UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4957
p沟道增强
MODE POWER MOSFET
描述
该
UT4957
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
<24mΩ @V
GS
=-10V
* R
DS （ ON）
<36mΩ @V
GS
=4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
无铅：
UT4957L
无卤： UT4957G
符号
(7) (8)
D1
(4)
G2
(2)
G1
(5) (6)
D2
S1
(1)
S2
(3)
订购信息
正常
UT4957-S08-R
UT4957-S08-T
订购数量
无铅
UT4957L-S08-R
UT4957L-S08-T
无卤
UT4957G-S08-R
UT4957G-S08-T
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-279.A
UT4957
引脚配置
功率MOSFET
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2 5
QW-R502-279.A
UT4957
绝对最大额定值
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
-7.7
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-30
A
功耗
T
a
=25°C
P
D
2
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
最大
62.5
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
击穿电压温度
ΔBV
DSS
/ΔT
J
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
系数
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A
R
DS （ ON）
（注）
V
GS
= 4.5V ，我
D
=-5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间（注）
t
D（上）
V
DS
= -15V ，我
D
= -1A ，V
GS
=-10V
开启上升时间
t
R
R
G
=3.3, R
D
=15
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注）
Q
G
V
DS
=-24V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-7A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
S
= -7A ，V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复
Q
RR
收费
注：脉冲宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
民
-30
-0.02
-1
±100
-1
20
30
1670
530
435
14
11
38
25
27
5
18
-3
24
36
2670
典型值
最大
单位
V
V /°C的
A
nA
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
45
-1.2
35
34
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3 5
QW-R502-279.A
UT4957
典型特征
功率MOSFET
漏极电流与栅极阈值电压
300
250
200
150
100
50
0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1.0
1.5
0.5
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏极 - 源极导通状态
阻力特性
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
=-10V,
I
D
=-7A
V
GS
=-5V,
I
D
=-4.5A
漏电流与
漏源击穿电压
2.0
0
0
10
20
30
40
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
0
50
100
150
200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
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QW-R502-279.A
UT4957
功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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