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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4810D
N沟道30 V（ D- S）
MOSFET与肖特基
二极管
描述
由于FET沟道功率MOSFET N沟道MOSFET与
肖特基二极管，与UTC
UT4810D
显示快速切换和低
栅极充电功能。并且它可以在这样的应用中使用：
直流 - 直流逻辑电平，低电压和电池供电。
SOP-8
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
< 13.5mΩ @V
GS
= 10 V
*
R
DS （ ON）
< 20MΩ @V
GS
= 4.5 V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
无铅：
UT4810DL
无卤： UT4810DG
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
正常
UT4810D-S08-R
UT4810D-S08-T
订购数量
无铅
UT4810DL-S08-R
UT4810DL-S08-T
无卤
UT4810DG-S08-R
UT4810DG-S08-T
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-252.A
UT4810D
引脚配置
功率MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 5
QW-R502-252.A
UT4810D
绝对最大额定值
(T
a
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
符号
功率MOSFET
评级
单位
MOSFET
30
漏源电压
V
DSS
V
肖特基
30
栅源电压
MOSFET
V
GSS
±20
V
连续漏电流（T
J
=150°C)
MOSFET
I
D
7.5
A
漏电流脉冲
MOSFET
I
DM
50
A
连续源电流
MOSFET
I
S
1.25
A
平均正向电流
肖特基
I
F
2.4
A
脉冲正向电流
肖特基
I
FM
40
A
雪崩电流
I
AS
25
A
L=0.1mH
单脉冲雪崩能量
E
AS
78
mJ
MOSFET
1.38
功耗
P
D
W
肖特基
1.31
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
MOSFET
肖特基
符号
θ
JA
民
典型值
73
77
最大
90
95
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET +肖特基）
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
DS
≥5V,
V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
1
20
10.5
16
0.2
0.55
17
13
45
15
14.5
6.3
4.7
0.485
36
民
典型值
最大
单位
mA
nA
V
A
m
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
0.007 0.100
±100
3
13.5
20
0.9
30
20
90
25
22
动力参数
栅极电阻
R
G
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 15V ，R
L
=15, R
G
=6
,
I
D
≈1
A，V
根
=10V
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 5V ，我
D
=10A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 3.0 A，V
GS
=0 V
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100A / μs的
0.53
70
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-252.A
UT4810D
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
200
400
600
800
源极到漏极电压，V
SD
（毫伏）
10%
t
D（上）
t
THL
功率MOSFET
开关时间波形
V
DS
90%
V
GS
t
D（关闭）
t
TLH
漏电流，我
D
(A)
漏源导通电阻特性
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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漏电流，我
D
(A)
4 5
QW-R502-252.A
UT4810D
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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5
QW-R502-252.A
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U3745BM-MFLG3
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