UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4422
N沟道增强
模式场效应
晶体管
描述
该
UT4422
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 15MΩ @V
GS
= 10 V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
订购信息
订购数量
UT4422G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-206.B
UT4422
引脚配置
功率MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-206.B
UT4422
溶质的最大额定值
(T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
连续漏电流（T
A
= 25_C ）（注1 ）
I
D
11
A
漏电流脉冲
I
DM
50
A
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
3
W
°C
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
59 ~ 75
16 ~ 24
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
DS
=5V, V
GS
=4.5 V
V
GS
= 10V ，我
D
=11A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=10 A
民
30
0.003
1
100
3
15
24
1250
220
140
24
nC
6.5
5.5
25
5
1
4.3
17.5
9.3
21
12
典型值
最大单位
V
A
nA
V
A
m
1
40
1.8
12.6
19.6
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=11A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V,V
DS
=15V,R
L
=1.35,
R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续
I
S
当前
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 11 A， di / dt的= 100A / μs的
体二极管反向恢复
Q
RR
收费
800
140
80
15
1040
180
110
19.8
2.5
3.5
4.5
3.9
17.4
3.2
0.75
pF
ns
V
A
ns
nC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-206.B
UT4422
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(mΩ)
导通电阻与栅源电压
60
漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(mΩ)
50
40
30
20
10
2
125°С
I
D
=10A
反向漏电流，I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
归一化的导通电阻
漏电流，我
D
(A)
体二极管的性能
125°С
25°С
25°С
脉冲宽度
≤80μs,
占空比
≤0.5%.
脉冲宽度
≤80μs,
占空比
≤0.5%.
6
8
4
门源电压，V
GS
(V)
10
1.0
0.4
0.6
0.2
0.8
体二极管正向电压，V
SD
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 6
QW-R502-206.B
UT4422
典型特征（续）
10
8
6
750
4
2
0
0
4
8
12
16
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
20
500
250
0
0
C
RSS
C
OSS
栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=11A
1500
1250
1000
功率MOSFET
电容特性
C
国际空间站
5
10
15
20
25
漏源极电压，V
DS
(V)
单脉冲功率额定值
结到环境
T
J（下最大）
=150°С
T
A
=25°С
30
100.0
最大正向偏置安全
工作区
R
DS （ ON）
有限
100μs
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
50
40
30
20
10
10μs
10.0
1.0
0.1
0.1
T
J（下最大）
=150°С
T
A
=25°С
DC
1
10
100
漏源极电压，V
DS
(V)
0
0.001 0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
10
归一化瞬态热
电阻，Z
θJA
D =吨
ON
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.θ
JA
θ
JA
=40°С/W
1
归一化的最大瞬态热阻抗
按降序排列
D = 0.5,0.3,0.1,0.05,0.02,0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
P
DM
T
O
N
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1000
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5 6
QW-R502-206.B
QQ：2880707522 复制
