UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4430
N沟道增强
模式场效应
晶体管
描述
该
UT4430
UTC采用先进技术提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。此装置适用于应用，如高侧
DC / DC转换器，笔记本电脑和服务器。
功率MOSFET
特点
* V
DS
(V)=30V
* I
D
= 18A （V
GS
= 10V)
* R
DS （ ON）
<5.5m@V
GS
=10V
* R
DS （ ON）
<7.5m@V
GS
=4.5V
*无卤
符号
漏
门
来源
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT4430L-S08-R
UT4430G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-333.A
UT4430
引脚配置
功率MOSFET
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QW-R502-333.A
UT4430
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流（ TA = 25 ℃） （注2 ） t≤10s
I
D
18
A
漏电流脉冲（注3 ）
I
DM
80
A
雪崩电流（注3）
I
AR
30
A
重复雪崩能量（注3 ）
L=0.3mH
E
AR
135
mJ
功耗（ TA = 25 ° C）
P
D
3
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
3.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境（注）
注：表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
符号
θ
JA
民
典型值
59
最大
75
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
S
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
民
30
1
100
1
80
1.8
4.7
6.2
2.5
5.5
7.5
典型值
最大单位
V
A
nA
V
A
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0 V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V,V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10 V, V
DS
= 15 V，I
D
=18 A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
-1 A，V
GS
=0 V
二极管连续正向电流
I
S
反向恢复时间
t
RR
I
F
= 18A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
4660 6060 7270
425
638
960
240
355
530
0.2
0.45
0.9
12
8
51.5
8.8
103
18
15
0.7
33.5
22
16
12
70
14
124
80
1
4.5
44
30
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QW-R502-333.A
UT4430
开关时间测试电路
功率MOSFET
非钳位感应开关（ UIS）
测试电路
L
V
DS
I
D
V
GS
V
GS
R
G
DUT
V
GS
+
VDC
非钳位感应开关（ UIS）
波形
E
AR
= 1 / 2LI
2
AR
BV
DSS
V
DS
V
DD
I
AR
I
D
-
V
GS
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QW-R502-333.A
UT4430
开关时间测试电路
二极管恢复测试电路
V
DS
+
DUT
功率MOSFET
二极管恢复波形
Q
RR =
- IDT
∫
V
GS
V
DS
-
I
SD
V
GS
L
+
VDC
I
SD
V
DD
V
DS
I
F
的di / dt
I
RM
t
RR
V
DD
-
I
G
典型特征
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