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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UTD405
P沟道
增强型
描述
该
UTD405
可以提供优秀的研发
DS （ ON）
，低门
电荷和低栅极电阻采用先进的沟槽
技术。这个装置是非常适用于高电流负载
应用与优异的耐热性。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 32mΩ @V
GS
= -10 V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*无铅电镀产品编号： UTD405L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UTD405-TN3-R
UTD405L-TN3-R
UTD405-TN3-T
UTD405L-TN3-T
包
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
管
www.unisonic.com.tw
2008 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-199.A
UTD405
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
-18
A
漏电流脉冲
I
DM
-40
A
雪崩电流
I
AR
-18
A
重复性雪崩能量（ L = 0.1mH ）
E
AR
40
mJ
功耗
P
D
2.5
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
40
最大
50
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250 A
V
DS
=-24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10 V，I
D
=-18A
V
GS
= -4.5 V，I
D
=-10A
民
-30
-0.003
-1
±100
-2.4
32
60
1100
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
ns
nC
-1.2
-40
-2
24.5
41
920
190
122
18.7
2.54
5.4
9
25
20
12
-0.76
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-18 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
GS
=-10V,V
DS
= -15V ，R
L
=0.82,
开启上升时间
t
R
R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= -18A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复
Q
RR
I
F
= -18A ，的di / dt = 100A / μs的
收费
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比0.5 ％以下。
23
13
35
30
18
-1
-18
21.4
13
26
16
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-199.A
UTD405
典型特征
功率MOSFET
100
90
80
70
R
DS （ ON）
(mΩ)
60
50
40
30
20
10
0
3
导通电阻vs.Gate - to-Source电压
1.0E+0.1
I
D
=-18A
1.0E+0.0
1.0E-0.1
体二极管的性能
125℃
125℃
25℃
-I
S
(A)
1.0E-0.2
1.0E-0.3
1.0E-0.4
25℃
1.0E-0.5
4
5
6
7
-V
GS
（伏）
8
9
10
1.0E-0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
-V
SD
（伏）
0.8
1.0
-V
GS
（伏）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
电容（pF）
3 5
QW-R502-199.A
UTD405
典型特征（续）
最大正向偏置安全工作区
1000.0
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
R
DS （ ON）
有限
10μs
1ms
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
10
100μs
功率（W）的
20
40
功率MOSFET
单脉冲功率额定值结到环境
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
30
10.0
-I
D
（安培）
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
100
1000
Z
θ
JA
.Normailized瞬态
热阻
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R502-199.A
UTD405
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R502-199.A
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