UTRON
1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62256C是262,144位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器
由8位， 32,768字。这是
捏造采用高性能，高
可靠性的CMOS技术。
该UT62256C是专为高速
和低功率的应用。它特别
非常适合于电池备份非易失
内存的应用程序。
该UT62256C用单5V工作
电源和所有输入和输出都
完全兼容TTL
UT62256C
特点
访问时间： 35 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 40/30 mA（典型值）。
待机： 3毫安（典型值）正常
为2uA （典型值） L-版
为1uA （典型值） LL-版
单5V电源
所有的输入和输出为TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装：28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
28引脚8mmx13.4mm STSOP
功能框图
A4
A3
A14
A13
A12
A7
A6
A5
A8
ROW
解码器
引脚配置
A14
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
.
.
.
存储阵列
512 ROW × 512列
S
A7
A13
A8
A9
A11
OE
VCC
VSS
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
UT62256C
A10
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
.
I/O1
.
.
I/O8
. .
列I / O
I/O2
I/O3
VSS
.
.
.
.
I / O
控制
.
.
.
列解码器
逻辑
控制
PDIP / SOP
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
A10
CE
WE
OE
A10 A9 A11 A2 A1 A0
A11
A9
A8
A13
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0 - A14
I / O1 - I / O8
CE
WE
OE
V
CC
V
SS
WE
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
UT62256C
22
21
20
19
18
17
16
15
STSOP
____________________________________________________________________________________________
UTRON科技有限公司
P80027
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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传真： 886-3-5777919
1
UTRON
1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10 SEC0
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值，设备或高于任何其他条件的功能操作中所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
延长期限可能会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
ISB ， ISB1
I
CC
I
CC
I
CC
DC电气特性
（ VCC = 5V ±10 ％ ， TA = 0
℃
70
℃
)
参数
符号
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
输出漏
I
LO
当前
输出高电压
输出低电压
工作电源
电源电流
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC
1
I
CC
2
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
I
SB
I
SB1
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
2.2
-
VCC + 0.5 V
- 0.5
-
0.8
V
-1
-
1
A
-1
-
1
A
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE
= V
IL
I
OH
= - 1毫安
I
OL
= 4毫安
- 35
CE = V
IL
,
I
I / O
= 0毫安，周期=最小值。 - 70
CE = 0.2V ;我
I / O
= 0毫安时钟周期内完成
其他引脚在0.2V或= 500ns的
TCYCLE
V
CC
-0.2V
=1ms
正常
CE = V
IH
CE
≧
V
CC
-0.2V
CE = V
IH
CE
≧
V
CC
-0.2V
-L/-LL
-L
-LL
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
30
-
-
1
0.3
-
2
1
-
0.4
50
40
20
10
10
5
3
100
50
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
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2
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32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 4毫安
AC电气特性
（ VCC = 5V ±10 ％ ， TA = 0
℃
70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62256C-35
分钟。
马克斯。
UT62256C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
符号
35
-
-
-
10
5
-
-
5
-
35
35
25
-
-
25
25
-
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
70
70
35
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
UT62256C-35
分钟。
马克斯。
UT62256C-70
分钟。
马克斯。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
70
60
60
0
50
0
30
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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3
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1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
t
AA
CE
t
ACE
OE
t
OE
t
CLZ
D
OUT
t
OLZ
高-Z
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS
WE
t
CW
t
WP
t
WR
t
WHZ
D
OUT
高-Z
t
OW
(4)
(4)
t
DW
t
DH
数据有效
D
IN
写周期2
(
CE
控制）
(1,2,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS
t
CW
t
WP
t
WR
WE
t
WHZ
D
OUT
高-Z
(4)
t
DW
t
DH
D
IN
数据有效
注意事项：
1.
WE
或行政长官必须在所有的地址转换为高。
低CE和低的重叠期间发生2.写
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期OE低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以使驱动
关闭和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并且输入信号必须不被应用。
5.如果
CE LOW
同时发生或后过渡
WE
输出将保持在高阻抗状态。
6. t
OW
和
t
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。
低
转换时，
转换测量
±500mV
从稳定状态。
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32K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62256C是262,144位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器
由8位， 32,768字。这是
捏造采用高性能，高
可靠性的CMOS技术。
该UT62256C是专为高速
和低功率的应用。它特别
非常适合于电池备份非易失
内存的应用程序。
该UT62256C用单5V工作
电源和所有输入和输出都
完全兼容TTL
UT62256C
特点
访问时间： 35 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 40/30 mA（典型值）。
待机： 3毫安（典型值）正常
为2uA （典型值） L-版
为1uA （典型值） LL-版
单5V电源
所有的输入和输出为TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装：28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
28引脚8mmx13.4mm STSOP
功能框图
A4
A3
A14
A13
A12
A7
A6
A5
A8
ROW
解码器
引脚配置
A14
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
.
.
.
存储阵列
512 ROW × 512列
S
A7
A13
A8
A9
A11
OE
VCC
VSS
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
UT62256C
A10
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
.
I/O1
.
.
I/O8
. .
列I / O
I/O2
I/O3
VSS
.
.
.
.
I / O
控制
.
.
.
列解码器
逻辑
控制
PDIP / SOP
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
A10
CE
WE
OE
A10 A9 A11 A2 A1 A0
A11
A9
A8
A13
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0 - A14
I / O1 - I / O8
CE
WE
OE
V
CC
V
SS
WE
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
UT62256C
22
21
20
19
18
17
16
15
STSOP
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1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10 SEC0
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值，设备或高于任何其他条件的功能操作中所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
延长期限可能会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
ISB ， ISB1
I
CC
I
CC
I
CC
DC电气特性
（ VCC = 5V ±10 ％ ， TA = 0
℃
70
℃
)
参数
符号
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
输出漏
I
LO
当前
输出高电压
输出低电压
工作电源
电源电流
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC
1
I
CC
2
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
I
SB
I
SB1
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
2.2
-
VCC + 0.5 V
- 0.5
-
0.8
V
-1
-
1
A
-1
-
1
A
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE
= V
IL
I
OH
= - 1毫安
I
OL
= 4毫安
- 35
CE = V
IL
,
I
I / O
= 0毫安，周期=最小值。 - 70
CE = 0.2V ;我
I / O
= 0毫安时钟周期内完成
其他引脚在0.2V或= 500ns的
TCYCLE
V
CC
-0.2V
=1ms
正常
CE = V
IH
CE
≧
V
CC
-0.2V
CE = V
IH
CE
≧
V
CC
-0.2V
-L/-LL
-L
-LL
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
30
-
-
1
0.3
-
2
1
-
0.4
50
40
20
10
10
5
3
100
50
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
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电话： 886-3-5777882
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2
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1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 4毫安
AC电气特性
（ VCC = 5V ±10 ％ ， TA = 0
℃
70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62256C-35
分钟。
马克斯。
UT62256C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
符号
35
-
-
-
10
5
-
-
5
-
35
35
25
-
-
25
25
-
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
70
70
35
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
UT62256C-35
分钟。
马克斯。
UT62256C-70
分钟。
马克斯。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
70
60
60
0
50
0
30
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
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*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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UTRON科技有限公司
P80027
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
3
UTRON
1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
t
AA
CE
t
ACE
OE
t
OE
t
CLZ
D
OUT
t
OLZ
高-Z
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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UTRON
1.0版
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
UT62256C
写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS
WE
t
CW
t
WP
t
WR
t
WHZ
D
OUT
高-Z
t
OW
(4)
(4)
t
DW
t
DH
数据有效
D
IN
写周期2
(
CE
控制）
(1,2,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS
t
CW
t
WP
t
WR
WE
t
WHZ
D
OUT
高-Z
(4)
t
DW
t
DH
D
IN
数据有效
注意事项：
1.
WE
或行政长官必须在所有的地址转换为高。
低CE和低的重叠期间发生2.写
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期OE低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以使驱动
关闭和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并且输入信号必须不被应用。
5.如果
CE LOW
同时发生或后过渡
WE
输出将保持在高阻抗状态。
6. t
OW
和
t
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。
低
转换时，
转换测量
±500mV
从稳定状态。
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