UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT6401
P沟道
增强型
描述
在UTC
UT6401
是P沟道增强模式
功率MOSFET ，设计了高密度的细胞，具有快速
开关速度，低导通电阻，优异的热和
电气性能，操作与低栅极电荷。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
符号
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
UT6401L-AG6-R
UT6401G-AG6-R
包
SOT-26
1
D
引脚分配
2 3 4 5
的s
6
D
填料
带盘
记号
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2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-151.B
UT6401
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±12
连续漏电流（注3 ）
I
D
-5
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-30
功耗
P
D
2
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
74
最大
110
单位
℃
/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-5V, V
GS
=-4.5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
民
-30
-1
±100
-0.7
-25
-1
42
53
81
943
108
73
6
3
40
11
9.5
2.1
2.9
-0.75
-1
-3
-1.3
49
64
119
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
A
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
=-15V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
R
G
=6, R
L
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=-15V, V
GS
=-4.5V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-5A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源极 - 漏极二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤0.5%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘。
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UT6401
典型特征
功率MOSFET
汲极电流， -I
D
(A)
导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
190
导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
170
导通电阻与栅源电压
电容（pF）
漏电流， -I
D
(A)
1.0E+01
1.0E+00
源极电流， -I
S
(A)
体二极管的性能
150
130
110
90
70
50
30
1
0
I
D
=-2A
1.0E-01
125℃
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
25℃
125℃
25℃
0
2
4
6
8
栅源电压， -V
GS
(V)
10
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
源极 - 漏极电压， -V
SD
(V)
1.2
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3 5
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典型特征（续）
栅极电荷特性
5
栅源电压， -V
GS
(V)
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
栅极电荷-Q
G
（ NC ）
12
V
DS
=-15V
I
D
=-5A
30
功率（W）的
40
功率MOSFET
单脉冲功率额定值结点到
环境
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
汲极电流， -I
D
(A)
归一化瞬态热
电阻，Z
θ
JA
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功率MOSFET
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