UTRON
修订版1.1
特点
访问时间： 35 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 45/30 mA（典型值）
CMOS待机： 2毫安（典型值）正常
2
A
（典型值） L-版
1
A
（典型值） LL-版
单4.5V 5.5V单电源供电
工作温度：
商业： 0 ℃70℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装：28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
该UT6264C是65,536位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为8192
字由8位。它采用高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
易存储器扩展，通过使用两个设置
芯片使能输入。 （
CE
1
， CE2 ），并支持低
数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该UT6264C从一个单一的4.5V 5.5V工作
电源和所有输入和输出都充分
TTL兼容。
引脚配置
NC
A12
A7
1
2
3
4
28
27
26
25
VCC
WE
功能框图
A0-A12
解码器
8K
×
8
内存
ARRAY
CE2
A8
A9
A11
OE
A6
A5
A4
UT6264C
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
VSS
A3
A2
A1
A10
CE1
I/O1-I/O8
I / O数据
电路
列I / O
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
PDIP / SOP
引脚说明
符号
A0 - A12
I / O1 - I / O8
CE1 ， CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
概述
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
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修订版1.1
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
广告
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
1
50
260
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
ISB ， ISB1
ISB ， ISB1
Icc,Icc1,Icc2
Icc,Icc1,Icc2
Icc,Icc1,Icc2
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(V
CC
= 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ℃到70℃ ）
符号测试条件
分钟。典型值。马克斯。
VCC
4.5
5.0
5.5
V
IH
2.2
-
V
CC
+0.5
V
IL
- 0.5
-
0.8
I
LI
-1
-
1
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
CE1 = V
IH ;
或CE2 = V
白细胞介素;
输出漏电流
I
LO
-1
-
1
或OE = V
IH
;
or
WE
= V
IL
输出高电压
V
OH
I
OH
= - 1毫安
2.4
-
-
输出低电压
V
OL
I
OL
= 4毫安
-
-
0.4
- 35
-
45
60
周期时间=最小，我
I / O
=
0mA;
I
CC
- 70
-
30
45
CE1 = V
白细胞介素，
CE2 = V
IH
周期时间= 1us的;我
I / O
= 0毫安
;
工作电源
Icc1
-
20
30
CE1 = 0.2V ; CE2 = VCC- 0.2V ;
电源电流
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
周期时间= 500ns的;我
I / O
= 0毫安;
-
10
15
Icc2
CE1 = 0.2V ; CE2 = VCC- 0.2V ;
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
正常
-
1
10
CE1
= V
IH
或CE2 = V
IL
I
SB
待机电流（ TTL ）
- L/- LL
-
0.3
3
正常
-
2
5
CE1
≧VCC-0.2V
;
-L
-
2
100
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
或CE2
≦
0.2V;
- LL
-
1
50
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
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电容
(T
A
= 25 ℃ ， F = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 4毫安
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ℃到70℃ ）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT6264C-35
分钟。
马克斯。
符号
UT6264C-35
分钟。
马克斯。
UT6264C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
ACE1,
t
ACE2
t
OE
t
CLZ1*,
t
CLZ2*
t
OLZ *
t
CHZ1*,
t
CHZ2*
t
OHZ *
t
OH
35
-
-
-
10
5
-
-
5
-
35
35
25
-
-
25
25
-
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
70
70
35
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UT6264C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
WC
t
AW
t
CW1,
t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
70
60
60
0
50
0
30
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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时序波形
读周期
1 （地址控制）
(1,2,4)
t
RC
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
1
， CE2和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
CE1
t
ACE1
t
AA
CE2
t
ACE2
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
DOUT
高-Z
t
OE
t
OLZ
t
OH
数据有效
t
OHZ
t
CHZ1
t
CHZ2
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.设备不断选择
OE
,
CE
1
=V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址必须是之前还是一致有效
CE
1
4.
OE
是低的。
低
和CE2高的转变;否则吨
AA
是限制参数。
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ1
小于吨
CLZ1
, t
CHZ2
小于吨
CLZ2
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5,6)
t
地址
t
CE1
t
CE2
t
CW1
CW2
AW
WC
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
t
WE
AS
t
t
WHZ
t
WP
WR
t
高-Z
OW
DOUT
DIN
(4)
t
DW
t
数据有效
(4)
DH
写周期2
(
CE
1
和CE2控制）
(1,2,5)
t
地址
WC
t
CE1
AW
t
AS
t
CW1
t
WR
t
CE2
CW2
WE
t
t
WHZ
WP
DOUT
高-Z
t
DIN
DW
t
数据有效
DH
注意事项：
1.
WE
or
CE
1
必须是高还是CE2必须在所有的地址转换为低。
低重叠期间发生2.写
CE
1
中，高，CE2和一个低
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期
OE
低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以允许I / O驱动关闭
和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并输入singals不能被应用。
5.如果
CE
1
同时发生或后低的转变
WE
低转换时，输出保持在高阻抗状态。
6. t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
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修订版1.1
特点
访问时间： 35 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 45/30 mA（典型值）
CMOS待机： 2毫安（典型值）正常
2
A
（典型值） L-版
1
A
（典型值） LL-版
单4.5V 5.5V单电源供电
工作温度：
商业： 0 ℃70℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装：28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
该UT6264C是65,536位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为8192
字由8位。它采用高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
易存储器扩展，通过使用两个设置
芯片使能输入。 （
CE
1
， CE2 ），并支持低
数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该UT6264C从一个单一的4.5V 5.5V工作
电源和所有输入和输出都充分
TTL兼容。
引脚配置
NC
A12
A7
1
2
3
4
28
27
26
25
VCC
WE
功能框图
A0-A12
解码器
8K
×
8
内存
ARRAY
CE2
A8
A9
A11
OE
A6
A5
A4
UT6264C
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
VSS
A3
A2
A1
A10
CE1
I/O1-I/O8
I / O数据
电路
列I / O
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
PDIP / SOP
引脚说明
符号
A0 - A12
I / O1 - I / O8
CE1 ， CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
概述
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修订版1.1
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
广告
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
1
50
260
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
ISB ， ISB1
ISB ， ISB1
Icc,Icc1,Icc2
Icc,Icc1,Icc2
Icc,Icc1,Icc2
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(V
CC
= 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ℃到70℃ ）
符号测试条件
分钟。典型值。马克斯。
VCC
4.5
5.0
5.5
V
IH
2.2
-
V
CC
+0.5
V
IL
- 0.5
-
0.8
I
LI
-1
-
1
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
CE1 = V
IH ;
或CE2 = V
白细胞介素;
输出漏电流
I
LO
-1
-
1
或OE = V
IH
;
or
WE
= V
IL
输出高电压
V
OH
I
OH
= - 1毫安
2.4
-
-
输出低电压
V
OL
I
OL
= 4毫安
-
-
0.4
- 35
-
45
60
周期时间=最小，我
I / O
=
0mA;
I
CC
- 70
-
30
45
CE1 = V
白细胞介素，
CE2 = V
IH
周期时间= 1us的;我
I / O
= 0毫安
;
工作电源
Icc1
-
20
30
CE1 = 0.2V ; CE2 = VCC- 0.2V ;
电源电流
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
周期时间= 500ns的;我
I / O
= 0毫安;
-
10
15
Icc2
CE1 = 0.2V ; CE2 = VCC- 0.2V ;
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
正常
-
1
10
CE1
= V
IH
或CE2 = V
IL
I
SB
待机电流（ TTL ）
- L/- LL
-
0.3
3
正常
-
2
5
CE1
≧VCC-0.2V
;
-L
-
2
100
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
或CE2
≦
0.2V;
- LL
-
1
50
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
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修订版1.1
电容
(T
A
= 25 ℃ ， F = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 4毫安
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ℃到70℃ ）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT6264C-35
分钟。
马克斯。
符号
UT6264C-35
分钟。
马克斯。
UT6264C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
ACE1,
t
ACE2
t
OE
t
CLZ1*,
t
CLZ2*
t
OLZ *
t
CHZ1*,
t
CHZ2*
t
OHZ *
t
OH
35
-
-
-
10
5
-
-
5
-
35
35
25
-
-
25
25
-
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
70
70
35
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UT6264C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
WC
t
AW
t
CW1,
t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
70
60
60
0
50
0
30
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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3
UTRON
修订版1.1
时序波形
读周期
1 （地址控制）
(1,2,4)
t
RC
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
1
， CE2和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
CE1
t
ACE1
t
AA
CE2
t
ACE2
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
DOUT
高-Z
t
OE
t
OLZ
t
OH
数据有效
t
OHZ
t
CHZ1
t
CHZ2
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.设备不断选择
OE
,
CE
1
=V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址必须是之前还是一致有效
CE
1
4.
OE
是低的。
低
和CE2高的转变;否则吨
AA
是限制参数。
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ1
小于吨
CLZ1
, t
CHZ2
小于吨
CLZ2
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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修订版1.1
写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5,6)
t
地址
t
CE1
t
CE2
t
CW1
CW2
AW
WC
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
t
WE
AS
t
t
WHZ
t
WP
WR
t
高-Z
OW
DOUT
DIN
(4)
t
DW
t
数据有效
(4)
DH
写周期2
(
CE
1
和CE2控制）
(1,2,5)
t
地址
WC
t
CE1
AW
t
AS
t
CW1
t
WR
t
CE2
CW2
WE
t
t
WHZ
WP
DOUT
高-Z
t
DIN
DW
t
数据有效
DH
注意事项：
1.
WE
or
CE
1
必须是高还是CE2必须在所有的地址转换为低。
低重叠期间发生2.写
CE
1
中，高，CE2和一个低
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期
OE
低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以允许I / O驱动关闭
和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并输入singals不能被应用。
5.如果
CE
1
同时发生或后低的转变
WE
低转换时，输出保持在高阻抗状态。
6. t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
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