UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UTT4815
初步
功率MOSFET
8安培， -30伏
P沟道功率MOSFET
描述
在UTC
UTT4815
是一个P沟道增强型功率
UTC采用先进的沟槽技术，提供MOSFET
客户以最小的通态电阻和栅极
充电用25V的栅极评级
在UTC
UTT4815是
ESD保护和普遍的应用
PWM或用作负载开关。
特点
* V
DS （ V）
= -30V
* I
D
= -8A ， （V
GS
= -20V)
* R
DS （ ON）
< 18MΩ @ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 20MΩ @ （V
GS
= -10V)
符号
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
UTT4815L-S08-R
UTT4815G-S08-R
SOP-8
UTT4815L-S08-T
UTT4815G-S08-T
SOP-8
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
1
S
S
2
S
S
引脚分配
3 4 5 6 7
S摹D D D
S摹D D D
8
D
D
填料
带盘
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-564.a
UTT4815
引脚配置
初步
功率MOSFE
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2 5
QW-R502-564.a
UTT4815
参数
初步
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFE
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
评级
单位
漏源电压
-30
V
栅源电压
±25
连续
T
A
= 25°C
-8
I
D
（注2 ）
漏电流
A
T
A
= 70°C
-6.9
脉冲（注3）
I
DM
-40
T
A
= 25°C
2
功率耗散（注2 ）
P
D
W
T
A
= 70°C
1.44
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+ 150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
的R 2值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气中
以T环境
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
3.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
热特性
参数
符号
评级
单位
结到环境（注1 ）
θ
JA
110
° C / W
2
注：1， R值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气中
以T环境
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
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3 5
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UTT4815
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
基本特征
栅极阈值电压
前锋
反向
初步
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0 V
V
GS
=+25V, V
DS
=0V
V
GS
=-25V, V
DS
=0V
民
-30
功率MOSFET
典型值
最大
单位
V
A
A
V
m
m
m
m
A
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
-1
+1
-1
-1
-2.8
14.1
19
16.2
37
-40
2330 2900
480
320
6.8
10
41
10
12
13
12
51
30.5
52
-3
18
24
20
漏源导通电阻
在国家漏极电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
DS
=-15 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
g
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
门源电荷
Q
GS
（注1,2 ）
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
R
L
=1.8, R
根
= 3Ω （注1,2 ）
关断下降时间
t
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= -8 A ， di / dt的= 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
I
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的（注1 ）
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -20V ，我
D
=-8A
V
GS
= -20V ，我
D
=-8A,
R
DS （ ON）
T
J
=125°C
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
I
D（上）
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
pF
nC
ns
-1
-2.6
28
20.5
35
V
A
ns
nC
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初步
功率MOSFET
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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