UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT6302
P沟道
增强型MOSFET
描述
在UTC
UT6302
是一个功率MOSFET ，提供客户
高效，可靠的性能。
在UTC
UT6302
非常适用于超薄的应用环境，如
作为便携式电子设备和PCMCIA卡。
功率MOSFET
特点
导通电阻*非常低
*开关速度快
符号
漏极（3）
门（2）
源（1）
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT6302L-AE2-R
UT6302G-AE2-R
UT6302L-AE3-R
UT6302G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
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QW-R502-363.E
UT6302
绝对最大额定值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-20
V
栅源电压
V
GSS
±12
V
连续漏电流（ V
GS
= -4.5V ， TA = 25 ° C）
I
D
-0.78
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-4.9
A
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
-5.0
V / ns的
功率耗散（T
A
=25°C)
540
mW
P
D
线性降额因子在25℃以上
4.3
毫瓦/°C的
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
3. I
SD
≤-0.61A,
DI / dt≤76A / μs的，V
DD
≤V
（ BR ） DSS
, T
J
=150°C
热数据
参数
结到环境
注：表面安装在FR- 4板，T
≤
5sec.
符号
θ
JA
评级
230
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏源击穿电压
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
ΔBV
DSS
/△T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250 A
V
DS
=-16V,V
GS
=0V
V
GS
=±12 V, V
DS
=0 V
I
D
= -1mA ，参考至25℃
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.61A （注2）
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -0.31A （注2）
民
-20
典型值
最大
单位
-4.9
-0.70
V
-1.0
A
±100
nA
毫伏/°C的
-1.5
0.60
0.90
V
pF
pF
pF
3.6
0.84
1.5
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
97
53
28
2.4
0.56
1.0
13
18
22
22
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-16V
I
D
= -0.61A （注1,2）
V
DD
= -10V ，我
D
=-0.61A,
R
G
=6.2, R
D
= 16Ω （注1,2）
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UT6302
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源极 - 漏极二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -0.61A ，V
GS
=0V
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流（注1 ）
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.61A,
的di / dt = 100A / μs的（注2 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1。重复评价;脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%.
民
功率MOSFET
典型值
最大
-1.2
-0.54
-4.9
35
26
53
39
单位
V
A
A
nS
nC
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测试电路和波形
+
(3)
电路布局的注意事项
低杂散电感
地平面
低漏感
电流互感器
功率MOSFET
D.U.T.
-
+
(2)
-
（注2 ）
(1)
R
G
V
GS
（注1 ）
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过占空比控制
“D”
D.U.T.
–
在测试设备
+
-
V
DD
（注1 ）
-
(4)
+
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
（ 1）驱动栅极驱动
P.W.
期
P.W.
期
V
GS
=10V
（注3）
D=
（2） D.U.T.我
SD
波形
反向
恢复
体二极管的正向电流
当前
的di / dt
（3） D.U.T. V
DS
波形
身体恢复
dv / dt的
重施
电压
（ 4 ）电感电流
V
DD
体二极管正向压降
Ripple≤5
I
SD
峰值二极管恢复dv / dt的波形
注意事项：
1.
2.
3.
反向极性的P沟道
使用P沟道驱动器，用于P通道测量
V
GS
= 5.0V的逻辑电平， 3V驱动装置
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QW-R502-363.E
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测试电路和波形（续）
电流调节器
同类型D.U.T.
12V
50k
0.2F
0.3F
D.U.T.
V
GS
-3mA
I
G
I
D
电流采样电阻器
收费
-
V
+
DS
V
G
-4.5V
Q
GS
功率MOSFET
Q
G
Q
GD
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
V
DS
90%
10%
V
GS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
开关时间测试电路
开关时间波形
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