UTC 2SD1616 / A
NPN外延硅晶体管
NPN硅外延
晶体管
描述
*音频功放
*中速开关
1
TO-92
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
参数
储存温度
结温
总功耗（大= 25℃）
集电极 - 基极电压：
D1616
D1616A
集电极到发射极电压： D1616
D1616A
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲* ）
注： （ * ）脉冲width≤10ms ，职务cycle<50 ％
VEBO
Ic
Ic
VCEO
符号
TSTG
Tj
Pc
VCBO
价值
-55 ~+150
150
750
60
120
50
60
6
1
2
单位
°C
°C
mW
V
V
V
A
A
特征
(Ta=25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益： D1616
D1616A
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
符号
ICBO
IEBO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
hFE1
hFE2
fT
COB
吨
测试条件
VCB=60V
VEB = 6V
IC = 1A ， IB = 50毫安
IC = 1A ， IB = 50毫安
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCE = 2V ， IC =百毫安
VCE = 2V ， IC = 1A
VCE = 2V ， IC =百毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 10V ， IC =百毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
0.3
1.2
700
600
400
单位
nA
nA
V
V
mV
600
135
135
81
100
0.15
0.9
640
160
19
0.07
兆赫
pF
us
世界标准时间
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1
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