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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4410
N沟道30 V（ D- S）
MOSFET
描述
先进的N沟道逻辑电平增强型MOSFET ，
该
UT4410
UTC采用的高密度生产， DMOS
沟槽技术。这是专门针对减少
导通电阻和维持优异的低栅极电荷
开关性能。
这些装置可以特别适合于这样的低电压
应用：移动电话和笔记本电脑电源
管理和其它电池供电的电路，其中的高侧
开关和低线的功率损耗，需要在一个非常小的
外形表面贴装封装。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
< 18MΩ @V
GS
= 4.5V
* R
DS （ ON）
< 12mΩ @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的11 NC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型35 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
无铅：
UT4410L
无卤： UT4410G
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
正常
UT4410-S08-R
UT4410-S08-T
订购数量
无铅电镀
UT4410L-S08-R
UT4410L-S08-T
无卤
UT4410G-S08-R
UT4410G-S08-T
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
www.unisonic.com.tw
2008 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-238.A
UT4410
引脚配置
功率MOSFET
DJL
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-238.A
UT4410
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
DJL
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
11.6
A
漏电流脉冲
I
DM
46.4
A
功耗
P
D
3.6
W
℃
结温
T
J
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
注：该设备安装在1英寸
2
FR4电路板用2盎司纯铜
符号
θ
JA
民
典型值
最大
60
单位
℃/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注）
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
DS
= 5V, V
GS
=10V
最小典型最大单位
1
±100
1.3
1.6
12
17
3.0
18
20
A
nA
V
m
A
700 800
120
35
0.9
14
12
43
4
11
20
5
4.9
0.7
32
64
280
192
15
26
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
通态漏电流（注）
I
D（上）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 25V ，我
D
= 1A ，R
L
=25
V
根
= 10V ，R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
总栅极电荷
Q
GT
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=10A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 2.3 A，V
GS
=0V
注：脉冲测试;脉冲宽度
≤
300US ，值班cycle≤ 2 ％
20
1.1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-238.A
UT4410
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
200
400
600
800
功率MOSFET
DJL
开关时间波形
V
DS
90%
V
GS
10%
t
D（上）
t
THL
t
D（关闭）
t
TLH
源极到漏极电压，V
SD
（毫伏）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R502-238.A
UT4410
功率MOSFET
DJL
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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5
QW-R502-238.A
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