UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT6402
N沟道
增强型
描述
该
UT6402
是n沟道增强模式功率
MOSFET ，设计了高密度的细胞，具有快速开关
速度，低导通电阻，优异的热和电
功能，操作与低栅极电压。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
3
2
1
SOT-23
6
5
4
1
2
3
符号
漏
SOT-26
门
来源
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
UT6402L-AE3-R
UT6402G-AE3-R
UT6402L-AG6-R
UT6402G-AG6-R
包
SOT-23
SOT-26
1
S
D
引脚分配
2
3
4
5
克
-
-
的s
6
-
D
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-152.C
UT6402
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
6.9
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
20
A
功耗
P
D
2
W
℃
结温
T
J
+150
℃
强烈的温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
74
最大
110
单位
℃
/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
=250A
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=30V, V
GS
=0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
在国家漏极电流
I
D（上）
V
DS
=5V, V
GS
=4.5V
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
（注2 ）
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V,V
DS
=15V,R
L
=2.2,
R
G
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
=1A
最大体二极管连续
I
S
当前
反向恢复时间
t
RR
I
F
= 6.9 A， di / dt的= 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
I
F
= 6.9 A， di / dt的= 100A / μs的
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤0.5%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘。
最小值典型值
30
1
±100
1
20
1.9
22.5
34.5
680
102
77
3
28
42
820
pF
108
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
4.6
4.1
20.6
5.2
11.5 13.88 16.7
1.82
3.2
0.76
1
3
16.5
7.8
20
ns
nC
V
A
ns
nC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-152.C
UT6402
典型特征
在区域特征
30
25
漏电流，我
D
(A)
20
15
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
漏源极电压，V
DS
(V)
5
V
GS
=3V
10V
6V
5V
4.5V
漏电流，我
D
(A)
4V
20
V
DS
=5V
16
12
8
4
0
0
功率MOSFET
传输特性
125℃
25℃
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
门源电压，V
GS
(V)
4.5
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
反向漏电流，I
S
(A)
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
归一化的导通电阻
3 5
QW-R502-152.C
UT6402
典型特征（续）
10
门源电压，V
GS
(V)
8
6
4
2
0
0
2
6
4
8
10
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
12
14
栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
功率MOSFET
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
电容特性
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
20
25
10
15
5
漏源极电压，V
DS
(V)
单脉冲功率额定值
结到环境
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
30
100
最大正向偏置安全
工作区
10μs
R
DS （ ON）
有限
100μs
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
1
DC
40
漏电流，我
D
(A)
30
功率（W）的
100
10
20
1
10
0.1
0.1
0
10
0.001 0.01
1
0.1
10
脉冲宽度（S ）
100
1000
漏源极电压，V
DS
(V)
归一化的最大瞬态热阻抗
10
归一化瞬态热
电阻，Z
θ
JA
D =吨
ON
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5℃/W
1
按降序排列
D = 0.5,0.3,0.1,0.05,0.02,0.01 ，单脉冲
0.1
P
DM
T
ON
T
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1000
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R502-152.C
UT6402
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R502-152.C
QQ：2880707522 复制
