UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UTR4502
-1.95安培，伏特-30
P沟道功率MOSFET
描述
该
UTR4502
UTC采用先进技术提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
<155mΩ @V
GS
=-10V
* R
DS （ ON）
<240mΩ @V
GS
=-4.5V
*低电容
*优化的栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UTR4502L-AE2-R
UTR4502G-AE2-R
UTR4502L-AE3-R
UTR4502G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
45B
L：无铅
G：无卤
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-234.C
UTR4502
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
-1.13
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
-6.8
A
总功耗
P
D
0.4
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
最大
300
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.95A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.5A
民
-30
-1
±100
-1.0
155
240
200
80
50
5.2
12
19
17.5
6
0.3
1
1.7
-0.8
23
10
24
96
48
10
-3.0
200
350
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
（注4 ）
导通延迟时间
t
D（上）
V
GS
=-10V, V
DD
=-15V,
开启上升时间
t
R
I
D
= -1.95A ，R
根
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G（ TOT ）
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
阈值的栅极电荷
Q
G（ TH ）
I
D
=-1.95A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
（注3）
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= -1.25A ，V
GS
=0V
V
GS
= 0V ，二
SD
/d
t
=100A/s
反向恢复时间
t
RR
I
S
=-1.25A
注：1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
-1.2
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QW-R502-234.C
UTR4502
典型特征
功率MOSFET
漏极电流与栅极阈值电压
-300
-300
漏电流与
漏源击穿电压
-250
-250
-200
-200
-150
-150
-100
-100
-50
0
0
-500
-1000
-1500
-50
0
0
-10
-20
-30
-40
栅极阈值电压，V
TH
（毫伏）
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
-2.5
漏源
导通状态电阻特性
-2.0
漏电流，我
D
(A)
-1.5
V
GS
=-10V
I
D
=-1.95A
-1.0
V
GS
=-4.5V
I
D
=-1.5A
-0.5
0
0
-50
-100
-150
-200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
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UTR4502
功率MOSFET
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