UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT5003
双增强模式
（N沟道/ P沟道）
描述
该
UT5003
可以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
充电使用UTC先进的沟槽技术。该装置
是适合用作负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
特点
* N通道： 30V / 7A
R
DS （ ON）
= 27.5m
@
V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 40m
@
V
GS
= 4.5V
* P通道： -30V / -5A
R
DS （ ON）
= 45m
@
V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 80m
@
V
GS
= -4.5V
*超级高密度电池设计
*可靠，坚固耐用
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT5003L-S08-R
UT5003G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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2009 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-167.B
UT5003
引脚配置
功率MOSFET
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2第8
QW-R502-167.B
UT5003
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
N通道：
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲（注3 ）
功耗
结温
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
功率MOSFET
T
C
=25°C
T
C
=25°C
评级
30
±20
7
20
2
+150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
P通道：
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流（注3 ）
T
C
=25°C
I
D
-5
A
漏电流脉冲（注3 ）
T
C
=25°C
I
DM
-20
A
功耗
P
D
2
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
参数
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
最大
62.5
单位
℃
/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
N沟道
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷（注2 ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
民
30
1
±100
1
1.5
20.5
30
680
105
75
4.6
4
20
5
14
1.9
3.3
7
6
30
8
2.5
27.5
40
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 10V ，我
D
≒1A,
R
G
=3
V
DS
=0.5*BV
DSS ，
V
GS
=10V,
I
D
=7A
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3 8
QW-R502-167.B
UT5003
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管连续正向电流
I
S
P沟道
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
功率MOSFET
民
典型值
最大单位
1
1.3
V
A
民
-30
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
11.5
8.5
30
14
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
-1
±100
-1
-1.5
37.5
62
780
145
79
7.7
5.7
20
9.5
15.1
2.1
4.0
-2.5
45
80
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
DS
=-10V, V
GS
=-10V,
开启上升时间
t
R
I
D
≒1A,
R
G
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=0.5*BV
DSS ，
V
GS
=-10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-5A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
二极管连续正向电流
I
S
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
2
3.表面安装在1英寸焊盘面积， t≤10sec
.
-1
-1.3
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4 8
QW-R502-167.B
UT5003
典型特征
N通道：
30
25
漏电流，我
D
(A)
20
15
3.5V
10
5
0
V
GS
=3V
在区域特征
10V
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
6.0V
5.0V
4.5V
4V
功率MOSFET
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
导通电阻变化与漏
电流和栅极电压
V
GS
=3.5V
4V
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
10V
0
1
4
2
3
漏源电压，V
DS
(V)
5
6
12
18
24
30
漏电流，我
D
(A)
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
导通电阻，R
DS （ ON）
(Ω)
30
25
漏电流，我
D
(A)
20
15
10
5
0
1
传输特性
V
DS
=10V
反向漏电流，I
S
(A)
25℃
100
10
1
0.1
0.01
体二极管正向电压的变化与
源电流和温度
V
GS
=0V
T
A
=125℃
T
A
=-55℃
25℃
-55℃
125℃
0.001
1.5
2.0
2.5
3.0
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
3.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
体二极管正向电压，V
SD
(V)
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