UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UTC654
P沟道
增强型
描述
由于P沟道逻辑电平MOSFET ，
UTC654
已
用于电池电源管理应用进行了优化。和
它使用UTC先进的电力沟道工艺制造。
功率MOSFET
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UTC654L-AG6-R
UTC654G-AG6-R
包
SOT-26
1
D
引脚分配
2 3 4 5
的s
6
D
填料
带盘
记号
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2009 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-153.B
UTC654
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
连续漏电流（注3 ）
I
D
-3.6
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-10
功耗
P
D
1.6
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
78
30
最大
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通电阻（注2 ）
R
DS （ ON）
测试条件
最小典型最大单位
V
-1
A
±100 nA的
毫伏/ ℃
-3
75
125
V
m
V
GS
= 0V时，我
D
=-250 A
-30
V
DS
=-24V, V
GS
=0 V
V
DS
= 0V, V
GS
=±20V
参考25 ℃下，我
D
=-250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -10 V，I
D
=-3.6A
V
GS
= -4.5 V，I
D
=-2.7A
-1
-22
-1.9
63
100
298
83
39
6
13
11
6
6.2
1
1.2
-0.8
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= -15V ，我
D
= -1A ，V
GS
=-10V,
R
根
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,I
D
=-3.6 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
=0V,I
S
= -1.3 A（注2 ）
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。
pF
12
23
20
12
9
ns
nC
-1.2
-1.3
V
A
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2 5
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UTC654
典型特征
在区域特征
V
GS
=-10V
-6.0V
-5.0V
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
功率MOSFET
15
12
漏电流， -I
D
(A)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0
导通电阻变化与漏
电流和栅极电压
V
GS
=-3.5V
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-10V
-4.5V
9
6
3
0
0
-4.0V
-3.5V
-3.0V
1
2
3
4
漏源极电压， -V
DS
(V)
5
3
6
9
12
15
漏电流， -I
D
(A)
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
导通电阻，R
DS （ ON）
()
10
8
漏电流， -I
D
(A)
传输特性
V
DS
=-5.0V
T
A
=-55℃
25℃
125℃
10
反向漏电流， -I
S
(A)
1
0.1
0.01
0.001
Bodt二极管正向电压的变化
与源电流和温度
V
GS
=0V
T
A
=125℃
25℃
-55℃
6
4
2
0
1
2
3
4
5
门源电压， -V
GS
(V)
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
体二极管正向电压， -V
SD
(V)
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典型特征
功率MOSFET
栅源电压， -V
GS
(V)
电容（pF）
最大安全工作区
100
R
DS （ ON）
极限
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
V
GS
=-10V
单脉冲
R
θ
JA
=156℃/W
T
A
=25℃
1s
DC
4
2
10
8
6
单脉冲最大功率耗散
单脉冲
R
θ
JA
=156℃/W
T
A
=25℃
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
漏源电压， -V
DS
(V)
100
0
0.01
0.1
1
时间t
1
（秒）
10
100
标准化的有效瞬态
热电阻， R（T ）
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功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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