UTRON
修订版1.2
UT62L256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
修订历史
调整
描述
初步修订版0.1原
1.0版
样品准备和释放
修订版1.1
1.新增28引脚8x20毫米的TSOP -I
2.增加28L 8x20mm TSOP -I外形尺寸
修订版1.2
添加订单信息无铅产品
日期
五月4,2001
七月16,2001
七月16,2002
五月13,2003
___________________________________________________________________________________________________________
UTRON科技有限公司
P80057
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
1
UTRON
修订版1.2
UT62L256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L256C是262,144位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为32768
字由8位。它采用高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该UT62L256C被设计用于高速和
低功耗的应用。它特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该UT62L256C从单一操作
2.7V 3.6V电源和所有输入和
输出完全兼容TTL
特点
快速存取时间： 35 / 70ns的（最大）
低功耗：
工作电流： 40/20毫安（最大）
待机电流： 1
A
（典型值） L-版
0.5μA （典型值） LL-版
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
封装：28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
28引脚8x13.4mm STSOP
28引脚8x20毫米的TSOP -I
功能框图
A0-A14
解码器
32K
×
8
内存
ARRAY
VCC
VSS
I/O1-I/O8
I / O数据
电路
列I / O
CE
WE
控制
电路
OE
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2
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UT62L256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
28
27
26
VCC
WE
OE
A11
A9
A8
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
A10
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A13
A8
A9
A11
OE
UT62L256C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A10
CE
UT62L256C
21
20
19
18
17
16
15
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
PDIP / SOP
STSOP / TSOP -I
引脚说明
符号
A0 - A14
I / O1 - I / O8
CE
WE
OE
V
CC
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
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3
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UT62L256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5 4.5
0到70
-65到150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
CC,
I
cc1,
I
cc2
I
CC,
I
cc1,
I
cc2
I
CC,
I
cc1,
I
cc2
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ，T
A
= 0
℃
70
℃
)
参数
符号测试条件
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏
I
LO
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
当前
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE
= V
IL
输出高电压
V
OH
I
OH
= - 1毫安
输出低电压
V
OL
I
OL
= 4毫安
平均开工
I
CC
周期时间=最小值，
- 35
电源电流
- 70
CE = V
IL
,I
I / O
= 0毫安，
Icc1
周期时间= 1us的
CE = 0.2V ;我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或VCC- 0.2V ;
Icc2
周期时间= 500ns的
CE = 0.2V ;我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
待机功耗
I
SB
CE = V
IH
电源电流
-L
I
SB1
CE
≧
V
CC
-0.2V
-LL
注意事项：
1.过冲： VCC + 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2.冲：VSS - 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
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分钟。
2.0
- 0.5
-1
-1
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
V
CC
+0.5
0.6
1
1
单位
V
V
A
A
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
40
20
-
6
V
V
mA
mA
mA
-
-
12
mA
-
-
-
-
1
0.5
3
40
20
mA
A
A
4
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UT62L256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
电容
(T
A
=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 4毫安
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ，T
A
= 0
℃
70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62L256C-35
分钟。
马克斯。
35
-
-
35
-
35
-
25
10
-
5
-
-
25
-
25
5
-
UT62L256C-70
分钟。
马克斯。
70
-
-
70
-
70
-
35
10
-
5
-
-
35
-
35
5
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
符号
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
UT62L256C-35
分钟。
马克斯。
35
-
30
-
30
-
0
-
25
-
0
-
20
-
0
-
5
-
-
15
UT62L256C-70
分钟。
马克斯。
70
-
60
-
60
-
0
-
50
-
0
-
30
-
0
-
5
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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