UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4822
双N沟道
增强型
描述
该
UT4822
可以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
充电通过使用先进的沟槽技术。该
UT4822
is
适合使用作为负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
特点
* 30V / 8.5A
*低字节R
DS （ ON）
*可靠，坚固耐用
符号
(7) (8)
D1
(5) (6)
D2
(2)
G1
(4)
G2
S1
(1)
S2
(3)
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT4822L-S08-R
UT4822G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-149.D
UT4822
引脚配置
功率MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-149.D
UT4822
绝对最大额定值
(T
A
= 25° С ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DS
30
V
栅源电压
V
GS
±20
V
连续漏电流
I
D
8.5
A
漏电流脉冲
I
DM
40
A
功耗
P
D
2
W
结温
T
J
+150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
74
最大
110
单位
°С/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
民
30
1
±100
1
1.8
13.4
21
3
16
26
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
ns
nC
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
=15V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，R
G
=3,
开启上升时间
t
R
R
L
=1.8
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= 8.5A ，二
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
1040 1250
180
110
19.2
2.6
4.2
5.2
4.4
17.3
3.3
0.76
23
7.5
6.5
25
5
1
3
16.7
6.7
21
10
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-149.D
UT4822
典型特征
30
25
20
15
8.00E+00
10
V
GS
=3V
5
0
0
脉冲宽度
≤80us,
占空比
≤0.5%.
功率MOSFET
导通电阻特性
4V
10V
4.5V
3.5V
2.00E+01
1.60E+01
1.20E+01
传输特性
V
DS
=5V
125°С
25°С
4.00E+00
0.00E+00
1.5
脉冲宽度
≤80us,
占空比
≤0.5%.
1
2
3
4
漏源电压，V
DS
(V)
导通电阻与栅源电压
I
D
=8.5A
5
2
2.5
3
3.5
栅源电压，V
GS
(V)
体二极管的性能
4
50
导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
1.0E+01
1.0E+00
源电流，我
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
40
125°С
25°С
30
125°С
20
脉冲宽度
≤80us,
占空比
≤0.5%.
25°С
1.0E-05
6
10
0.0
0.2
0.4
10
2
脉冲宽度
≤80us,
占空比
≤0.5%.
8
栅源电压，V
GS
(V)
4
0.6
0.8
1.0
源漏极电压，V
SD
(V)
10
栅源电压，V
GS
(V)
8
6
4
2
0
0
栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1500
1250
电容特性
脉冲宽度
≤80us,
占空比
≤0.5%.
C
国际空间站
1000
750
500
C
OSS
250
脉冲宽度
≤80us,
占空比
≤0.5%.
4
12
8
16
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
20
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
漏源电压，V
DS
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 6
QW-R502-149.D
UT4822
典型特征（续）
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
归一化的最大瞬态热阻抗
10
归一化瞬态热
电阻， θ
JA
D =吨
ON
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.θ
JA
.θ
JA
θ
JA
=62.5°С/W
按降序排列
D = 0.5,0.3,0.1,0.05,0.02,0.01 ，单脉冲
1
功率（W）的
0.1
P
DM
T
ON
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
1
10
T
100
1000
0.01
0.00001
26
导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
24
22
20
18
16
14
12
10
0
导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
5
10
15
漏电流，我
D
(A)
20
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5 6
QW-R502-149.D
QQ：2880707522 复制
