UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4435
30V p通道功率
MOSFET
描述
该
UT4435
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
≤20m
@V
GS
=-10V
* R
DS （ ON）
≤
35mΩ @V
GS
=-4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
SOP-8
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT4435L-S08-R
UT4435G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-254.B
UT4435
引脚配置
功率MOSFET
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2 5
QW-R502-254.B
UT4435
绝对最大额定值
(T
a
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±25
V
连续漏电流（注2 ）
I
D
-8.8
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-50
A
功耗
P
D
1
W
结温
T
J
175
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +175
°С
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
125
25
最大
单位
°С/W
°С/W
电气特性
(T
a
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征（注）
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250A
V
DS
=-24 V, V
GS
=0V
V
GS
= ±25 V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
= -10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-8.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=-6.7A
V
DS
= -5V ，我
D
=-8.8A
民
-30
-1
±100
-1
-50
-1.7
15
22
24
1604
408
202
17
5
6
13
13.5
42
25
-0.73
24
-3
20
35
典型值
最大单位
V
A
nA
V
A
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
正向跨导
g
FS
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数（注）
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-15 V, V
GS
= -5 V，I
D
=-8.8 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
=-15V,I
D
= -1 A，V
GS
=-10 V
R
G
=6
,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
漏源二极管的特性和最大额定值
二极管的正向电压（注）
V
SD
I
S
= -2.1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续
I
S
当前
注：脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
23
24
68
40
-1.2
-2.1
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3 5
QW-R502-254.B
UT4435
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
DS
V
GS
0
90%
10%
功率MOSFET
开关时间波形
0
10%
10%
90%
90%
0.5
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
源极到漏极电压，V
SD
(V)
1.0
漏极电流与栅极阈值电压
300
250
200
150
100
50
0
0.8
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.2
0.4
0.6
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏源
导通状态电阻特性
0
漏电流与
漏源击穿电压
0
20
30
50
40
10
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
=-10V,
I
D
=-8.8A
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-6.7A
0
300
100
200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
400
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功率MOSFET
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