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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT9435H
P沟道
增强型
描述
在UTC
UT9435H
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低门
充电和快速的开关速度。它已被优化为
电源管理应用。
功率MOSFET
符号
来源
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT9435HL-AA3-R
UT9435HG-AA3-R
UT9435HL-S08-R
UT9435HG-S08-R
UT9435HL-S08-T
UT9435HG-S08-T
SOT-223
SOP-8
SOP-8
1
G
S
S
2
D
S
S
引脚分配
3 4 5 6 7
S -
-
-
-
S摹D D D
S摹D D D
8
-
D
D
填料
带盘
带盘
www.unisonic.com.tw
版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-131.C
UT9435H
引脚配置
功率MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-131.C
UT9435H
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ,除非另有规定)
功率MOSFET
参数
符号
等级
单位
漏源电压
V
DS
-30
V
栅源电压
V
GS
±20
V
T
A
=125℃
I
D
连续漏电流(注3 )
±5.3
A
漏电流脉冲(注1,2 )
I
DM
±20
A
功耗
P
D
2.5
W
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
等级
50
单位
/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻(注2 )
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
=-250 A
V
DS
=-24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
V
DS
= -5V, V
GS
=-10V
-30
-1
±100
-1
44
74
-20
1040
420
150
19
9
74
36
22.5
2
6
-0.84
26
13
105
50
29
-3
50
90
TYP MAX
单位
V
A
nA
V
m
m
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
在国家漏极电流
I
D(上)
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15V, V
GS
=0V,
输出电容
C
OSS
f=1.0MHz
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间(注2 )
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DD
= -15V ,我
D
=-1A,
V
= -10V ,R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷(注2 )
Q
G
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-4.6A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压(注2 )
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
=-5.3A
注意事项: 1,脉冲宽度限制T
J(下最大)
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
-1.3
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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3 5
QW-R502-131.C
UT9435H
典型特征
功率MOSFET
漏电流, -I
D
(A)
漏电流, -I
D
(A)
电容
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
5
10
15
20
C
OSS
C
RSS
25
30
C
国际空间站
0.18
上Rseistance变化与排水
电流和温度
V
GS
=-10V
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.00
T
J
=25℃
0
2.5
5
7.5
10
漏极至源极电压, -V
DS
(V)
漏电流, -I
D
(A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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源极 - 漏极电流, -I
S
(A)
跨导,G
FS
(S)
4 5
QW-R502-131.C
UT9435H
典型特征(续)
栅极电荷
10
栅极 - 源极电压,V
GS
(V)
8
6
V
DS
=-15V
I
D
=-5.3A
漏电流, -I
D
(A)
50
10
R
DS ( ON)
有限
1
功率MOSFET
最大安全工作区
10ms
100ms
1s
DC
V
GS
=-10V
单脉冲
T
A
=25℃
0.1
1
10
30
漏极至源极电压, -V
DS
(V)
50
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
总栅极电荷,Q
G
( NC )
0.1
0.03
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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5
QW-R502-131.C
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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