UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4446
N沟道
增强型
描述
该
UT4446
UTC采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作低
栅极电压。这个装置是适合于用作负载开关或
在PWM应用。
功率MOSFET
SOP-8
特点
* R
DS （ ON）
< 8.5mΩ @V
GS
=10V
* R
DS （ ON）
< 14.5mΩ @V
GS
=4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
无铅：
UT4446L
无卤： UT4446G
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
正常
UT4446-S08-R
UT4446-S08-T
订购数量
无铅
UT4446L-S08-R
UT4446L-S08-T
无卤
UT4446G-S08-R
UT4446G-S08-T
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-251.A
UT4446
引脚配置
功率MOSFET
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2 5
QW-R502-251.A
UT4446
绝对最大额定值
(T
a
= 25 ℃，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
15
A
漏电流脉冲
I
DM
40
A
雪崩电流
I
AR
20
A
重复雪崩能量L = 0.1mH
E
AR
50
mJ
功耗
P
D
3
W
°C
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
59
16
最大
75
24
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
4.5V
10V
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
V
DS
= 5 V，I
D
=15 A
民
30
1
100
1
40
2.2
6.9
11.8
27
1520
306
214
7.2
8.2
22
6.7
17
33.7
6.2
10
0.71
3
8.5
14.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
S
1825
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1
4
24
19
30
V
A
ns
nC
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 100kHz的
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.0,
R
G
=3
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续
I
S
当前
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 15A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复
Q
RR
I
F
= 15A ，的di / dt = 100A / μs的
收费
56
80
392
216
20
40
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3 5
QW-R502-251.A
UT4446
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
源极到漏极电压，V
SD
（毫伏）
10%
t
D（上）
t
THL
功率MOSFET
开关时间波形
V
DS
90%
V
GS
t
D（关闭）
t
TLH
漏电流，我
D
(A)
漏源导通电阻特性
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
I
D
=15A
V
GS
=10V
I
D
=11A
V
GS
=4.5V
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
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漏电流，我
D
(A)
4 5
QW-R502-251.A
UT4446
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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