UTRON
REV 。 1.5
特点
访问时间：35 /55 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 60/50/40 mA（典型值）
待机： 2μA （典型值） L-版
1μA （典型值） LL-版
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装： 32引脚600密耳PDIP
32引脚450密耳SOP
32针8mmx20mm的TSOP -1
32针8mmx13.4mm STSOP
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT621024是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器
由8位， 131,072字。这是
捏造采用高性能，高
可靠性的CMOS技术。
该UT621024是专为低功耗
应用程序。它特别适于供
电池后备的非易失性存储器
应用程序。
该UT621024用单5V工作
电源和所有输入和输出都
充分TTL兼容。
引脚配置
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
功能框图
A16
A15
A13
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A8
ROW
解码器
A16
A14
A12
.
存储阵列
VCC
A7
A6
A5
A4
A3
A13
A8
A9
A11
OE
UT621024
.
.
1024行× 1024列
VSS
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
.
I/O1
.
.
I/O8
.
.
I/O3
VSS
.
.
.
.
I / O
控制
.
.
.
列I / O
列解码器
A11
PDIP / SOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
CE
1
CE2
WE
OE
逻辑
控制
OE
A10
A10 A11 A9 A3 A2 A1 A0
A9
A8
A13
CE
1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
WE
引脚说明
符号
A0 - A16
I / O1 - I / O8
CE
1
,CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入1,2
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
UT621024
25
24
23
22
21
20
19
18
17
TSOP -I / STSOP
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1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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1
UTRON
REV 。 1.5
绝对最大额定值*
参数
相对于VSS端电压
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这
是一个压力等级的设备或高于任何其他条件，只有和功能操作的指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高-Z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,
I
SB1
I
SB
,
I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0
℃
70
℃
)
参数
符号测试条件
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
IL
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流I
OL
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
or
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源Courrent
V
OH
V
OL
I
CC
MIN 。 TYP 。
2.2
- 0.5
-1
-1
-
-
-
-
-
-
60
50
40
-
-
2
1
单位
V
CC
+0.5 V
0.8
V
1
A
马克斯。
1
-
0.4
100
85
70
10
3
100
40*
50
15*
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
CC1
OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OH
= - 1毫安
2.4
I
OL
= 4毫安
-
周期时间=最小， 100 ％的关税，
-35 -
-55 -
CE
1
=V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
I / O
= 0毫安
-70 -
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
I / O
=0mA
-
.
CE
1
≦
0.2V,CE2
≧
V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V,
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V,
CE
1
≧
V
CC
-0.2V或
-L
.CE2
≦
0.2V
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V, -
LL
-
-
-
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
*这些参数仅在50 ℃参考
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1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
2
UTRON
REV 。 1.5
电容
(T
A
=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
=-1mA/4mA
AC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10% , T
A
= 0
℃
70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
UT621024-35 UT621024-55 UT621024-70单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读周期时间
t
RC
35
-
55
-
70
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
35
-
55
-
70
ns
芯片使能存取时间
t
ACE1
, t
ACE2
-
35
-
55
-
70
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
25
-
30
-
35
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ1
*, t
CLZ2
* 10
-
10
-
10
-
ns
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
5
-
5
-
5
-
ns
芯片禁用输出高阻
t
CHZ1
*, t
CHZ2
*
-
25
-
30
-
35
ns
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
-
25
-
30
-
35
ns
从地址变更吨输出保持
OH
5
-
5
-
5
-
ns
符号
（ 2 ）写周期
参数
符号
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
t
WC
t
AW
t
CW1
, t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
UT621024-
UT621024-70单位
UT621024-55
35
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
35
-
55
-
70
-
ns
30
-
50
-
60
-
ns
30
-
50
-
60
-
ns
0
-
0
-
0
-
ns
25
-
40
-
45
-
ns
0
-
0
-
0
-
ns
20
-
25
-
30
-
ns
0
-
0
-
0
-
ns
5
-
5
-
5
-
ns
-
15
-
20
-
25
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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3
UTRON
REV 。 1.5
时序波形
读周期1 （地址控制）
(1,2,4)
t
RC
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2 （ CE
1
， CE2和OE控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
t
AA
CE1
t
ACE1
CE2
t
ACE2
OE
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
高-Z
D
OUT
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE
1
=V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE有效
1
和CE2过渡;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ1
小于吨
CLZ1
, t
CHZ2
小于吨
CLZ2
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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4
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REV 。 1.5
写周期1
（我们控制）
(1,2,3,5)
t
WC
地址
CE1
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
t
AW
t
CW1
CE2
t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
WE
t
WHZ
高-Z
t
OW
(4)
t
DW
t
DH
D
OUT
(4)
D
IN
数据有效
写周期2
（ CE
1
和CE2控制）
(1,2,5)
t
WC
地址
t
AW
CE1
t
AS
t
CW1
t
CW2
t
WR
CE2
t
WP
WE
t
WHZ
高-Z
D
OUT
(4)
t
DW
t
DH
D
IN
数据有效
注意事项：
1.
WE
或CE
1
必须是高还是CE2必须在所有的地址转换为低。
低CE的重叠期间发生2.写
1
中，高，CE2和一个低
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期OE低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以允许I / O驱动
关闭和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并输入singals不能被应用。
5.如果CE
1
同时发生或后低的转变
WE
低跳变时，输出保持在高
阻抗状态。
6. t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
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5
UTRON
REV 。 1.5
特点
访问时间：35 /55 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 60/50/40 mA（典型值）
待机： 2μA （典型值） L-版
1μA （典型值） LL-版
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装： 32引脚600密耳PDIP
32引脚450密耳SOP
32针8mmx20mm的TSOP -1
32针8mmx13.4mm STSOP
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT621024是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器
由8位， 131,072字。这是
捏造采用高性能，高
可靠性的CMOS技术。
该UT621024是专为低功耗
应用程序。它特别适于供
电池后备的非易失性存储器
应用程序。
该UT621024用单5V工作
电源和所有输入和输出都
充分TTL兼容。
引脚配置
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
功能框图
A16
A15
A13
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A8
ROW
解码器
A16
A14
A12
.
存储阵列
VCC
A7
A6
A5
A4
A3
A13
A8
A9
A11
OE
UT621024
.
.
1024行× 1024列
VSS
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
.
I/O1
.
.
I/O8
.
.
I/O3
VSS
.
.
.
.
I / O
控制
.
.
.
列I / O
列解码器
A11
PDIP / SOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
CE
1
CE2
WE
OE
逻辑
控制
OE
A10
A10 A11 A9 A3 A2 A1 A0
A9
A8
A13
CE
1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
WE
引脚说明
符号
A0 - A16
I / O1 - I / O8
CE
1
,CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入1,2
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
UT621024
25
24
23
22
21
20
19
18
17
TSOP -I / STSOP
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1
UTRON
REV 。 1.5
绝对最大额定值*
参数
相对于VSS端电压
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这
是一个压力等级的设备或高于任何其他条件，只有和功能操作的指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高-Z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,
I
SB1
I
SB
,
I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0
℃
70
℃
)
参数
符号测试条件
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
IL
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流I
OL
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
or
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源Courrent
V
OH
V
OL
I
CC
MIN 。 TYP 。
2.2
- 0.5
-1
-1
-
-
-
-
-
-
60
50
40
-
-
2
1
单位
V
CC
+0.5 V
0.8
V
1
A
马克斯。
1
-
0.4
100
85
70
10
3
100
40*
50
15*
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
CC1
OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OH
= - 1毫安
2.4
I
OL
= 4毫安
-
周期时间=最小， 100 ％的关税，
-35 -
-55 -
CE
1
=V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
I / O
= 0毫安
-70 -
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
I / O
=0mA
-
.
CE
1
≦
0.2V,CE2
≧
V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V,
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V,
CE
1
≧
V
CC
-0.2V或
-L
.CE2
≦
0.2V
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V, -
LL
-
-
-
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
*这些参数仅在50 ℃参考
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2
UTRON
REV 。 1.5
电容
(T
A
=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
=-1mA/4mA
AC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10% , T
A
= 0
℃
70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
UT621024-35 UT621024-55 UT621024-70单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读周期时间
t
RC
35
-
55
-
70
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
35
-
55
-
70
ns
芯片使能存取时间
t
ACE1
, t
ACE2
-
35
-
55
-
70
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
25
-
30
-
35
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ1
*, t
CLZ2
* 10
-
10
-
10
-
ns
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
5
-
5
-
5
-
ns
芯片禁用输出高阻
t
CHZ1
*, t
CHZ2
*
-
25
-
30
-
35
ns
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
-
25
-
30
-
35
ns
从地址变更吨输出保持
OH
5
-
5
-
5
-
ns
符号
（ 2 ）写周期
参数
符号
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
t
WC
t
AW
t
CW1
, t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
UT621024-
UT621024-70单位
UT621024-55
35
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
35
-
55
-
70
-
ns
30
-
50
-
60
-
ns
30
-
50
-
60
-
ns
0
-
0
-
0
-
ns
25
-
40
-
45
-
ns
0
-
0
-
0
-
ns
20
-
25
-
30
-
ns
0
-
0
-
0
-
ns
5
-
5
-
5
-
ns
-
15
-
20
-
25
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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UTRON科技有限公司
P80036
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
3
UTRON
REV 。 1.5
时序波形
读周期1 （地址控制）
(1,2,4)
t
RC
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2 （ CE
1
， CE2和OE控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
t
AA
CE1
t
ACE1
CE2
t
ACE2
OE
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
高-Z
D
OUT
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE
1
=V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE有效
1
和CE2过渡;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ1
小于吨
CLZ1
, t
CHZ2
小于吨
CLZ2
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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UTRON
REV 。 1.5
写周期1
（我们控制）
(1,2,3,5)
t
WC
地址
CE1
UT621024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
t
AW
t
CW1
CE2
t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
WE
t
WHZ
高-Z
t
OW
(4)
t
DW
t
DH
D
OUT
(4)
D
IN
数据有效
写周期2
（ CE
1
和CE2控制）
(1,2,5)
t
WC
地址
t
AW
CE1
t
AS
t
CW1
t
CW2
t
WR
CE2
t
WP
WE
t
WHZ
高-Z
D
OUT
(4)
t
DW
t
DH
D
IN
数据有效
注意事项：
1.
WE
或CE
1
必须是高还是CE2必须在所有的地址转换为低。
低CE的重叠期间发生2.写
1
中，高，CE2和一个低
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期OE低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以允许I / O驱动
关闭和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并输入singals不能被应用。
5.如果CE
1
同时发生或后低的转变
WE
低跳变时，输出保持在高
阻抗状态。
6. t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
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