UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4413
P沟道
增强型
描述
该
UT4413
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 8.5mΩ @V
GS
= -10 V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
漏
*无铅电镀产品编号： UT4413L
门
来源
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UT4413-S08-R
UT4413L-S08-R
UT4413-S08-T
UT4413L-S08-T
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-198.A
UT4413
引脚配置
功率MOSFET
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2 6
QW-R502-198.A
UT4413
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±25
V
连续漏电流（注1 ）
I
D
-15
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-80
A
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
3
W
℃
结一个温度
T
J
+150
℃
强烈的温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
62
最大
75
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
漏源击穿电压
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250 A
V
DS
=-24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±25 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
DS
=-5V, V
GS
=-10 V
V
GS
= -20V ，我
D
=-15A
V
GS
= -10 V，I
D
=-15 A
V
GS
= -6 V，I
D
=-10 A
最小值典型值
-30
-1
±100
-1.5
-60
-2.2
5.5
6.6
8.2
-3.5
7
8.5
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-15A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=-10V,V
DS
=-15V,R
L
=1.0,
R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管正向
V
SD
I
S
=-1A,V
GS
=0V
Voltage(Note2)
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= -15 A， di / dt的= 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
I
F
= -15 A， di / dt的= 100A / μs的
注：1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤0.5%
马克斯。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
4245 5500
983
689
69
15.2
18.8
16.5
23.5
116
82
-0.72
90
pF
nC
ns
-1
5
V
A
ns
nC
59
55
77
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3 6
QW-R502-198.A
UT4413
典型特征
30
25
20
15
10
5
0
0
1
3
4
2
漏源极电压， -V
DS
(V)
5
V
GS
=-3.5V
在区域特征
-4.5V
漏电流， -I
D
(A)
-5V
-10V
30
25
20
15
10
5
0
2
V
DS
=-5V
功率MOSFET
传输特性
漏电流， -I
D
(A)
-4V
125℃
25℃
2.5
3
3.5
4
门源电压， -V
GS
(V)
4.5
漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(mΩ)
导通电阻与栅源电压
30
漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(mΩ)
I
D
=-15A
反向漏电流， -I
S
(A)
25
20
15
10
5
0
4
16
12
8
门源电压， -V
GS
(V)
20
125℃
归一化的导通电阻
1.0E+01
1.0E+00
体二极管的性能
125℃
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
25℃
25℃
1.0
0.4
0.6
0.2
0.8
体二极管正向电压， -V
SD
(V)
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QW-R502-198.A
UT4413
典型特征（续）
10
门源电压， -V
GS
(V)
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
栅极电荷-Q
G
（ NC ）
70
栅极电荷特性
V
DS
=-15V
I
D
=-15A
电容（pF）
功率MOSFET
6000
5000
4000
3000
2000
1000
电容特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
漏源极电压， -V
DS
(V)
30
漏电流， -I
D
(A)
归一化瞬态热
电阻，Z
θ
JA
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功率（W）的
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QW-R502-198.A
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