UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UTM4953
双P沟道
增强型
描述
该
UTM4953
采用先进的UTC的技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
SOP-8
特点
* R
DS （ ON）
<60mΩ @V
GS
=-10V
* R
DS （ ON）
<95mΩ @V
GS
=-4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
(7) (8)
D1
(5) (6)
D2
(2)
G1
(4)
G2
S1
(1)
S2
(3)
订购信息
订购数量
无铅
UTM4953L-S08-R
无卤
UTM4953G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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QW-R502-293.B
UTM4953
引脚配置
功率MOSFET
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QW-R502-293.B
UTM4953
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
栅源电压
功率MOSFET
符号
评级
单位
V
DSS
-30
V
V
GSS
±25
V
-4.9
连续
I
D
A
漏电流
脉冲
I
DM
-30
功耗
P
D
2.5
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
50
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.6A
民
-30
-1
±100
-1
-1.5
53
80
1260
340
220
10
15
22
15
22.3
4.65
2
-0.7
18
20
38
25
29
-2
60
95
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
（注）
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
根
=-10V, V
DD
= -15V ，R
L
=7.5,
R
G
=6, I
D
=-2A
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-4.6A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
SD
= -1.7A ，V
GS
=0V
注：脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2 ％
-1.3
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QW-R502-293.B
UTM4953
典型特征
漏源导通电阻
60
I
D
=4.9A
导通电阻，R
DS （ ON）
(m)
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
栅源电压，V
GS
(V)
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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QW-R502-293.B
