UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UTD351
N沟道
增强型
描述
作为N沟道逻辑电平MOSFET ，
UTD351
已
用于电池电源管理应用进行了优化。和
它使用UTC的海沟过程中产生的。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
*无铅电镀产品编号： UTD351L
1.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UTD351-AE3-R
UTD351L-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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2008 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-154.A
UTD351
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
连续漏电流（注3 ）
I
D
1.4
A
漏电流脉冲
I
DM
10
功耗
P
D
0.5
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
250
75
最大
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
击穿电压温度
系数
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
ΔBV
DSS
/T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=24 V, V
GS
=0 V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 10 V，I
D
=1.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=1.2 A
0.8
民
30
1
±100
26
2.1
92
120
3
160
250
典型值
最大单位
V
A
nA
毫伏/ ℃
V
m
动力参数
输入电容
C
国际空间站
145
V
DS
=15 V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
35
15
反向传输电容
C
RSS
切换参数（注2 ）
导通延迟时间
t
D（上）
3
开启上升时间
t
R
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，V
GS
=10V,
8
R
根
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
16
关断下降时间
t
F
2
总栅极电荷
Q
G
1.3
V
DS
=15 V,V
GS
= 4.5 V，I
D
=1.4 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
0.5
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
0.5
源 - 漏二极管额定值和特性
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.42 （注2 ）
0.8
反向恢复时间
t
RR
11
I
F
= 1.4 A，D
IF
/d
t
= 100 A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
4
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当250 ℃ / W 。
pF
6
16
29
4
1.8
ns
nC
0.42
1.2
A
V
ns
nC
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QW-R502-154.A
UTD351
漏电流，我
D
(A)
漏电流，我
D
(A)
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
典型特征
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导通电阻，R
DS （ ON）
()
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归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
反向漏电流，I
S
(A)
功率MOSFET
3 5
QW-R502-154.A
UTD351
标准化的有效瞬态
热电阻， R（T ）
漏电流，我
D
(A)
栅源电压，V
GS
(V)
典型特征（续）
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瞬态峰值功率， P（ PK ） （ W）
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电容（pF）
功率MOSFET
4 5
QW-R502-154.A
UTD351
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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