容量电容的
负载,显着增加的POL密度而
提高可靠性和降低成本。
VICOR公司
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V
电压
转型
模块
048
输入电压
代号
K
020
输出电压
代号
(=V
OUT
x10)
T
080
输出电流
代号
(=I
OUT
)
CON组fi guration选项
F =板载(图15 )
K =在板(图14 )
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储
操作
T
-40至150 -40 to125
V I晶片电压转换模块
V048K020T080
修订版1.2
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特定网络阳离子
输入
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入过压开启
输入过压关断
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
内部输入电感
26
56.0
59.5
3.7
170
2.50
4
20
3.15
典型值
48
最大
55
1
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
ADC
毫安P-P
W
F
nH
可操作降为零V外部偏置电压
使用测试电路图16 ;见图1
产量
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
额定直流电流
重复峰值电流
直流电流限制
当前股价精度
效率
半载
满载
内部输出电感
内部输出电容
负载电容
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
100 μF旁路电容
有效开关频率
线路调整
K
负载调整率
R
OUT
瞬态响应
电压过冲
响应时间
恢复时间
82
0
典型值
最大
80
120
112
10
单位
ADC
A
P
L
E
R
94.0
93.0
2.52
0.0413
94.2
93.2
0.8
306
IN
IM
99
5
ADC
%
56,300
%
%
nH
F
F
VDC
65
2.78
0.0421
1.5
m
mV
ns
s
mV
mV
兆赫
1/24
1.3
20
200
1
最大脉冲宽度为1ms ,最大占空比10% ,
基准电源50 %
见并联运行第10页
Y
R
A
参见图3 , 2 VOUT
参见图3 , 2 VOUT
有效值
2.33
53
2
2.65
参见图2和图5
见图6
每相固定, 1.33 MHz的
V
OUT
= K V
IN
在无负载
看到图19
80与100 μF C A负载阶跃
IN;
请参阅图7和8
请参阅图7和8
请参阅图7和8
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V I晶片电压转换模块
V048K020T080
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特定网络阳离子
波形
输出纹波与负载
60
50
输出纹波(MV )
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
输出Currrent ( A)
图1-
输入反射纹波电流在满负载和输入电压48
图2-
输出电压纹波与输出电流的2 VOUT
没有POL旁路电容。
EF网络效率与输出电流
95
94
93
2.0 V
1.8 V
1.5 V
1.2 V
功耗与输出电流
14
12
2.0V
1.8V
1.5V
1.2V
功率Disipation (W)的
效率(%)
92
91
90
89
88
87
86
85
0
10
20
30
40
50
60
70
10
8
6
4
2
0
80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
输出电流(A )
输出电流(A )
图3-
效率与输出电流和输出电压
图4电源
耗散作为输出电流的函数,并且
输出电压
图5
输出电压纹波在满载和2 VOUT ;
无需任何外部旁路电容。
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图6输出
电压纹波在满载和2 VOUT与
100 μF的陶瓷外部旁路电容和20 nH的
分布电感。
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第15 3
V I晶片电压转换模块
产品规格(续)
初步
图7-
0-80与100 μF输入一个阶跃负载变化
电容和无输出电容。
一般
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
绝缘特性
电压
电容
阻力
机构认证(待定)
力学参数
重量
外形尺寸( BGA版)
宽度
高度
典型值
3.5
2,250
2,500
10
cTUVus等
CE标志
0.5 / 14.0
1.26 / 32
0.85 / 21.5
0.23 / 5.9
最大
图8-2
80-0与100 μF输入一个阶跃负载变化
电容和无输出电容。
单位
MHrs
VDC
pF
M
25 ° C, GB
输入到输出
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950 , EN 60950
低电压指令
见机械制图,图10和图12
盎司/克
在/毫米
在/毫米
在/毫米
辅销
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
主控制( PC )
直流电压
模块禁止电压
模块使能电压
电流限制
关闭延迟时间
温度监控器( TM )
27°C环境
温度COEF网络cient
全系列精度
电流限制
VTM控制( VC )
外部升压
外部升压时间
4.8
2.4
2.4
典型值
5.0
2.5
2.5
2.5
4
3.00
10
±5
100
12.0
14.0
10
19.0
最大
5.2
2.6
2.9
10
单位
VDC
VDC
VDC
mA
s
VDC
毫伏/°C的
°C
A
VDC
ms
唯一来源
PC低到VOUT低
工作结温
工作结温
唯一来源
需要VTM启动无PRM
输入电压必须是>26 V为VTM继续经营
无需升压电压。
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V I晶片电压转换模块
V048K020T080
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第15 4
产品规格(续)
符号
参数
过温关闭
热容量
结到外壳热阻
结到BGA的热阻
结到环境
1
结到环境
2
125
典型值
130
0.61
1.1
2.1
6.5
5.0
最大
135
单位
°C
WS / ℃,
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结温
R
θJC
R
θJB
R
θJA
R
θJA
笔记
1. V048K020T080表面安装在电路板到2" X 2" FR4板, 4层2盎司铜, 300 LFM 。
安装在FR4板, 300 LFM 2. V048K020T080与0.25"H散热片表面。
V I晶片应力驱动产品认证流程
TEST
高温工作寿命( HTOL )
温度循环
高温存储
耐湿性
温度湿度偏差测试( THB )
压力锅测试(高压釜)
高加速应力测试( HAST )
耐溶剂性/永久性标志
机械振动
机械冲击
静电放电测试 - 人体模型
静电放电试验 - 机模型
标准
JESD22-A-108-B
JESD22-A-104B
JESD22-A-103A
JESD22-A113-B
EIA/JESD22-A-101-B
JESD22-A-102-C
JESD22-A-110B
JESD22-B-107-A
JESD22-B-103-A
JESD22-B-104-A
EIA/JESD22-A114-A
EIA/JESD22-A115-A
每Vicor公司内部
测试规范*
每Vicor公司内部
测试规范*
P
L
E
R
IN
IM
环境
125°C , Vmax时, 1008小时
-55 ° C至125°C , 1000次
150 ° C, 1000小时
潮湿敏感度等级5
85 ℃, 85%RH , Vmax时, 1008小时
121 ℃,100 %相对湿度, 15 PSIG , 96小时
130 ℃,85 %RH下, Vmax时, 96小时
溶剂A,B & 定义
20克高峰, 20-2,000赫兹,试验X,Y & Z三个方向
1500克峰0.5ms的脉冲持续时间, 5个脉冲在6个方向
达到或超过2000伏特
达到或超过200伏
经营范围核实,自毁确定保证金
常数线路,0-100%负载,
-20 ° C至125°C
Y
R
A
高加速寿命测试( HALT )
动感单车
*
对于测试方案详见Vicor的网站。
V I晶片球栅阵列互连资格
TEST
BGA焊接疲劳评定
焊球剪切试验
标准
IPC-9701
IPC-SM-785
IPC-9701
环境
循环条件: TC3 ( -40至+ 125°C )
测试时间: NTC -B ( 500无故障周期)
通过大量焊料和铜焊盘剥离失效
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V I晶片电压转换模块
V048K020T080
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第15个5
初步
PRM
V I晶片 - PRM -AL
预稳压模块
TM
P048F048T12AL
48 V输入V I晶片PRM
输入电压范围36 - 75 VDC
高密度 - 438 W /中
3
占用空间小 - 110 W /中
2
低体重 - 0.5盎司(14克)
自适应反馈环路
ZVS降压 - 升压型稳压器
1.5 MHz的开关频率
96 %的效率
125°C操作
VIN = 36 - 75 V
V
f
= 26 – 55 V
P
f
= 120 W
I
f
= 2.5 A
实际尺寸
产品说明
在V I晶片预稳压模块( PRM )是一个非常
能够进行高效率的非隔离式稳压器
促进和补偿范围广阔的输入电压。这是
专门设计来提供一个控制分比
总线配电电压为下游供电
V I晶片电压转换模块( VTM一样) -
快速,高效,隔离,低噪声点的负载( POL )
转换器。在组合的PRM和VTM一样形成
完整的DC -DC转换器子系统,提供所有的
Vicor的比功率的独特优势
架构( FPA ) :高密度和效率;低
噪音运行;结构上的灵活性;速度极快
瞬态响应;和消除大容量电容
在负载点的( POL ) 。
在焦平面系统中,POL电压的产品
比母线电压经PRM和交付
一个"K - factor" (固定电压变比)
下游VTM 。 PRM的控制比母线
电压调节提供在POL 。由于VTM一样
执行真正的分压和电流的乘积,
的比母线电压可以被设置为一个值,该值是
基本上高于总线典型电压
在"intermediate bus"系统中,减少
配电损耗,使使用更窄
配电母线的痕迹。一个PRM - VTM芯片组可以
提供高达100 A或115瓦,一个FPA系统密度
200 A的/在
3
或230 W /中
3
- 因为在PRM
可以位于,或从, "远程"factorized
POL,这些功率密度可以有效地增加了一倍。
本数据表中所描述的PRM具有独特的
"Adaptive Loop"补偿反馈:单丝
替代传统的遥感与反馈
循环,使一个孤立的POL的精确控制
电压,而不需要任何的直接连接
负载或对噪声敏感,带宽限制,
隔离器件中的反馈路径。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
电脑-IN
公关-IN
IL到-IN
VC以-IN
+ OUT到-OUT
SC到退房手续
VH到退房手续
操作系统退房手续
光盘退房手续
SG到退房手续
连续输出电流
连续输出功率
工作结温
储存温度
回流时外壳温度:
(M级)
(T级)
(M级)
(T级)
-1.0至85.0
-0.3 6.0
-0.3 9.0
-0.3 6.0
-0.3至18.0
-0.3至59
-0.3 3.0
-0.3 9.5
-0.3 9.0
-0.3 9.0
100
2.5
120
-55至125
-40至125
-65到150
-40至150
208
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
ADC
W
°C
°C
°C
°C
°C
DC-DC变换器
VC
PC
TM
IL
NC
PR
VH
SC
SG
OS
NC
CD
+ IN
PRM -AL
分比
总线(V
f
)
+ IN
+ OUT
+ OUT
TM
VC
PC
VTM
K
Ro
-OUT
VOUT
+ OUT
VIN
In
Out
-IN
-OUT
该P048F048T12AL使用任何输入048 VTM系列提供了规范和
隔离输出。
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V I晶片预稳压模块
P048F048T12AL
1.0版
第14页1
初步
一般特定网络阳离子
零件编号
V I晶片预稳压模块
P
预稳压器
模块
048
输入电压
代号
F
CON组fi guration
(Fig.21)
048
公称
比母线
电压
T
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储操作
T
-40至150 -40 to125
M
-65至150 -55 to125
12
输出功率
代号
(=P
f
/10)
AL
AL =自适应环路
自适应环路补偿概述
自适应环路补偿,如图1所示,有利于
比功率的带宽和速度上的优势。该PRM
监视它的输出电流,并自动调整其输出
电压,以补偿在输出端上的电压降
在VTM的阻力。
OS
设置VTM的期望值
输出电压VOUT ;
CD
被设置为一个值,该值用于补偿
在VTM的输出电阻(其中,理想的是,位于所述
负载点) 。对于选择的R
OS
和R
CD
请参见下面的表1
或第9页。
在V I晶片的双向VC端口:
1.提供从PRM给VTM唤醒信号
同步VTM输出电压的上升到了PRM的。
2.提供从VTM反馈给PRM使PRM
以补偿在VTM输出电阻R上的电压降
O
.
VO = V
L
±
1.0%
VC
PC
TM
IL
NC
PR
VH
SC
SG
OS
NC
CD
R
OS
R
CD
+ IN
PRM -AL
分比
总线(V
f
)
V
L
(IO RO)
V
f
=
+
K
K
+ IN
+ OUT
+ OUT
TM
VC
PC
VTM
K
Ro
-OUT
+ OUT
VIN
In
Out
-IN
L
O
A
D
-OUT
图1
- 通过自适应环路控制中, VTM的输出被调节过的负载电流范围与PRM和之间只有一个单一的配线
VTM并且无需隔离在反馈路径中。
所需的负载电压(VDC)
1.0
1.2
1.5
1.8
2.0
3.3
5.0
10
12
15
24
28
36
48
VTM P / N
(1)
V048F015T100
V048F015T100
V048F015T100
V048F020T080
V048F020T080
V040F033T060
V048F060T040
V048F120T025
V048F120T025
V048F160T019
V048F240T012
V048F320T009
V048F480T006
V048F480T006
VTM的最大输出电流( A)
(2)
100
100
100
80
80
60
40
25
25
18.8
12.5
9.4
6.3
6.3
R
OS
(kΩ)
(3)
3.57
2.94
2.37
2.61
2.37
2.89
2.87
2.86
2.37
2.49
2.37
2.74
3.16
2.37
R
CD
(Ω)
(3)
26.1
32.4
39.2
35.7
39.2
32.6
33.2
32.9
39.2
37.4
39.2
35.7
30.1
39.2
注意:
( 1 )订购如上图所示之前验证配置选项和产品档次的温度。
( 2 )请参见第10页“ PRM输出功率与VTM输出功率”
( 3 ) 1 %精密电阻推荐
表1
- 使用PRM - AL配置你的芯片组
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V I晶片预稳压模块
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1.0版
第14页2
初步
电气规格
输入规格
(条件是在48 Vin的, 48 Vf的,满负荷,以及25 ℃的环境,除非另有规定)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入欠压开启
输入欠压关断
输入过压开启
输入过压关断
输入静态电流
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
推荐的外部输入电容
30.5
75.8
33.8
31.8
77.3
78.8
0.5
2.6
280
2
5
100
4
81.0
1
36
典型值
48
最大
75
1
35.3
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
ADC
毫安P-P
W
F
F
陶瓷的
参见图5,用于输入滤波电路。
源阻抗依赖
参见图4 & 5
PC低
V I晶片预稳压模块
输入波形
图2
- Vf与从接通电源到PC反应
科幻gure 3
- Vf的导通与浪涌电流波形 - 在PC启用
满负载,输入电压48
再FL ected
纹波
测量
VC
PC
TM
IL
NC
PR
10 A
+ IN
100
μF
AL-电解
+ IN
PRM -AL
VH
SC
SG
OS
NC
CD
2.37 kΩ
+ OUT
+ OUT
In
In
Out
= OUT
图4
- 输入反映在满载和48输入电压纹波电流
图5
- 输入滤波电容推荐
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P048F048T12AL
1.0版
第14页3
初步
电气规格
(续)
输出规格
(条件是在48 Vin的, 48 Vf的,满负荷,以及25 ℃的环境,除非另有规定)
参数
输出电压范围
输出功率
输出电流
直流电流限制
平均短路电流
设置点精度
线路调整
负载调整率
负载调整率(在VTM输出)
当前股价精度
效率
满载
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
随着10μF的电容
开关频率
输出开启延迟
从应用的功率
从PC引脚为高电平
内部输出电容
比母线电容
200
100
5
47
300
ms
s
F
F
见图2
见图3
陶瓷的
1.35
1.0
0.5
1.45
2.0
1.0
1.55
%
%
兆赫
分比总线,见图13
分比总线,见图14
固定频率
56
95.6
59.4
%
VDC
见图6,7 & 8
1.5
0.1
0.1
1.0
5
0.2
0.2
2.0
10
26
0
0
2.6
3.0
典型值
48
最大
55
120
2.5
3.3
0.5
单位
VDC
W
ADC
ADC
A
%
%
%
%
%
低线高线
没有CD电阻
自适应环路
I
L
引脚悬空
自动恢复
比母线电压(Vf )由R设定
OS
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电气规格
(续)
图的效率
EF网络效率与输出电流
100
95
V I晶片预稳压模块
EF网络效率与输出电流
100
95
效率(%)
效率(%)
VIN
90
85
80
75
0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50
36V
48V
75V
90
85
80
75
70
0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50
VIN
26V
48V
75V
输出电流(A )
图6
- 效率与输出电流在48 Vf的
输出电流(A )
图7
- 效率与输出电流在36 Vf的
EF网络效率与输出电流
100
95
效率(%)
90
85
80
75
70
65
60
0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50
VIN
36V
48V
75V
输出电流(A )
图8
- 效率与输出电流在26 Vf的
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PRM
V I晶片 - PRM -AL
预稳压模块
TM
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48 V输入V I晶片PRM
输入电压范围36 - 75 VDC
高密度 - 875 W /中
3
占用空间小 - 220 W /中
2
低体重 - 0.5盎司(14克)
自适应反馈环路
ZVS降压 - 升压型稳压器
1.5 MHz的开关频率
96 %的效率
125°C操作
VIN = 36 - 75 V
V
f
= 26 – 55 V
P
f
= 240 W
I
f
= 5 A
实际尺寸
产品说明
在V I晶片预稳压模块( PRM )是一个非常
能够进行高效率的非隔离式稳压器
促进和补偿范围广阔的输入电压。这是
专门设计来提供一个控制分比
总线配电电压为下游供电
V I晶片电压转换模块( VTM一样) -
快速,高效,隔离,低噪声点的负载( POL )
转换器。在组合的PRM和VTM一样形成
完整的DC -DC转换器子系统,提供所有的
Vicor的比功率的独特优势
架构( FPA ) :高密度和效率;低
噪音运行;结构上的灵活性;速度极快
瞬态响应;和消除大容量电容
在负载点的( POL ) 。
在焦平面系统中,POL电压的产品
比母线电压经PRM和交付
一个"K - factor" (固定电压变比)
下游VTM 。 PRM的控制比母线
电压调节提供在POL 。由于VTM一样
执行真正的分压和电流的乘积,
的比母线电压可以被设置为一个值,该值是
基本上高于总线典型电压
在"intermediate bus"系统中,减少
配电损耗,使使用更窄
配电母线的痕迹。一个PRM - VTM芯片组可以
提供高达100 A或230瓦,一个FPA系统密度
200 A的/在
3
或460 W /中
3
- 因为在PRM可以
被定位,或"factorized , "远离POL,
这些功率密度可以有效地增加了一倍。
本数据表中所描述的PRM具有独特的
"Adaptive Loop"补偿反馈:单丝
替代传统的遥感与反馈
循环,使一个孤立的POL的精确控制
电压,而不需要任何的直接连接
负载或对噪声敏感,带宽限制,
隔离器件中的反馈路径。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
电脑-IN
公关-IN
IL到-IN
VC以-IN
+ OUT到-OUT
SC到退房手续
VH到退房手续
操作系统退房手续
光盘退房手续
SG到退房手续
连续输出电流
连续输出功率
工作结温
储存温度
回流时外壳温度:
(M级)
(T级)
(M级)
(T级)
-1.0至85.0
-0.3 6.0
-0.3 9.0
-0.3 6.0
-0.3至18.0
-0.3至59
-0.3 3.0
-0.3 9.5
-0.3 9.0
-0.3 9.0
100
5
240
-55至125
-40至125
-65到150
-40至150
208
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
ADC
W
°C
°C
°C
°C
°C
DC-DC变换器
VC
PC
TM
IL
NC
PR
VH
SC
SG
OS
NC
CD
+ IN
PRM -AL
分比
总线(V
f
)
+ IN
+ OUT
+ OUT
TM
VC
PC
VTM
K
Ro
-OUT
VOUT
+ OUT
VIN
In
Out
-IN
-OUT
该P048F048T24AL使用任何输入048 VTM系列提供了规范和
隔离输出。
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一般特定网络阳离子
零件编号
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P
预稳压器
模块
048
输入电压
代号
F
CON组fi guration
(Fig.21)
048
公称
比母线
电压
T
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储操作
T
-40至150 -40 to125
M
-65至150 -55 to125
24
输出功率
代号
(=P
f
/10)
AL
AL =自适应环路
自适应环路补偿概述
自适应环路补偿,如图1所示,有利于
比功率的带宽和速度上的优势。该PRM
监视它的输出电流,并自动调整其输出
电压,以补偿在输出端上的电压降
在VTM的阻力。
OS
设置VTM的期望值
输出电压VOUT ;
CD
被设置为一个值,该值用于补偿
在VTM的输出电阻(其中,理想的是,位于所述
负载点) 。对于选择的R
OS
和R
CD
请参见下面的表1
或第9页。
在V I晶片的双向VC端口:
1.提供从PRM给VTM唤醒信号
同步VTM输出电压的上升到了PRM的。
2.提供从VTM反馈给PRM使PRM
以补偿在VTM输出电阻R上的电压降
O
.
VO = V
L
±
1.0%
VC
PC
TM
IL
NC
PR
VH
SC
SG
OS
NC
CD
R
OS
R
CD
+ IN
PRM -AL
分比
总线(V
f
)
V
L
(IO RO)
V
f
=
+
K
K
+ IN
+ OUT
+ OUT
TM
VC
PC
VTM
K
Ro
-OUT
+ OUT
VIN
In
Out
-IN
L
O
A
D
-OUT
图1
- 通过自适应环路控制中, VTM的输出被调节过的负载电流范围与PRM和之间只有一个单一的配线
VTM并且无需隔离在反馈路径中。
所需的负载电压(VDC)
1.0
1.2
1.5
1.8
2.0
3.3
5.0
10
12
15
24
28
36
48
VTM P / N
(1)
V048F015T100
V048F015T100
V048F015T100
V048F020T080
V048F020T080
V040F033T060
V048F060T040
V048F120T025
V048F120T025
V048F160T019
V048F240T012
V048F320T009
V048F480T006
V048F480T006
VTM的最大输出电流( A)
(2)
100
100
100
80
80
60
40
25
25
18.8
12.5
9.4
6.3
6.3
R
OS
(kΩ)
(3)
3.57
2.94
2.37
2.61
2.37
2.89
2.87
2.86
2.37
2.49
2.37
2.74
3.16
2.37
R
CD
(Ω)
(3)
26.1
32.4
39.2
35.7
39.2
32.6
33.2
32.9
39.2
37.4
39.2
35.7
30.1
39.2
注意:
( 1 )请参阅第9页的表2标称Vout的范围和K系数。
( 2 )请参见第10页“ PRM输出功率与VTM输出功率”
( 3 ) 1 %精密电阻推荐
表1
- 使用PRM - AL配置你的芯片组
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电气规格
输入规格
(条件是在48 Vin的, 48 Vf的,满负荷,以及25 ℃的环境,除非另有规定)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入欠压开启
输入欠压关断
输入过压开启
输入过压关断
输入静态电流
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
推荐的外部输入电容
30.5
75.8
33.8
31.8
77.3
78.8
0.5
5.2
580
3.0
5
100
81.0
1
36
典型值
48
最大
75
1
35.3
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
ADC
毫安P-P
W
F
F
陶瓷的
参见图5,用于输入滤波电路。
源阻抗依赖
参见图4 & 5
PC低
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输入波形
图2
- Vf与从接通电源到PC反应
科幻gure 3
- Vf的导通与浪涌电流波形 - 在PC启用
满负载,输入电压48
再FL ected
纹波
测量
VC
PC
TM
IL
NC
PR
10 A
+ IN
100
μF
AL-电解
+ IN
PRM -AL
VH
SC
SG
OS
NC
CD
2.37 kΩ
+ OUT
+ OUT
In
In
Out
= OUT
图4
- 输入反映在满载和48输入电压纹波电流
图5
- 输入滤波电容推荐
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电气规格
(续)
输出规格
(条件是在48 Vin的, 48 Vf的,满负荷,以及25 ℃的环境,除非另有规定)
参数
输出电压范围
输出功率
输出电流
直流电流限制
平均短路电流
设置点精度
线路调整
负载调整率
负载调整率(在VTM输出)
当前股价精度
效率
满载
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
随着10μF的电容
开关频率
输出开启延迟
从应用的功率
从PC引脚为高电平
内部输出电容
比母线电容
200
100
5
47
300
ms
s
F
F
见图2
见图3
陶瓷的
1.35
2.3
1.0
1.45
2.5
1.1
1.55
%
%
兆赫
分比总线,见图13
分比总线,见图14
固定频率
56
96
59.4
%
VDC
见图6,7 & 8
1.5
0.1
0.1
1.0
5
0.2
0.2
2.0
10
26
0
0
5.25
6.0
典型值
48
最大
55
240
5
6.6
0.5
单位
VDC
W
ADC
ADC
A
%
%
%
%
%
低线高线
没有CD电阻
自适应环路
I
L
引脚悬空
自动恢复
比母线电压(Vf )由R设定
OS
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电气规格
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图的效率
EF网络效率与输出电流
98
96
94
92
98
96
94
V I晶片预稳压模块
EF网络效率与输出电流
效率(%)
90
88
86
84
82
80
78
0.5
1.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.6
5.0
36V
48V
75V
效率(%)
VIN
92
90
88
86
84
82
80
78
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VIN
36V
48V
75V
输出电流(A )
输出电流(A )
图6
- 效率与输出电流在48 Vf的
图7
- 效率与输出电流在36 Vf的
EF网络效率与输出电流
98
96
94
效率(%)
92
90
88
86
84
82
80
78
0.5
1.0
1.6
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.6
5.0
VIN
36V
48V
75V
输出电流(A )
图8
- 效率与输出电流在26 Vf的
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