UT54ACS164245S
RadHard施密特CMOS 16位双向多功能收发器
数据表
2001年1月17日
特点
电压转换
- 5V总线3.3V总线
- 3.3V总线5V总线
冷备用
- 最小1MΩ输入阻抗断电
0.6m
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CMOS
- 总剂量： 100K RAD （SI ）
- 单事件闭锁免疫
高速，低功率消耗
施密特触发器输入来过滤噪声信号
可用QML Q或V流程
标准微电路图纸5962-98580
包装：
- 48引脚扁平封装， 25密耳间距（ 0.390 X 0.640 ）
RadHard
TM
描述
的16位宽UT54ACS164245S多功能收发器
使用UTMC的商业RadHard建
TM
外延
CMOS技术，是理想的空间应用。这种高
高速，低功耗UT54ACS164245S收发机被设计成
执行多种功能，包括：异步双向
通信，信号缓冲，电平转换和冷
备用。随着V
DD
等于零伏特，则UT54ACS164245S
投入和产出呈现1MΩ的最低阻抗mak-
荷兰国际集团的理想选择"cold spare"应用。平衡输出和
低"on"输出阻抗使UT54ACS164245S好
适合于驱动大电容负载和低阻抗
背板。该UT54ACS164245S使系统设计者
接口3.3伏的CMOS兼容的组件与5伏
CMOS组件。对于电压转换， A端口间
面对与3.3伏总线;与5伏的B端口的接口
总线。方向控制（ DIRX ）控制数据的方向
流动。输出使能（ OEX ）覆盖的方向控制
并禁用这两个端口。这些信号可以从任意驱动
A或B口的方向和输出使能控制操作
这些设备作为两个独立的8位收发器或1
16位收发器。
逻辑符号
OE1 （48）
OE2 （ 25 ）
(1)
DIR1
(47)
(46)
(44)
G1
G2
2EN1 （ BA ）
2EN2 （ AB ）
1EN1 （ BA ）
1EN2 （ AB ）
11
12
(24)
DIR2
1A1
1A2
1A3
(2)
(3)
(5)
(6)
(8)
1B1
1B2
1B3
1B4
(43)
1A4
(41)
1A5
(40)
1A6
(38)
1A7
(37)
1A8
(36)
2A1
2A2
2A3
(35)
(33)
21
22
1B5
(9)
1B6
(11)
1B7
(12)
1B8
(13)
2B1
(14)
2B2
(16)
2B3
(17)
2B4
(19)
2B5
(20)
2B6
(22)
2B7
(23)
2B8
(32)
2A4
(30)
2A5
(29)
2A6
(27)
2A7
(26)
2A8
引脚说明
引脚名称
OEX
DIRX
XAX
XBX
描述
输出使能输入（低电平有效）
方向控制输入
A面输入或三态输出（ 3.3V端口）
B面输入或三态输出（ 5V端口）
功能表
启用
OEX
L
L
H
方向
DIRX
L
H
X
手术
B数据到总线
数据到B总线
隔离
1
引脚配置
功率表
1
端口B
5伏
端口A
3.3伏特
5伏
3.3伏特
V
SS
3.3V或5V
手术
电压转换器
非翻译
非翻译
冷备用
端口B冷备用
48引脚扁平封装
顶视图
DIR1
1B1
1B2
V
SS
1B3
1B4
VDD1
1B5
1B6
V
SS
1B7
1B8
2B1
2B2
V
SS
2B3
2B4
VDD1
2B5
2B6
V
SS
2B7
2B8
DIR2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
OE1
1A1
1A2
V
SS
1A3
1A4
VDD2
1A5
1A6
V
SS
1A7
1A8
2A1
2A2
V
SS
2A3
2A4
VDD2
2A5
2A6
V
SS
2A7
2A8
OE2
5伏
3.3伏特
V
SS
V
SS
注意：
1. V
DD2
不能被连接到V
SS
而电源加在V
DD1
.
控制信号DIRX OEX和宽容是5伏的输入。当
V
DD2
是3.3伏，无论是3.3 V或5 V CMOS逻辑电平可以
被应用到所有的控制输入。对于正确的操作连接
所有电源V
DD
和地面所有V
SS
销（即，没有漂浮V
DD
或V
SS
输入引脚） 。如果V
DD1
和V
DD2
没有通电，用于─
GETHER ，则V
DD2
应通电先为正确的转换
控制OE和DIR的。直到V
DD2
达到2.75V + 5 ％ ，控制
通过OE和DIR的输出不能得到保证。配合使用的
投入到V
SS
。始终确保V
DD1
＆ GT ; V
DD2
操作过程中
零件。
2
抗辐射规格
1
参数
总剂量
SEL闭锁
中子注量
2
极限
1.0E5
>120
1.0E14
单位
Rad公司（SI ）
兆电子伏特厘米
2
/毫克
牛顿/厘米
2
注意事项：
在表中定义的限制范围内的辐射照射期间1.逻辑不会闭锁。
2.未测试，固有的CMOS技术。
绝对最大额定值
1
符号
V
I / O
V
DD1
V
DD2
T
英镑
T
J
Θ
JC
I
I
P
D
参数
电压的任何引脚
电源电压
电源电压
存储温度范围
最高结温
热阻结到外壳
DC输入电流
最大功率耗散
LIMIT （MIL只）
-.3到V
DD1
+.3
-0.3 6.0
-0.3 6.0
-65到+150
+175
20
±10
1
单位
V
V
V
°C
°C
° C / W
mA
W
注意：
列出的绝对最大额定值之外1.强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个额定值时，器件的功能操作
在以后的业务部门所标明的限制，这些或任何其他条件，不推荐。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性和性能。
双电源供电条件
符号
V
DD1
V
DD2
V
IN
T
C
参数
电源电压
电源电压
输入电压的任何引脚
温度范围
极限
3.0至3.6或4.5至5.5
3.0至3.6或4.5至5.5
0到V
DD1
-55 + 125
单位
V
V
V
°C
4
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