标准产品
UT8CR512K32 16兆位的SRAM
高级数据表
2004年10月
www.aeroflex.com/4MSRAM
特点
最大为17ns存取时间
异步操作与业界的兼容性
标准的512K ×8的SRAM
CMOS兼容输入和输出电平，三态
双向数据总线
- I / O电压3.3伏， 1.8伏的核心
辐射性能
- 本质总剂量： 300拉德（SI ）
- SEL免疫>100兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 让
th
（0.25） ： 53.0兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 记忆细胞饱和截面1.67E - 7厘米
2
/位
- 中子注： 3.0E14n /厘米
2
- 剂量率
- 翻转1.0E9 RAD （SI ） /秒
- 闭锁1.0E11 RAD （SI ） /秒
封装选项：
- 68引脚陶瓷四方扁平封装（ 20.238克铅
帧）
标准微电路图纸5962-04227
- QML标准的一部分
介绍
该UT8CR512K32是一个高性能的CMOS静态RAM
多芯片模块（MCM） ，组织为四个单独的
524,288字由8位的SRAM与普通输出使能。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能（ EN ） ，一个低电平有效输出使能（ G）和三态
驱动程序。该器件具有省电功能，可降低
取消选择时的功耗的90％以上。
写入到每个存储器是通过将完成的
相应的芯片使能（ EN）输入低电平和写使能
（WN ）输入低电平。在I / O引脚的数据将被写入的
在地址引脚指定位置（A
0
至A
18
） 。阅读
从设备是通过将芯片来实现使能（EN）
和输出使能（ G）低，而强迫写使能（WN ）
HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置将显示在I / O引脚。
在输入/输出引脚处于高阻抗状态时
取消选择器件（ EN为高电平）时，输出被禁止（G
HIGH ） ，或写操作期间（ EN低电平和Wn的低）。
执行8 ， 16 ， 24 ，或通过Wn中伴随着32位访问
连接一个公共输入到分立存储的任何组合
死了。
W2
E1
W1
W0
E0
E3
A(18:0)
G
W3
E2
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
DQ （ 31:24 ）
or
DQ3 （ 7 ： 0 ）
DQ （ 23:16 ）
or
DQ2 （ 7 ： 0 ）
DQ （ 15 ： 8 ）
or
DQ1 （ 7 ： 0 ）
DQ （ 7 ： 0 ）
or
DQ0 （ 7 ： 0 ）
图1. UT8CR512K32 SRAM框图
1
V
DD1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
E2
V
SS
E3
W0
A6
A7
A8
A9
A10
V
DD2
设备操作
DQ0(2)
DQ1(2)
DQ2(2)
DQ3(2)
DQ4(2)
DQ5(2)
DQ6(2)
DQ7(2)
V
SS
DQ0(3)
DQ1(3)
DQ2(3)
DQ3(3)
DQ4(3)
DQ5(3)
DQ6(3)
DQ7(3)
DQ0(0)
DQ1(0)
DQ2(0)
DQ3(0)
DQ4(0)
DQ5(0)
DQ6(0)
DQ7(0)
V
SS
DQ0(1)
DQ1(1)
DQ2(1)
DQ3(1)
DQ4(1)
DQ5(1)
DQ6(1)
DQ7(1)
68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 555453 52
1
51
2
50
3
49
4
48
5
47
顶视图
6
46
7
45
8
44
9
43
10
42
11
41
12
40
13
39
14
38
15
37
16
36
17
35
1819 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34
V
DD2
A11
A12
A13
A14
A15
A16
E0
G
E1
A17
W1
W2
W3
A18
V
DD1
V
SS
在UT8CR512K32每个芯片有三个控制输入所谓的
使能（EN ） ，写使能（WN ）和输出使能（ G） ; 19
地址输入， A（ 18 ： 0 ） ;和8双向数据线，
DQ （7 ：0）。该设备使能（EN ）控制设备的选择，
活性，和待机模式。断言恩使得装置，
导致我
DD
上升到它的活性值，并对其进行解码的19地址
输入每个存储单元片选择的2,048,000字节
内存。 Wn的控制读，写操作。在读
周期，G必须置为使能输出。
表1.设备操作真值表
G
X
X
1
0
WN
X
0
1
1
EN
1
0
0
0
I / O模式
3-state
DATA IN
3-state
数据输出
模式
待机
写
读
2
读
图2为17ns SRAM引脚68 ）
引脚名称
A(18:0)
DQ （ 7 ： 0 ）
EN
W
G
V
DD1
V
DD2
V
SS
地址
数据输入/输出
启用
写使能
OUTPUT ENABLE
功率（ 1.8V ）
电源（ 3.3V ）
地
注意事项：
1. “X”被定义为“不关心”状态。
2.设备激活;输出禁用。
读周期
Wn的组合比V更大
IH
（分钟）与恩和G少
比V
IL
（最大值）定义一个读周期。读访问时间
从设备的后测得的使能，输出使能，或有效
处理到有效数据输出。
SRAM读周期1 ，地址的访问是通过更改启动
在地址输入时被启用为G芯片的断言和
WN无效。出现有效数据的数据输出DQN （ 7 ： 0 ）
指定的T后
AVQV
是满意的。输出保持活跃
在整个周期。只要设备使能和输出
使被激活时，输入地址可能会改变的速率相等
到最小读周期时间（t
AVAV
).
SRAM读周期2芯片使能控制的访问是
由恩发起去激活一边将保持有效， Wn中
仍然拉高，且地址保持稳定的
整个周期。指定的T后
ETQV
被满足时， 8位
字由A处理（ 18：0）被访问并显示在数据
输出DQN （7 ：0）。
SRAM读周期3 ，输出使能控制的访问是
由G去主动连接时断言开始， Wn中
无效状态，并且地址是稳定的。读访问时间
t
GLQV
除非吨
AVQV
或T
ETQV
还没有得到满足。
2
写周期
Wn的组合比V少
IL
（ max）和恩小于
V
IL
（最大值）定义一个写周期。克州是一个“不关心”
对于一个写周期。的输出被放置在高阻抗
状态时，或者G是大于V
IH
（分钟），或者当Wn中少
比V
IL
（最大值）。
写周期1 ，写使能控制的访问被定义
由Wn的终止写会很高，恩仍然有效。
写脉冲宽度为t定义
WLWH
当写操作
由Wn中发起的，并且用t
ETWH
当由恩开始写。
除非输出已经预先放置在高
由G阻抗状态时，用户必须等待吨
WLQZ
申请前
数据到8个双向引脚DQN （ 7：0 ），以避免总线
争。
写周期2 ，芯片使能控制的访问被定义
写经前的恩Wn的或即将停止终止。
写脉冲宽度为t定义
WLEF
当写操作
由Wn中发起的，并且用t
ETEF
当被启动的写
恩去激活。为Wn的启动的写入，除非该输出
已经预先放置在高阻抗状态由G ，
用户必须等待吨
WLQZ
应用数据的前八
双向引脚DQN （ 7 ： 0 ），以避免总线冲突。
抗辐射
该UT8CR512K32 SRAM采用了特殊的设计和
布局功能，允许在有限的辐射操作
环境。
表2.辐射硬度
设计规范
1
总剂量
重离子
错误率
2
300K
8.9x10
-10
Rad公司（SI ）
错误/位天
注意事项：
1. SRAM不受闭锁粒子>100MeV厘米
2
/毫克。
2. 10％的最坏情况下的粒子的环境中，地球同步轨道， 100密耳
铝。
电源排序
无电源电压定序要求V之间
DD1
和
V
DD2
.
3
绝对最大额定值
1
（参考V
SS
)
符号
V
DD1
V
DD2
V
I / O
T
英镑
P
D
T
J
Θ
JC
I
I
参数
直流电源电压
直流电源电压
任何引脚电压
储存温度
最大功率耗散
最高结温
2
热阻，结到外壳
3
DC输入电流
范围
-0.3 2.0V
-0.3 3.8V
-0.3 3.8V
-65到+ 150°C
1.2W
+150°C
5°C/W
±
5毫安
注意事项：
列出的绝对最大额定值之外1.强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个压力只有等级，并且该装置的功能操作
这些或超出本规范的业务部门所标明的限制任何其他条件，不推荐。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性和性能。
老化和稳定的静电寿命期间2的最大结点温度可以提高到+ 175 ℃。
每MIL -STD- 883 ，方法1012 3.测试。
推荐工作条件
符号
V
DD1
V
DD2
T
C
V
IN
参数
正电源电压
正电源电压
外壳温度范围
直流输入电压
范围
1.7 1.9V
3.0 3.6V
（三）筛选： -55 + 125°C
（ W）筛选： -40 + 125°C
0V至V
DD2
4
DC电气特性（前，后辐射） *
（ -55 ° C至+ 125°C的（ C）筛选和-40°C至125°C的（ W）筛查）
符号
V
IH
V
IL
V
OL1
V
OH1
C
IN1
C
IO1
I
IN
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
双向I / O容量
输入漏电流
三态输出漏
当前
输出短路电流
I
OL
= 8毫安，V
DD2
=V
DD2
（分钟）
I
OH
= -4mA ，V
DD2
=V
DD2
（分钟）
= 1MHz的@ 0V
= 1MHz的@ 0V
V
IN
= V
DD2
和V
SS
V
O
= V
DD2
和V
SS,
V
DD2
= V
DD2
（最大）
G = V
DD2
（最大）
V
DD2
= V
DD2
（最大值） ，V
O
= V
DD2
V
DD2
= V
DD2
（最大值） ，V
O
= V
SS
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2V
V
IH
= V
DD2
- 0.2V ，我
OUT
= 0
V
DD1
= V
DD1
（最大值） ，V
DD2
= V
DD2
（最大）
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2V,
V
IH
= V
DD2
- 0.2V ，我
OUT
= 0
V
DD1
= V
DD1
（最大值） ，V
DD2
= V
DD2
（最大）
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2V
V
IH
= V
DD2
- 0.2V ，我
OUT
= 0
V
DD1
= V
DD1
（最大值） ，V
DD2
= V
DD2
（最大）
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2V,
V
IH
= V
DD2
- 0.2V ，我
OUT
= 0
V
DD1
= V
DD1
（最大值） ，V
DD2
= V
DD2
（最大）
CMOS输入，我
OUT
= 0
EN = V
DD2
-0.2
V
DD1
= V
DD1
（最大值） ，V
DD2
= V
DD2
（最大）
CMOS输入，我
OUT
= 0
EN = V
DD2
- 0.2
V
DD1
= V
DD1
（最大值） ，V
DD2
= V
DD2
（最大）
-2
-2
.8*V
DD2
12
12
2
2
条件
民
.7*V
DD2
.3*V
DD2
.2*V
DD2
最大
单位
V
V
V
V
pF
pF
A
A
I
OS2 ， 3
-100
+100
mA
I
DD1
（ OP
1
)
电源电流工作
@ 1MHz的
45
mA
I
DD1
（ OP
2
)
电源电流工作
@66MHz
93
mA
I
DD2
（ OP
1
)
电源电流工作
@ 1MHz的
243
A
I
DD2
（ OP
2
)
电源电流工作
@66MHz
12
mA
I
DD1
（SB）
4
I
DD2
（SB）
4
I
DD1
（SB）
4
I
DD2
（SB）
4
电源电流待机@
0Hz
38
100
38
100
mΑ
A
mΑ
A
电源电流待机
A（ 18 ： 0 ） @ 66MHz的
注意事项：
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019 25 ℃， 1.0E5 RAD （SI ） 。
1.仅在初步认证后，可能会影响输入/输出电容的工艺或设计变更测量。
2.提供的设计极限，但不能保证或测试。
3.不能有多于一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
4. V
IH
= V
DD2
（最大值） ，V
IL
= 0V.
5
QQ：2880707522 复制
